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  • GD9FS1G8F2A是一款单层单元NAND闪存,支持1.7V至1.95V供电,具有128Mx8位的组织结构,采用TSOP(I)-48封装。该器件支持ONFI 1.0协议,提供100K次编程/擦除周期,数据保留时间为10年。
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  • 该碳化硅二极管具有250A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)为1.4V,反向漏电流(IR)低至100μA,具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流(IFSM)可达600A,展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的高频电源转换场景,尤其在需要高功率密度与快速开关响应的电力电子系统中表现突出。
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