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  • 是新的32位通用微控制器,基于ARM Cortex-M23内核。Cortex-M23处理器是节能处理器,门数非常低,适用于需要面积优化处理器的微控制器和深度嵌入式应用。该处理器通过小而强大的指令集和广泛优化的设计实现高能效,提供包括单周期乘法器和17周期除法器的高端处理硬件。以高达72 MHz的频率运行,闪存访问有0至2个等待状态以获得最高效率。提供高达64 KB的嵌入式闪存和高达8 KB的SRAM。
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  • 是一款基于 ARM Cortex™-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器,在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。ARM® Cortex™-M3 32 位处理器内核以 56 MHz 频率运行,闪存访问零等待状态,可实现最高效率。提供高达 3 MB 的片上闪存和高达 80 KB 的 SRAM。广泛的增强型 I/O 和外设连接到两条 APB 总线
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  • 特性:单电源电压:3.0V:电压范围2.7V~3.6V。2.5V:电压范围2.3V~3.6V。1.8V:电压范围1.65V~2.0V。高速时钟频率:3.0V:最大120MHz,用于30pF负载快速读取,双I/O数据传输高达240Mbits/s,四I/O数据传输高达480Mbits/s,连续读取支持8/16/32/64字节环绕。2.5V:最大104MHz,用于30pF负载快速读取,双I/O数据传输高达208Mbits/s,四I/O数据传输高达416Mbits/s,连续读取支持8/16/32/64字节环绕。1.8V:120MHz用于30pF负载快速读取,双I/O数据传输高达240Mbits/s,四I/O数据传输高达480Mbits/s,QPI数据传输高达480Mbits/s,连续读取支持8/16/32/64字节环绕
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  • 32-bit ARM Cortex-M3 MCU,56MHz,128KB Flash,16KB SRAM
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  • GD9FU1G8F2A是一款1Gb SLC NAND Flash存储器,支持单级单元技术,具有1004个有效块,支持ONFI 1.0协议,工作电压为2.7V至3.6V,适用于工业温度范围(-40°C至85°C)。
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  • 特性:电源:VDD = VDDQ = 1.2V(1.14V 至 1.26V);VPP = 2.5V(2.375V 至 2.75V)。 JEDEC 标准封装:x16 96 球 FBGA。 阵列配置:8 个存储体(x16),2 组 4 个存储体。 8n 位预取架构。 突发长度(BL):8 和 4 带突发截断(BC)。 可编程 CAS 延迟(CL)
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  • GD9Ax2GxF2A容量为2Gbit,具备64Mbit备用容量。可在整个页面以典型编程时间tPROG执行编程操作,在每个块以典型块擦除时间tBERS执行擦除操作。页面中的数据能以每字节tRC周期时间读出
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