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首页 > 热门关键词 > IXYS二极管
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高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流,同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平,直到施加足够的电源电压(IXD_630版本为12.5V,IXD_630M版本为9V)。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器,IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。
  • 1+

    ¥57.65
  • 10+

    ¥49.23
  • 50+

    ¥44.1
  • 有货
    • 1+

      ¥103.57
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      ¥99.9
    • 30+

      ¥93.54
  • 有货
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      ¥124.38
    • 10+

      ¥118.6
    • 30+

      ¥108.58
    • 100+

      ¥99.85
  • 有货
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      ¥127.09
    • 10+

      ¥121.1
    • 25+

      ¥110.73
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低栅极电荷(QG)。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥135.05
    • 10+

      ¥129.1
    • 25+

      ¥118.8
  • 有货
  • 特性:雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 低RDS(on)和QG。 易于安装。 节省空间。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥140.68
    • 10+

      ¥134.02
    • 25+

      ¥122.47
    • 100+

      ¥112.4
  • 有货
  • 特性:双金属工艺,低栅极电阻。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。应用:开关模式和共振模式电源(>500kHz开关)。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥152.32
    • 30+

      ¥147.2
  • 有货
  • 特性:高压晶闸管。 适用于线频率。 芯片技术确保长期稳定性。 ISOPLUS i4-PAC™ 高压封装。 背面绝缘。 增大至散热器的爬电距离。应用:可控整流器。 电源
    数据手册
    • 1+

      ¥208.57
    • 25+

      ¥199
  • 有货
  • 特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。 隔离安装表面。 2500V~电气隔离。 雪崩额定。 快速本征整流器。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥286.91
    • 30+

      ¥275.04
  • 有货
  • CPC3710 是一款 N 沟道耗尽型场效应晶体管(FET),采用专有的第三代垂直 DMOS 工艺。第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了高压 MOSFET 性能。垂直 DMOS 工艺造就了一款坚固的器件,具有高输入阻抗,适用于高功率应用
    • 1+

      ¥5.06
    • 10+

      ¥4.11
    • 30+

      ¥3.64
    • 100+

      ¥3.16
    • 500+

      ¥2.88
  • 有货
  • 是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流,上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容,并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.99
    • 10+

      ¥5.8
    • 30+

      ¥5.15
    • 100+

      ¥4.41
    • 500+

      ¥4.08
  • 有货
  • 是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收1.5A的峰值电流,上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与TTL和CMOS兼容,并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间使其适用于高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.51
    • 10+

      ¥6.19
    • 30+

      ¥5.47
    • 100+

      ¥4.66
  • 有货
  • CPC1333G是一款单极常闭(1-Form-B)固态继电器,具有5000Vrms的增强型输入到输出隔离屏障。该继电器的输出采用高效的MOSFET开关构建,使用IXYS集成电路公司的专利OptoMOS架构。输入端是一个高效红外LED,控制光电耦合输出。
    • 1+

      ¥15.98
    • 10+

      ¥13.42
    • 30+

      ¥11.81
    • 100+

      ¥10.17
  • 有货
    • 1+

      ¥17.82
    • 10+

      ¥15.21
    • 50+

      ¥13.58
    • 100+

      ¥11.91
  • 有货
  • N-CH 100V
    数据手册
    • 1+

      ¥18.72
    • 10+

      ¥16.22
    • 30+

      ¥13.23
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低导通电阻RDS(on)和栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥20.3
    • 10+

      ¥17.21
    • 30+

      ¥15.37
    • 90+

      ¥13.51
  • 有货
    • 1+

      ¥25.47
    • 10+

      ¥21.58
    • 50+

      ¥19.27
    • 100+

      ¥16.94
  • 有货
  • IXYS Integrated Circuits 将OptoMOS技术、可靠性和紧凑的尺寸带入了一个新的高功率固态继电器系列。作为该系列的一部分,CPC1726是一款常开(1-Form-A)固态继电器。CPC1726采用光电耦合MOSFET技术,提供了2500 Vrms的输入到输出隔离。使用专利OptoMOS架构的光电耦合输出由高效的红外LED控制。低导通电阻和高负载电流处理能力的结合使该继电器适用于多种高性能开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.71
    • 10+

      ¥25.49
    • 30+

      ¥22.98
    • 100+

      ¥20.45
  • 有货
  • 特性:快速本征整流器。雪崩额定。低RDS(O)和QG。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥30.47
    • 10+

      ¥26.19
    • 30+

      ¥23.65
    • 90+

      ¥21.08
  • 有货
    • 1+

      ¥32.49
    • 10+

      ¥27.54
    • 50+

      ¥24.59
    • 100+

      ¥21.61
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥33.48
    • 10+

      ¥28.52
    • 30+

      ¥25.58
  • 有货
    • 1+

      ¥45.21
    • 10+

      ¥39.58
    • 30+

      ¥36.15
  • 有货
  • OptoMOS®技术、可靠性和紧凑尺寸应用于新的高功率固态继电器系列。作为该系列的一部分,CPC1718单极常开(1-Form-A)直流固态功率继电器采用光耦合MOSFET技术,提供2500Vrms的输入到输出隔离。光耦合输出采用专利OptoMOS架构,由高效红外LED控制。低导通电阻和高负载电流处理能力的结合,使该继电器适用于各种高性能直流开关应用。独特的ISOPLUS-264封装使固态继电器能够实现最高的负载电流和功率额定值。该封装采用独特的IXYS工艺,将硅芯片软焊到直接铜键合(DCB)基板上,而非传统的铜引线框架。DCB陶瓷不仅提供2500Vrms隔离,而且结到外壳的热阻非常低(0.3℃/W)。
    • 1+

      ¥54.37
    • 10+

      ¥46.76
    • 25+

      ¥42.12
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低R_D(SON)和Q_G。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和共振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥104.3
    • 10+

      ¥103.02
    • 30+

      ¥100.81
  • 有货
  • 特性:针对10-30kHz开关进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 雪崩额定。 短路能力。 高电流处理能力。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥183.68
    • 25+

      ¥174.8
  • 有货
    • 1+

      ¥189.02
    • 30+

      ¥181.1
  • 有货
  • 特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 隔离电压2500V~。 Vce(sat)具有正温度系数。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥244.2
    • 30+

      ¥233.1
  • 有货
  • 三星的8位单芯片CMOS微控制器系列提供快速高效的CPU、广泛的集成外设和各种可编程ROM大小。高效的寄存器架构、可选的CPU时钟源、通过中断释放的空闲和停止掉电模式、内置带看门狗功能的基本定时器。地址/数据总线架构和大量64个可配置I/O端口为具有不同内存和I/O要求的应用提供灵活的编程环境。包含具有可选操作模式的定时器/计数器以支持实时操作。单芯片8位微控制器专为有用的A/D转换器应用领域而设计。采用高度先进的CMOS工艺制造,基于三星强大的SAM88RCR1 CPU架构
    数据手册
    • 1+

      ¥4.21
    • 10+

      ¥3.46
    • 35+

      ¥3.08
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。175℃工作温度。高电流处理能力。快速本征整流器。动态dV/dt额定值。低RDS(on)。应用:DC-DC转换器。电池充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.1645 ¥20.47
    • 10+

      ¥4.415 ¥17.66
    • 50+

      ¥2.397 ¥15.98
    • 100+

      ¥2.1435 ¥14.29
    • 500+

      ¥2.0265 ¥13.51
    • 1000+

      ¥1.974 ¥13.16
  • 有货
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