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首页 > 热门关键词 > IXYS二极管
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    ¥19.47
  • 有货
  • 特性:高压封装。 高阻断电压。 高峰值电流能力。 低饱和电压。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)
    • 1+

      ¥196
    • 30+

      ¥185.5
  • 有货
  • 固态继电器,Vp=800V
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    • 1+

      ¥11.49
    • 10+

      ¥9.79
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    • 100+

      ¥7.63
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      ¥7.14
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥12.52
    • 10+

      ¥10.56
    • 30+

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      ¥20.1
    • 50+

      ¥17.94
    • 100+

      ¥15.77
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低RDS(ON)和QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和共振模式电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥27.94
    • 10+

      ¥23.68
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      ¥21.14
    • 100+

      ¥18.58
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥33.78
    • 10+

      ¥28.95
    • 30+

      ¥26.08
    • 100+

      ¥23.18
  • 有货
  • 高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流,同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平,直到施加足够的电源电压(IXD_630版本为12.5V,IXD_630M版本为9V)。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器,IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥59.07
    • 10+

      ¥50.88
    • 50+

      ¥45.89
    • 100+

      ¥41.7
  • 有货
  • 特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 Vce(sat)具有正温度系数。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥227.48
    • 30+

      ¥216.2
  • 有货
  • 特性:针对低传导损耗进行优化。 高雪崩能力。 隔离电压3000V。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥249.91
    • 30+

      ¥238.81
  • 有货
    • 1+

      ¥298.2
    • 30+

      ¥283.93
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥9.94
    • 10+

      ¥8.44
    • 30+

      ¥7.5
    • 100+

      ¥6.53
  • 有货
    • 1+

      ¥22.05
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      ¥18.79
    • 30+

      ¥15.91
    • 90+

      ¥13.82
  • 有货
  • 特性:针对低传导损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 高电流处理能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥22.12
    • 10+

      ¥19.16
    • 30+

      ¥17.39
    • 100+

      ¥15.61
    • 500+

      ¥14.79
    • 800+

      ¥14.42
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。高压封装。低RDS(ON)和QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥26.14
    • 10+

      ¥22.21
    • 30+

      ¥21.52
    • 100+

      ¥19.16
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥39.37
    • 10+

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      ¥31.2
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    • 90+

      ¥28.39
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低Q。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 高功率密度。应用:DC-DC转换器。 开关模式和共振模式电源
    • 1+

      ¥42.04
    • 10+

      ¥35.89
    • 30+

      ¥32.15
    • 100+

      ¥29
  • 有货
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      ¥42.06
    • 10+

      ¥36.29
    • 30+

      ¥32.78
    • 100+

      ¥29.83
  • 有货
  • 特性:晶闸管适用于线频率。 国际标准封装JEDEC TO-247。 平面钝化芯片。 阻断电流和电压的长期稳定性。 AR版本隔离且通过UL注册E153432。 环氧树脂符合UL 94V-0。应用:电机控制。 功率转换器
    • 1+

      ¥48.23
    • 10+

      ¥41.72
    • 30+

      ¥37.75
    • 100+

      ¥34.42
  • 有货
  • 高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流,同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平,直到施加足够的电源电压(IXD_630版本为12.5V,IXD_630M版本为9V)。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器,IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥59.76
    • 10+

      ¥51.34
    • 30+

      ¥46.21
    • 100+

      ¥41.9
  • 有货
  • IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,并且该驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥65.08
    • 10+

      ¥55.97
    • 30+

      ¥50.42
    • 100+

      ¥45.76
  • 有货
  • 光电MOS技术将可靠性和紧凑尺寸融入全新系列的高功率固态继电器。作为该系列的一部分,单刀常开(1-Form-A)固态功率继电器在配备5°C/W散热器时,额定连续负载电流高达3.1Arms。
    • 1+

      ¥90.72
    • 10+

      ¥86.51
    • 30+

      ¥79.2
    • 100+

      ¥72.83
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥133.0546 ¥135.77
    • 3+

      ¥119.4776 ¥135.77
    • 5+

      ¥105.9006 ¥135.77
    • 30+

      ¥102.6246 ¥131.57
  • 有货
  • 特性:专为线性操作设计。 在60°C时保证FBSOA。 雪崩额定。 低RDS(on) HDMOS™工艺。 模塑环氧树脂符合UL94 V-0阻燃等级。 易于安装。应用:可编程负载。 电流调节器
    • 1+

      ¥212.988 ¥354.98
    • 30+

      ¥206.4 ¥344
  • 有货
  • 适用于单向开关应用,如相位控制、加热、电机速度控制、转换器/整流器和电容放电点火。这些可控硅在约 1.5V 时具有 0.2 至 15mA 的低栅极电流触发水平,该系列的敏感版本栅极触发电流小于 500μA。敏感栅极可控硅版本易于由感应线圈、接近开关和微处理器触发。
    • 1+

      ¥5.24
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.83
    • 100+

      ¥3.36
    • 500+

      ¥3.08
  • 有货
  • 提供高度的浪涌保护,尺寸小,适用于板级电路保护。作为开关工作,消耗的能量最少,因此能够处理远远超过其他类型瞬态电压保护的电流。其填充气体的坚固陶瓷金属结构使其非常适合恶劣环境。有多种形式,包括表面贴装、核心、直引线和成型引线,以适应各种安装方法。适用于保护测试和通信设备以及其他需要低电压限制和极低电弧电压的设备。适用于保护需要更高电压限制和保持电压的设备。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.11
    • 10+

      ¥8.73
    • 30+

      ¥7.97
    • 100+

      ¥7.1
  • 有货
  • 是一款微型设备,在8引脚SOIC封装中包含两个独立的常开(1-Form-A)固态继电器,采用光耦合MOSFET技术,提供1500Vrms的输入到输出隔离。光耦合输出采用专利的OptoMOS架构,由高效红外LED控制。采用先进的双模垂直结构封装,是尺寸最小的继电器之一,与竞争对手更大的8引脚SOIC继电器相比,可节省大量电路板空间。
    • 1+

      ¥11.86
    • 10+

      ¥10.88
    • 30+

      ¥10.27
    • 100+

      ¥9.64
    • 500+

      ¥9.35
    • 1000+

      ¥9.23
  • 有货
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