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首页 > 热门关键词 > IXYS二极管
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特性:高阻断电压。 高压封装。 快速本征二极管。 低封装电感。 易于安装。 节省空间。应用:高压电源。 电容放电
  • 1+

    ¥72.31
  • 10+

    ¥61.81
  • 30+

    ¥55.42
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。封装环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。带氮化铝隔离的miniBLOC。快速恢复二极管。非钳位电感开关(UIS)额定。低封装电感。易于驱动和保护。易于安装。节省空间。高功率密度
    • 1+

      ¥137.47
    • 10+

      ¥131.01
    • 30+

      ¥119.82
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。 隔离电压 2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低 RDS(on)。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC 转换器
    • 1+

      ¥263.56
    • 30+

      ¥250
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。 隔离电压2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低导通电阻RDS(on)。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥282.23
    • 30+

      ¥267.12
  • 有货
  • 特性:MOSFETs采用沟槽技术。低导通电阻RDS(on)。优化的本征反向二极管。高集成度。高电流能力(最大300 A)。用于MOSFET控制的辅助端子。应用:汽车中的交流驱动器。电动助力转向
    • 1+

      ¥301.76
    • 26+

      ¥288.69
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。 隔离电压2500 V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低RDS(on)。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥324.66
    • 30+

      ¥308.67
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低本征栅极电阻。 带氮化铝隔离的miniBLOC。 快速本征二极管。 扩展的正向偏置安全工作区(FBSOA)。 雪崩额定。应用:可编程负载。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥456.48
    • 10+

      ¥438
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。 隔离电压2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低RDS(on) HDMOST™工艺。应用:高压开关模式和谐振模式电源。 高压脉冲功率应用
    • 1+

      ¥461.81
    • 30+

      ¥445
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。雪崩额定。扩展的正向偏置安全工作区(FBSOA)。快速本征二极管。低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。易于安装。应用:高端开关。推挽放大器
    • 1+

      ¥24.2
    • 10+

      ¥22.96
    • 30+

      ¥22.23
    • 100+

      ¥21.48
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。 隔离电压2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低导通电阻。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥339.15
    • 30+

      ¥327.75
  • 有货
  • 特性:动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 快速本征二极管。 低Q。 低RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥140.87
    • 25+

      ¥134.4
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 快速本征二极管。 低栅极电荷QG和低导通电阻RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥29.88
    • 10+

      ¥28.62
    • 30+

      ¥23.94
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低封装电感。 快速本征二极管。 易于安装。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 1+

      ¥79.33
    • 10+

      ¥75.93
    • 30+

      ¥70.04
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。隔离电压 2500 V。高电流处理能力。快速本征二极管。雪崩额定。低 R₍DSS(on)₎。应用:同步整流。DC-DC 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥170.24
    • 30+

      ¥161.12
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。高阻断电压。高电流处理能力。反并联二极管。高功率密度。低栅极驱动要求。应用:电容放电。交流开关
    • 1+

      ¥321.65
    • 30+

      ¥310.51
  • 有货
  • 单线性光耦合器具有一个红外LED,与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈(输入)光电二极管用于生成控制信号,为LED驱动电流提供伺服机制,从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个(输出)光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.07
    • 10+

      ¥22.33
    • 30+

      ¥20.11
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。快速本征二极管。雪崩额定。低RDS(on)。低封装电感。易于安装。节省空间。高功率密度
    数据手册
    • 1+

      ¥83.98
    • 10+

      ¥80.03
    • 30+

      ¥73.17
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速恢复二极管。 非钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥98.45
    • 10+

      ¥93.49
    • 30+

      ¥84.89
  • 有货
  • 特性:快速本征二极管。 国际标准封装。 非钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。应用:高压开关模式和谐振模式电源。 高压脉冲功率应用
    • 1+

      ¥116.91
    • 10+

      ¥115.29
    • 30+

      ¥112.49
  • 有货
  • 特性:高阻断电压。国际标准封装。反并联二极管。低传导损耗。低栅极驱动要求。高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。不间断电源 (UPS)
    • 1+

      ¥175.45
    • 30+

      ¥166.75
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低封装电感。 快速本征二极管。 易于安装。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 1+

      ¥56.61
    • 10+

      ¥49.23
    • 30+

      ¥44.73
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速恢复二极管。 非钳位电感开关 (UIS) 额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥58.39
    • 10+

      ¥56.2
    • 30+

      ¥54.86
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 快速本征二极管。 低封装电感。 易于安装。 节省空间。应用:高压电源。 电容放电
    • 1+

      ¥72.6
    • 10+

      ¥68.94
    • 30+

      ¥62.6
  • 有货
  • 特性:高阻断电压。 集成反并联二极管。 国际标准封装。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)
    • 1+

      ¥76.62
    • 10+

      ¥65.89
    • 30+

      ¥59.35
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低RDS(on)。 易于安装。应用:同步整流。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥106.25
    • 10+

      ¥104.93
    • 30+

      ¥102.63
  • 有货
  • 是双光伏MOSFET驱动器。每个独立的驱动器由一个与光电二极管阵列光耦合的LED组成。驱动器输出通过输入端高效的红外LED控制。当向LED施加输入电流时,发出的光激活光电二极管阵列,从而在输出端产生电压。光电二极管阵列能够产生一个浮动电源,其电压和电流足以驱动高功率MOSFET晶体管。每个光电二极管阵列包含一个集成关断电路,当LED电流移除时,该电路会对外部MOSFET栅极放电,无需使用外部元件来促进放电。光耦合技术提供3750Vrms的输入到输出隔离。适用于分立固态继电器设计和其他隔离开关应用。
    • 1+

      ¥21.65
    • 10+

      ¥18.64
    • 50+

      ¥16.86
    • 100+

      ¥15.05
  • 有货
  • CPC1560是一款1-Form-A(单刀常开)光电隔离MOSFET开关,可在仅直流配置下快速接通高达600mA的负载,在交直流配置下快速接通300mA RMS的负载;具有主动电流限制电路;并提供3750V RMS的I/O隔离。通过使用外部储能电容来实现快速接通,该电容为内部切换MOSFET提供所需的电荷。该设备通过自举二极管从负载电压中对这个电容进行充电,从而免除了额外电源的需求。CPC1560集成了热关断电路以提高在恶劣环境中的生存能力,并且当提供适当的过压保护电路时,设计为能够满足监管电压浪涌要求。CPC1560专为环境要求苛刻的交流或直流应用而设计,在这些应用中,印刷电路板空间非常宝贵且无法提供额外的电源,因此CPC1560是理想的解决方案。
    • 1+

      ¥23.48
    • 10+

      ¥22.27
    • 30+

      ¥21.55
    • 100+

      ¥20.83
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 无钳位电感开关 (UIS) 额定值。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥41.39
    • 10+

      ¥35.74
    • 30+

      ¥32.29
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dV/dt额定。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低Qg和Rds(on)特性。应用:高端开关。 推挽放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥51.78
    • 10+

      ¥45.17
    • 30+

      ¥39.42
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 坚固的PolarPTM工艺。 低QG和Rds(on)。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 1+

      ¥68.78
    • 10+

      ¥65.31
    • 30+

      ¥59.31
  • 有货
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