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特性:VDS = -30V,ID = -15A。 RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用:PWM应用。 负载开关
数据手册
  • 50+

    ¥0.945
  • 500+

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    ¥0.775
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    ¥0.9
  • 1000+

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  • 2000+

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    ¥1.485
  • 100+

    ¥1.43
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  • 2000+

    ¥1.21
中压MOSFET
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    ¥1.725
  • 2000+

    ¥1.65
特性:350 瓦每线峰值脉冲功率 (tP = 8 / 20μs)。保护两条单向 I/O 线。低钳位电压。工作电压:5V。低泄漏电流。符合 RoHS 标准。应用:RS-232、RS-422 和 RS-485。服务器、笔记本电脑和台式机
数据手册
  • 100+

    ¥0.189
  • 1000+

    ¥0.182
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    ¥0.161
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    ¥0.1568
  • 100+

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  • 1000+

    ¥0.3055
  • 3000+

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  • 10+

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    ¥1.95
  • 200+

    ¥1.8
  • 1000+

    ¥1.725
  • 2000+

    ¥1.65
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JRC-T系列大电流单/双向瞬态抑制器专为高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件可提供20V至72V的单/双向端口保护。它们的钳位电压低于雪崩电压。因此,因电流传导增加而导致的任何电压上升都被控制在最低限度,从而提供尽可能高的保护水平。它们还可以串联和/或并联连接,以创建高容量的保护解决方案。
  • 1+

    ¥8.58
  • 50+

    ¥7.92
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  • 1000+

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  • 2000+

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  • 1+

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    ¥6.6
特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100%进行UIS测试,100%进行Rg测试。 无铅引脚电镀。 无卤且符合ReHS标准。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC(SR)子系统中的电流开关
  • 1+

    ¥8.45
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  • 1000+

    ¥9.68
特性:低RDS(ON)。 低栅极电荷。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。应用:电信电源管理。 工业自动化
数据手册
  • 25+

    ¥0.269742
  • 50+

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