PFC二极管_厂家_价格_品牌_库存

超低VF，软开关超快整流器，针对不连续（临界）模式（DCM）功率因数校正（PFC）进行了优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流，使开关损耗最小化，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。该器件还可用作电源和其他功率开关应用中的续流二极管。

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型号：IDP15E65D2XKSA1 编号：C17490730

封装：TO-220

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：CCM PFC中的升压二极管

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型号：APT40DQ120BG 编号：C17315482

封装：TO-247

特性：超快恢复时间。软恢复特性。低正向电压。低泄漏电流。雪崩能量额定。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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型号：VS-1EFU06-M3/I 编号：C7464056

封装：SMF(DO-219AB)

具有优化的正向压降、超快恢复时间和软恢复性能的先进超快恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于PFC、升压、照明、开关电源的AC/DC部分、续流和钳位二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器中的功耗。

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型号：VS-15EWX06FN-M3 编号：C5334391

封装：TO-252AA(DPAK)

超快速恢复整流器，具有正向压降、超快速恢复时间和软恢复的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：IDP40E65D2 编号：C535931

封装：TO-220-2

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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型号：VS-EPU3006-N3 编号：C241884

封装：TO-247AC

超低VF软开关超快整流器，针对不连续（临界）模式（DCM）功率因数校正（PFC）进行了优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流，使开关损耗最小化，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。该器件还可用作电源和其他功率开关应用中的续流二极管。

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型号：VS-8ETL06S-M3 编号：C506528

封装：D2PAK

先进的超低正向压降（VF）软开关超快速整流器，针对不连续（临界）模式（DCM）功率因数校正（PFC）进行了优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流，可最大程度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。该器件还可作为电源和其他功率开关应用中的续流二极管使用。

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型号：VS-8ETX06SPBF 编号：C144905

封装：TO-263-2

最先进的超快速恢复整流器，具有正向压降、超快速恢复时间和软恢复的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源交流/直流部分的功率因数校正 (PFC) 升压级、逆变器或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：C3D04060A 编号：C5693023

封装：TO-220-2

品牌：CREE LED

特性：600伏肖特基整流器。针对PFC升压二极管应用进行优化。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。应用：开关模式电源（SMPs）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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型号：IDW40E65D2 编号：C535957

封装：TO-247-3

特性：符合JEDEC标准，适用于目标应用。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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型号：C4D02120E-TR 编号：C7459213

封装：TO-252-2

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压VF具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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型号：STPSC30G12WL 编号：C20033871

封装：DO-247LL

品牌：ST(意法半导体)

SiC二极管采用DO-247长引脚封装，是一种超高性能功率肖特基整流器，使用碳化硅衬底制造。宽带隙材料可设计出额定电压为1200V的低VF肖特基二极管结构。由于采用肖特基结构，关断时无恢复现象，振铃模式可忽略不计。最小电容关断行为与温度无关。基于最新技术优化，该二极管具有改进的正向浪涌电流能力，非常适合用于PFC。在硬开关条件下，此SiC二极管可提高性能，同时使设计更可靠。其高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的可靠性。

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型号：IDW30C65D2XKSA1 编号：C3312939

封装：TO-247-3

特性：符合JEDEC目标应用标准。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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￥34.95
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型号：IDV20E65D1 编号：C535935

封装：TO-220-2

特性：650 V 发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC 转换器。PFC 级中的升压二极管

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型号：IDP30E65D2 编号：C535930

封装：TO-220AC

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）中的升压二极管

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型号：IDW80C65D2 编号：C535965

封装：TO-247-3

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且在不同温度下保持稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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型号：APT75DQ120BG 编号：C17554511

封装：TO-247

特性：超快恢复时间。软恢复特性。低正向电压。低泄漏电流。雪崩能量额定。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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型号：APT30D120BG 编号：C17290218

封装：TO-247

特性：超快恢复时间。软恢复特性。低正向电压。低泄漏。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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型号：MSC015SDA120B 编号：C3760132

封装：TO-247

特性：超快恢复时间。软恢复特性。低正向电压。低漏电流。雪崩能量额定。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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型号：MSC030SDA070BCT 编号：C3758972

封装：TO-247-3

特性：无反向恢复/无正向恢复。低正向电压。低漏电流。雪崩能量额定。符合RoHS标准。高开关频率。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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￥123.52
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￥120.04

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型号：MSC050SDA120S 编号：C6916590

封装：D3PAK

特性：低正向电压。低泄漏电流。无反向恢复电流/无正向恢复。雪崩能量额定。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

1+
￥196.69
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￥190.75

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型号：STPSC406B-TR 编号：C127908

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计额定电压为600V的肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复，振铃模式可忽略不计。最小电容关断特性与温度无关。ST SiC二极管将提升硬开关条件下PFC操作的性能。

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￥8.32

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型号：C4D02120E 编号：C7457230

封装：TO-252-2

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压VF具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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￥14
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￥11.94
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￥10.65

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型号：C4D05120E-TR 编号：C5713497

封装：TO-252

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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￥17.38
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型号：S4D02120A-HXY 编号：C51896243

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其高耐压特性与低导通损耗相结合，有助于提升电路转换效率。器件利用碳化硅材料的优异性能，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关过程中的能量损耗与发热。适用于高效率电源转换拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC变换器及高压整流应用，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子系统。

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型号：C3D08060A 编号：C5713494

封装：TO-220-2

品牌：CREE LED

特性：600-伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管

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型号：C4D20120D 编号：C5713501

封装：TO-247-3

特性：1.2 kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频运行。与温度无关的开关特性。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。功率因数校正（PFC）或直流/直流阶段的升压二极管

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型号：VS-8EWL06FN-M3 编号：C413478

封装：TO-252AA(DPAK)