PFC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：F4C10120A 编号：C784611

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管

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￥8.648 ￥10.81
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￥7.232 ￥9.04
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型号：IDW15E65D2 编号：C535940

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC针对目标应用的标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且在温度范围内稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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￥8.8512 ￥13.83
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￥4.8664 ￥11.06
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型号：VS-8EWX06FNTR-M3 编号：C2913654

封装：TO-252AA(DPAK)

品牌：VISHAY(威世)

超快速恢复整流器，在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压阶段或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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￥4.606 ￥4.7
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型号：VS-15AWL06FN-M3 编号：C145197

封装：TO-252-2

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超低VF软开关超快速整流器，针对不连续（临界）模式（DCM）功率因数校正（PFC）进行了优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流可最小化开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。该器件还可用作电源和其他功率开关应用中的续流二极管。

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型号：IDW20C65D2 编号：C535943

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且在不同温度下保持稳定。应用：连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 中的升压二极管

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型号：F4C20120A 编号：C784612

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关。极快的开关速度。正向电压 (VF) 具有正温度系数。应用：开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正 (PFC) 或 DC/DC 级中的升压二极管

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￥15.97
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型号：LSIC2SD065C08A-HXY 编号：C51896242

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，支持8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于较高功率密度的电源系统。其正向压降（VF）为1.4V，在导通状态下具备较低的功率损耗。基于碳化硅材料，该器件具有优异的开关特性，反向恢复时间极短，反向恢复电荷小，有效降低高频开关过程中的能量损耗。该性能特点使其适用于高效率AC-DC电源、连续导通模式的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换模块以及对热性能和空间布局要求较高的紧凑型电源设计。

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型号：VS-3EMH06-M3/5AT 编号：C3014157

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

具有快速恢复时间、低正向压降和软恢复特性的超快恢复整流器。该整流器的平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、坚固性和可靠性。该整流器旨在用于开关电源的交流/直流部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。它们极低的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器的功耗。

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型号：S4D02120A-HXY 编号：C51896243

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其高耐压特性与低导通损耗相结合，有助于提升电路转换效率。器件利用碳化硅材料的优异性能，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关过程中的能量损耗与发热。适用于高效率电源转换拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC变换器及高压整流应用，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子系统。

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型号：VS-8EWL06FNTR-M3 编号：C142567

封装：TO-252-2

品牌：VISHAY(威世)

先进的超快速恢复整流器，具有正向压降、超快速恢复时间和软恢复的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：VS-E4TU2006FP-N3 编号：C2836212

封装：TO-220FP-2

品牌：VISHAY(威世)

超低VF软开关超快整流器，针对不连续（临界）模式（DCM）功率因数校正（PFC）进行了优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流，使开关损耗最小化，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。该器件还可作为电源和其他功率开关应用中的续流二极管。

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型号：IDV30E65D2 编号：C535936

封装：TO-220AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）中的升压二极管

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￥6.3954 ￥9.69
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型号：APT30DQ60BG 编号：C5444767

封装：TO-247-2

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：超快恢复时间。软恢复特性。低正向电压。低泄漏电流。雪崩能量额定。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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型号：IDW40E65D1 编号：C535956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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￥4.8928 ￥11.12

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型号：VS-15EWH06FNTR-M3 编号：C17428100

封装：D-PAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

具有超快恢复时间、低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，正向压降、恢复时间和软恢复性能经过优化的超快恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。可用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管，其优化的存储电荷和低恢复电流可降低开关损耗和开关元件及缓冲器的过耗散。

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￥10.46
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￥8.68
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￥7.71

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型号：IDP40E65D2 编号：C535931

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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型号：IDW30E60 编号：C535950

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC标准，适用于目标应用。 600V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。应用：工作范围高达30kHz的PFC应用开关二极管

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￥4.7168 ￥10.72

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型号：IDW30C65D1 编号：C535948

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。采用650V发射极控制技术。关键参数具有温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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￥12.3136 ￥19.24
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￥5.1656 ￥11.74

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型号：FFSM1065B-HXY 编号：C51896366

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关速度和高温工作能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗。适用于高效率电源转换电路，如功率因数校正（PFC）模块、开关模式电源（SMPS）、直流-直流变换器及逆变装置。其高耐压与低导通损耗特性有助于提升系统能效，支持紧凑型、高功率密度的电路设计需求。

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型号：IDV15E65D2 编号：C535934

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气隔离的FullPAK，便于高效组装。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。应用：CCM PFC中的升压二极管

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￥5.0816 ￥7.94
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￥2.2528 ￥5.12
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￥2.024 ￥4.6

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型号：VS-30ETH06-M3 编号：C468083

封装：TO-220AC-2

品牌：VISHAY(威世)

具有优化的正向压降、超快速恢复时间和软恢复性能的超快速恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源AC/DC部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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￥8.39
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型号：VS-15ETX06FP-N3 编号：C17443405

封装：TO-220-2

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超快速恢复整流器，在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源交流/直流部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。

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型号：C4D40120D 编号：C5200733

封装：TO-247-3

品牌：CREE LED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关开关。极快的开关速度。用单极整流器替代双极整流器。应用：开关电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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￥128.58
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￥122.97
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￥113.25

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型号：VS-4EVH02-M3/I 编号：C17560334

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

先进的超快恢复整流器,在正向压降和超快恢复时间方面具有优化的性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级,或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗。

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￥2.39
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￥1.86
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型号：VS-8EWH06FNTRL-M3 编号：C7436817

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

采用先进技术的超快速恢复整流器，在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制确保了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压阶段，或作为续流二极管使用。其极优化的存储电荷和低恢复电流可将开关损耗降至最低，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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￥3.84
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￥3.75
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￥3.7

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型号：VS-HFA08TB60S-M3 编号：C506536

封装：D2PAK

品牌：VISHAY(威世)

是一款先进的超快恢复二极管。采用最新的外延结构和先进的加工技术，具有卓越的特性组合，其性能是以往任何整流器都无法比拟的。基本额定值为600 V和8 A连续电流，特别适合作为IGBT和MOSFET的配套二极管。除了超快恢复时间外，该产品线的峰值恢复电流（IRRM）极低，并且在恢复的tb部分不会出现“快速关断”的趋势。这些特性为设计人员提供了一种整流器，在二极管和开关晶体管中具有更低的噪声和显著更低的开关损耗。这些优势有助于显著减少缓冲、元件数量和散热器尺寸。非常适合用于电源（PFC升压二极管）和功率转换系统（如逆变器）、电机驱动器以及许多其他需要高速、高效率的类似应用。

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￥5.16
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￥4.11
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￥3.58

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型号：APT40DQ120BG 编号：C17315482

封装：TO-247

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：超快恢复时间。软恢复特性。低正向电压。低泄漏电流。雪崩能量额定。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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￥16.19
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￥15.63

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型号：VS-10CWH02FN-M3 编号：C2983562

封装：TO-252AA

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超快速恢复整流器，在正向电压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压阶段，或作为续流二极管使用。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器的过耗散。

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1+
￥5.84
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￥4.25
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型号：VS-4ECH06-M3/9AT 编号：C143051

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

具有超快恢复时间、正向压降和软恢复的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源交流/直流部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大程度地减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器中的功耗。

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1+
￥3.56
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￥2.9
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￥2.57

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型号：VS-15EWX06FNTR-M3 编号：C143663

封装：TO-252-2

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超快恢复整流器，在正向压降、超快恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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