SEMTECH二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SLP1006-2

TVS二极管专为汽车应用而设计，并符合AEC-Q100 3级标准。与其他技术相比，它们具有卓越的电气特性，如较低的钳位电压和无器件性能退化。旨在保护敏感半导体组件免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）的损坏或干扰。采用专有EPD工艺技术构建

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型号：RCLAMP0504N.TCT 编号：C371095

封装：SLP2020-6

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。RClamp系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过电压影响。RClamp系列器件的独特设计在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容导向二极管和一个TVS二极管。在瞬态情况下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。内部TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游组件。RClampTM0504N的典型电容低至3pF，在高达1GHz的频率下几乎无插入损耗。这使得该器件非常适合保护高速数据线，如USB 2.0、Firewire、DVI和千兆以太网接口。RClamp0504N采用6引脚、符合RoHS标准的SLP2020P6封装。其尺寸为2.0×2.0×0.60mm。引脚间距为0.5mm，采用无铅NiPdAu镀层。每个器件可用于保护四条高速数据或传输线路。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准第4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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型号：SDC36C.TCT 编号：C3714795

封装：SOT-23-3

品牌：SEMTECH

SDC36是一款高浪涌瞬态电压抑制器（TVS），专为保护接近开关和工业控制应用中的敏感数字传感器而优化。SDC36可保护组件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和三次雷击引起的过电压影响。SDC36的独特设计在紧凑的SOT23封装中集成了两个TVS二极管，适用于电路板空间有限的应用

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型号：SR70.TCT 编号：C512378

封装：SOT-143

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。SR70专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过电压影响。SR70经过优化，适用于ADSL和其他高速接口。SR70的独特设计在低矮型SOT - 143封装中集成了四个浪涌额定、低电容导向二极管。其典型电容仅为5pF，可用于保护两条高速线路，同时不影响信号完整性。SR70旨在取代那些未针对电信应用中常见的高能浪涌进行额定的“标准”整流器。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。受保护电路所承受的最大钳位电压将比电源（参考）电压高一个二极管压降（VF）。SR70可作为独立器件使用，也可与TVS二极管配合使用，以增强保护效果。

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型号：LCDA12C-1.TCT 编号：C1974090

封装：SOT-143

品牌：SEMTECH

LCDAxxC - 1是一款低电容瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列。它旨在保护敏感的CMOS集成电路免受静电放电（ESD）和雷击的损害。每个器件可在共模（线对地）模式下保护一条线路，或在差分模式（线对线）下保护一对线路

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型号：SD15C.TCT 编号：C780130

封装：SOD-323

品牌：SEMTECH

SDxxC TVS二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。与MLV相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压，且器件不会老化。SDxxC系列TVS二极管旨在保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压瞬变事件的损坏或干扰。SDxxC采用SOD - 323封装，可保护一条双向线路。其工作电压为5 - 24伏。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。在不适合使用阵列的应用中，它们为设计人员提供了保护单条线路的灵活性。此外，在电路板空间有限的应用中，可将其“分散”布置在电路板周围。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求（4级，±15KV空气放电、±8KV接触放电）。

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型号：UCLAMP3331ZATFT 编号：C1974245

封装：0201

品牌：SEMTECH

µClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受因ESD造成的损坏或闭锁。它们旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和其他便携式电子设备）中的多层压敏电阻（MLV）。TVS二极管具有用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。µClamp3331ZA具有极佳的ESD保护特性，其特点是极低的动态电阻、低峰值ESD钳位电压和高ESD耐受电压（根据IEC 61000 - 4 - 2标准，接触放电+/-30kV）。每个器件可保护一条工作电压为3.3伏的数据或电源线。µClamp3331ZA采用2引脚SLP0603P2X3F封装，尺寸为0.6x0.3毫米，标称高度仅为0.25毫米。引脚采用镍金镀层。这种小封装使设计人员能够灵活地在不适合使用阵列的应用中保护单条线路。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于手机和可穿戴设备等便携式应用。

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型号：STF203-22.TCT 编号：C7541214

封装：SC-70-6

品牌：SEMTECH

是一款组合式EMI滤波器和线路终端设备，集成了用于上游USB端口的TVS二极管。采用专有技术构建，允许将无源元件和TVS二极管集成在同一封装中。每个设备将为一个上游USB端口提供终端、滤波和ESD保护，是满足通用串行总线规范1.1版要求的易于实施的解决方案。线路终端通过USB D+和D-线上的串联电阻实现

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型号：SM12.TCT 编号：C85196

封装：SOT-23

品牌：SEMTECH

SM系列瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护连接到数据和传输线路的组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。双结共阳极设计允许用户保护一条双向数据线或两条单向线路。低矮的SOT23封装为“拥挤”电路板的设计提供了灵活性。SM系列符合IEC 61000 - 4 - 2（原IEC 801 - 2）4级“人体模型”的空气和接触放电浪涌要求。

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型号：SRDA3.3-4.TBT 编号：C512380

封装：SO-8

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS 阵列是低电容 ESD 保护器件，旨在保护敏感元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击浪涌引起的过电压影响。它们具备适合电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能下降的情况。其独特设计在单个封装中集成了浪涌额定低电容导向二极管和一个 TVS 二极管

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型号：SM15.TCT 编号：C85195

封装：SOT-23

品牌：SEMTECH

SM系列瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护连接到数据和传输线路的组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。双结共阳极设计允许用户保护一条双向数据线或两条单向线路。薄型SOT23封装为“拥挤”电路板的设计提供了灵活性。SM系列将满足IEC 61000 - 4 - 2（原IEC 801 - 2）4级空气和接触放电“人体模型”的浪涌要求。

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型号：RCLAMP2431T.TCT 编号：C6966391

封装：0402

品牌：SEMTECH

RailClamp瞬态电压抑制（TVS）二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。RClamp2431T的典型电容仅为0.35pF。这使得它可用于Wi-Fi、射频识别（RFID）和其他工作频率超过3GHz的电路，且不会造成信号衰减

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型号：RCLAMP2504P.TCT 编号：C1975485

封装：SLP1616-6

品牌：SEMTECH

RailClamp是一种低电容TVS阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。该单片设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容转向二极管和TVS二极管。每条线路对地的最大电容 < 0.8pF

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型号：LCDA15C-1.TCT 编号：C1976706

封装：SOT-143

品牌：SEMTECH

LCDAxxC - 1是一款低电容瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列。它旨在保护敏感的CMOS集成电路免受静电放电（ESD）和雷击的损害。每个器件可在共模（线对地）模式下保护一条线路，或在差分模式（线对线）下保护一对线路

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型号：ECLAMP2410P.TCT 编号：C132250

封装：SLP4016P16

品牌：SEMTECH

EClampTM2410P是一款集成了TVS二极管的组合式EMI滤波器和线路终端设备，适用于多媒体卡接口。这款先进的设备采用固态硅雪崩技术，具有卓越的钳位性能和直流电气特性。它经过优化，可用于保护手机和其他便携式电子设备中的TFlash/MicroSD接口。该设备由六个电路组成，包括SD规范要求的串联阻抗匹配电阻和上拉电阻。每条线路上都集成了TVS二极管，用于ESD保护。此外，还设有一个额外的TVS二极管连接，用于保护电压（Vdd）总线。DAT0、DAT1、DAT2、DAT3、CMD和CLK线路上的终端电阻值为45欧姆。DAT0、DAT1、DAT2和CMD线路上的上拉电阻为15k欧姆，而DAT3线路上的上拉电阻为50k欧姆。这些电阻可针对工作在SD或SPI模式的设备进行配置。根据IEC 61000 - 4 - 2标准4级要求，TVS二极管可有效抑制超过±15KV（空气放电）和±8KV（接触放电）的ESD电压。EClamp2410P采用16引脚、符合RoHS/WEEE标准的SLP4016P16封装。其尺寸为4.0×1.6×0.58mm。引脚间距为0.5mm，采用无铅NiPd镀层。

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型号：UCLAMP0561P.TNT 编号：C3655577

封装：SLP1608-2

品牌：SEMTECH

TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受EOS、闪电、CDE和ESD的损坏或闭锁。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具有快速响应时间、低工作和钳位电压以及无器件退化等理想特性，适用于板级保护。xx61P系列设计用于恶劣的瞬态环境

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型号：SRDA05-6.TBT 编号：C1973020

封装：SOIC-8

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS阵列是低电容ESD保护器件，旨在保护敏感组件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌引起的过电压影响。它为电路板级保护提供了理想的特性，包括快速响应时间、低工作和钳位电压，且无器件老化问题。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和TVS二极管集成在一个封装中。在瞬态条件下，转向二极管通过内部低压TVS将瞬态电流导向接地

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型号：UCLAMP5011ZATFT 编号：C3706724

封装：0201

品牌：SEMTECH

μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受ESD损坏或闩锁。它旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品）中0201尺寸的多层压敏电阻（MLV）。它具有大截面积结，可传导高瞬态电流。该器件为电路板级保护提供了理想的特性，包括快速响应时间、低工作和钳位电压，且无器件老化问题

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型号：UCLAMP1211Z.TFT 编号：C1979657

封装：0201

品牌：SEMTECH

μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受ESD造成的损坏或闩锁。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具有快速响应时间、低工作和钳位电压以及无器件老化等理想特性，适用于板级保护。

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型号：UCLAMP3304A.TCT 编号：C842827

封装：SOT-666-6

品牌：SEMTECH

μClamp™系列瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏或闩锁效应影响。它们专为电路板空间有限的应用而设计。每个器件所需的印刷电路板（PCB）面积小于2.9mm²，可保护多达四条线路

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型号：RCLAMP1255P.TGT 编号：C1976497

封装：DFN2018-6-EP

品牌：SEMTECH

TVS阵列是低电容ESD保护器件，旨在保护高速数据接口。提供专用的浪涌和ESD保护，适用于uUSB端口。该器件采用低电容TVS二极管，可保护工作电压高达±4V的USB数据（DP、DM）和USB ID引脚。这些二极管可根据IEC 61000-4-2标准提供±10kV接触放电的ESD保护

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型号：SMDA24C.TBT 编号：C3711194

封装：SO-8

品牌：SEMTECH

该系列 TVS 阵列旨在为敏感电子设备提供双向保护，防止因 ESD、闪电和其他电压引起的瞬态事件造成损坏或锁存。每个器件可保护四条数据或 I/O 线，工作电压为 5V、12V、15V 和 24V。TVS 二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件，具有快速响应时间、低工作和钳位电压以及无器件老化等特性。低外形 SO-8 封装允许用户用一个封装保护多达四条独立线路。该系列适用于保护敏感半导体组件，如微处理器、ASIC、收发器、传感器和 CMOS 存储器。该系列器件可满足 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 抗扰度要求，适用于空气和接触放电 4 级。

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型号：RCLAMP1851ZATFT 编号：C1975102

封装：0201

品牌：SEMTECH

TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）造成的损坏或闩锁效应。它们被设计用于替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和其他便携式电子设备）中的多层压敏电阻（MLV）。该器件具备用于电路板级保护的理想特性，包括响应时间快、工作电压和钳位电压低，且不会出现器件性能退化

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型号：RCLAMP0534N.TCT 编号：C512370

封装：UDFN-10-EP

品牌：SEMTECH

RailClamp® 瞬态电压抑制（TVS）二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）导致的过电压损坏。其独特设计将具有浪涌额定值的低电容转向二极管和一个 TVS 二极管集成在单个封装中。这使得该器件能够吸收大量能量，同时保护下游元件免受有害瞬态事件的影响

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型号：ECLAMP2465T.TCT 编号：C6029984

封装：XFDFN-8-EP

品牌：SEMTECH

是一款集成了TVS二极管的EMI滤波器和线路终端设备，用于手机和其他便携式电子设备的SIM卡接口。该设备采用固态硅雪崩技术，具有出色的钳位性能和直流电气特性。它由三个电路组成，包括用于SIM卡接口正确端接的串联阻抗匹配电阻。复位和数据线的端接电阻值为100欧姆，时钟线的端接电阻值为47欧姆

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型号：RCLAMP1224S.TCT 编号：C3711096

封装：SOT-23-6L

品牌：SEMTECH

TVS阵列是超低电容ESD保护器件，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到高速数据和传输线的敏感组件，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。这些设备将低电容、浪涌额定补偿二极管与高功率瞬态电压抑制器（TVS）集成在一起。器件的电容限制在最大3pF，以确保高速线路上的正确信号传输。

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型号：UCLAMP1871P.TNT 编号：C1973604

封装：SGP1610-2

品牌：SEMTECH

μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备，避免其因电气过应力（EOS）、雷击、电缆放电事件（CDE）和静电放电（ESD）而损坏或发生闩锁。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具备出色的板级保护特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。μmxpxx71P系列采用2引脚SGP1610N2封装，尺寸为1.6×1.0 mm，标称高度为0.57 mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。它们可用于保护5V、8V、10V、12V、15V、18V、22V、26V和36V系统。其特点是具有高浪涌电流能力和低钳位电压，非常适合在恶劣的瞬态环境中使用。

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型号：SD12.TCT 编号：C85199

封装：SOD-323

品牌：SEMTECH

SDxx 系列 TVS 二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。与 MLV 相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压且无器件性能退化问题。SDxx 系列 TVS 二极管旨在保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压瞬变事件造成的损坏或故障。

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型号：RCLAMP0502N.TCT 编号：C132255

封装：SLP1210-6

品牌：SEMTECH

RailClamp系列是一系列超低电容TVS阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。它们适用于电路板空间有限的应用场景。每个器件所需的PCB面积小于1.2 mm²，可保护多达两条高速数据线。该单片设计在单个封装中集成了具有浪涌额定值的低电容转向二极管和一个TVS二极管。每条线路与地之间的典型电容小于0.5 pF。每条线路的电容匹配良好，可确保信号平衡一致。提供与TVS的连接，用于保护外部电压总线，例如USB应用中的电压总线。该器件针对便携式电子设备的ESD保护进行了优化。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级（±15 kV空气放电、±8 kV接触放电）的ESD抗扰度要求。RClamp0502N采用6引脚、符合RoHS/WEEE标准的SLP1210N6封装。其尺寸为1.2×1.0×0.58 mm。这种小封装使其非常适合用于手机、笔记本电脑和数码相机等便携式电子设备。

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型号：RCLAMP0532T.TCT 编号：C1667678

封装：SLP1610-4

品牌：SEMTECH

是一款高性能 TVS 阵列，旨在保护两条差分线路免受 ESD、闪电、CDE（电缆放电事件）和 EFT（电快速瞬变）引起的过电压事件的影响。具有高浪涌电流能力，可用于保护 MagJacks 中的以太网接口、通信设备、安全摄像头和工业设备。集成了低电容、浪涌额定转向二极管和高功率瞬态电压抑制器 (TVS)。TVS 采用回扫或“撬棒”技术，以最小化器件钳位电压，并具有 10A（tp = 8/20us）的高浪涌电流能力

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