SEMTECH二极管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：JTXV1N5822US 编号：C3758860

封装：-

品牌：SEMTECH

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￥843.53
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￥326.44
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￥314.97
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￥309.3

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型号：SBMC6 编号：C3590621

封装：SIP-4

品牌：SEMTECH

1+
￥899.66
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￥348.16
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￥335.93
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￥329.88

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型号：SBMC6F 编号：C3590786

封装：SIP-4

品牌：SEMTECH

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型号：SET100203 编号：C21715703

封装：-

品牌：SEMTECH

1+
￥3320.9
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￥3118.99
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￥3014.77
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￥2963.27

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型号：SCBH15FF 编号：C5885527

封装：-

品牌：SEMTECH

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￥3538.14
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￥1411.75
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￥1364.57
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￥1341.26

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型号：SCDAS6 编号：C21936455

封装：-

品牌：SEMTECH

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￥6078.56
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￥5708.99
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￥5518.21
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￥5423.95

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型号：S1KW48C-6N 编号：C21966022

封装：-

品牌：SEMTECH

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￥16861.27
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￥15836.11
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￥15306.93
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￥15045.45

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型号：RCLAMP3374N.TCT 编号：C512373

封装：SMD,3x2mm

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp3374N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网（GbE）保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用的高风险环境中。RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低箝位电压，并显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。RClamp3374N采用10引脚的SLP3020N10封装。尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。

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￥5.2
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￥4.14
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￥3.61
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￥3.08
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￥2.77
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￥2.61

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型号：RCLAMP2574N.TCT 编号：C1974050

封装：SLP3020-10

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp2574N旨在替代多达两个用于板级GbE保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于高风险环境中的应用，如千兆以太网、电信线路和LVDS接口。RClamp2574N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低关断电压，同时显著降低漏电流和电容。它具有2.5伏的真实工作电压，可提供卓越的保护。RClamp2574N采用10引脚SLP3020N10封装。尺寸为3.0x2.0x0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。

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￥9.57
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￥7.06
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￥6.05
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￥5.61
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￥5.4

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型号：SR3.3.TCT 编号：C512377

封装：SOT-143

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。SR系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和三级雷击引起的过电压影响。SR系列器件的独特设计在单个封装中集成了四个浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管。TVS二极管采用Semtech专有的低压EPD技术制造，在3.3伏电压下具有卓越的电气特性。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。内部TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游元件。低电容阵列配置使用户能够保护两条高速数据或传输线路。低电感结构可在高电流浪涌期间将电压过冲降至最低。

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1+
￥8.6
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￥7.14
30+
￥6.34
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￥5.44
500+
￥5.04
1000+
￥4.86

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型号：UCLAMP3311Z.TFT 编号：C512390

封装：0201

品牌：SEMTECH

μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）造成的损坏或闩锁效应。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具备板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。μAClamp33112采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低耐受电压，并显著降低泄漏电流和电容。与传统的pn结器件相比，它们的实际工作电压为3.3伏，可提供更出色的保护。μClamp3311Z采用2引脚SLP0603P2X3A封装。其尺寸为0.62×0.32毫米，标称高度仅为0.25毫米。引脚采用无铅镍金镀层。每个器件可保护一条工作电压为3.3伏的线路。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护单条线路。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和平板电脑。

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5+
￥1.3887
50+
￥1.1367
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￥1.0287
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￥0.8939

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型号：UCLAMP2512T.TCT 编号：C117931

封装：SLP2010-8

品牌：SEMTECH

μClamp2512T TVS 二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。其旨在保护敏感的 PHY 芯片，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障影响。μClamp2512T 采用 Semtech 的低压 EPD 工艺技术制造

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50+
￥8.035063
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￥6.592872
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￥5.384179
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￥4.61501

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型号：UCLAMP3312T.TCT 编号：C512391

封装：SLP2010-8

品牌：SEMTECH

μClamp®3312T TVS二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。其旨在保护敏感的PHY芯片，避免因静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）而受损或出现故障。μClamp3312T采用Semtech的低压EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低工作电压，并显著降低泄漏电流和电容。该器件在偏置下电容变化小，可确保GbE线路稳定运行。这意味着在PHY温度高达120℃（100M Cat 5/5e电缆）的情况下，μClamp3312T不会在GbE接口上引入任何通信帧错误。μClamp3312T还具备高浪涌能力，设计用于放置在磁体和PHY芯片之间。在此配置下，该器件可承受符合Telcordia GR - 1089标准的建筑物内雷击浪涌。μClamp3312T采用8引脚SLP2010N8T封装，尺寸为2.0×1.0×0.4 mm。引脚间距为0.5 mm，采用无铅NiPdAu镀层。每个器件可保护两对工作在3.3伏的线路。这使设计人员在空间有限的应用中能够灵活地保护多条线路。uClamp3312T尺寸小且易于布局，非常适合用于集成磁体的RJ - 45连接器。

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10+
￥4.5765
100+
￥4.407
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￥4.068
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￥3.8985
2000+
￥3.7968

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型号：RCLAMP3304N.TCT 编号：C144150

封装：DFN-10-EP(2.6x2.6)

品牌：SEMTECH

RailClamp® 是一款低电容 TVS 阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专为保护连接到数据和传输线路的敏感组件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和雷击引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和 TVS 二极管集成在一个封装中。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流导向接地。内部 TVS 二极管将瞬态电压钳位到安全水平。低电容阵列配置允许用户保护多达四条高速数据线。RClamp®3304N 和 RClamp®2504N 采用 Semtech 专有的 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD 工艺提供了低关断电压，同时显著降低了漏电流和电容。它们具有 2.5 伏和 3.3 伏的真实工作电压，提供卓越的保护性能。这些器件采用 10 引脚、符合 RoHS/WEEE 标准的 SLP2626P10 封装。高浪涌能力（10p = 25A，tp = 8/20μs）意味着它可用于千兆以太网、电信线路和数字视频等应用的高风险环境。

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单价：
￥3.033885 / 个

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型号：RCLAMP0504FATCT 编号：C132258

封装：SC-70-6L

品牌：SEMTECH

RailClamp低电容TVS阵列旨在保护高速数据接口。该系列专为保护连接到数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容的导向二极管和一个TVS二极管。这使得该器件能够吸收大量能量，同时保护下游元件免受有害瞬态事件的影响。RClampOE04FA采用6引脚SC-70封装。引脚采用无铅哑光锡镀层。它们可用于满足IEC 61000-4-2标准4级（15kV空气放电、8kV接触放电）的ESD抗扰度要求。小尺寸、低电容和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于USB 2.0、多媒体卡和视频接口等应用。

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5+
￥1.5888
50+
￥1.2511
150+
￥1.1064
500+
￥0.9258
3000+
￥0.8454
6000+
￥0.7972

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型号：LCDA05.TBT 编号：C132254

封装：SOIC-8

品牌：SEMTECH

LCDA系列瞬态电压抑制（TVS）阵列旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闩锁。每个器件可保护两条高速线路。它们有5V、12V、15V和24V的工作电压可选。这些器件为双向器件，可用于信号极性高于和低于地的线路。TVS二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有适用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。LCDA系列器件的特点是将低电容补偿二极管与标准TVS二极管串联，为高速接口提供集成的低电容解决方案。

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1+
￥9.21
10+
￥7.73
30+
￥6.91
100+
￥5.99
500+
￥5.58
1000+
￥5.4

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型号：UCLAMP0571P.TNT 编号：C512387

封装：SGP1610-2

品牌：SEMTECH

μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备，避免其因电气过应力（EOS）、雷击、电缆放电事件（CDE）和静电放电（ESD）而损坏或发生闩锁。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具备出色的板级保护特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。μmxpxx71P系列采用2引脚SGP1610N2封装，尺寸为1.6×1.0 mm，标称高度为0.57 mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。它们可用于保护5V、8V、10V、12V、15V、18V、22V、26V和36V系统。其特点是具有高浪涌电流能力和低钳位电压，非常适合在恶劣的瞬态环境中使用。

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5+
￥1.7556
50+
￥1.3626
150+
￥1.1942
500+
￥0.984
2500+
￥0.8905
5000+
￥0.8343

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型号：RCLAMP0512TQTCT 编号：C512369

封装：SMD-3P,1x0.6mm

品牌：SEMTECH

RClamp0512TQ专为高速端口提供二次浪涌和ESD保护而设计。RClamp0512TQ将低电容、浪涌额定转向二极管与高功率瞬态电压抑制器（TVS）集成在一起。该TVS采用回滞或“撬棒”技术，以最小化器件钳位电压，并具有20A（tp = 8/20us）的高浪涌电流能力。其ESD特性表现为高ESD耐受电压（根据IEC 61000 - 4 - 2标准为+/-30kV）和极低的动态电阻（典型值为0.075欧姆）。每个器件可保护两条工作在5伏的线路，并且符合汽车应用的AEC - Q100 1级标准（-40至+125℃）。RClamp0512TQ采用3引脚SGP1006N3T封装。其尺寸为1.0×0.6mm，标称高度仅为0.4mm。引脚采用无铅镍金镀层。直插式封装设计简化了PCB布局。

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.16
30+
￥1.92
100+
￥1.6
500+
￥1.46
1000+
￥1.38

有货

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型号：RCLAMP0542ZATFT 编号：C1981685

封装：0201

品牌：SEMTECH

RClamp 0542ZA 是一款超低电容的静电放电（ESD）保护器件，旨在以 0201 封装尺寸保护两条高速线路。这种创新的封装设计与现有的单线解决方案相比，可将电路板空间需求降低 50%以上。RClamp 0542ZA 是一款三引脚器件，每个引脚都连接有相同的低电容瞬态电压抑制（TVS）二极管

10+
￥0.2528
100+
￥0.2228
300+
￥0.2078
1000+
￥0.1965
5000+
￥0.1875
15000+
￥0.183

有货

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型号：UCLAMP3301P.TCT 编号：C117559

封装：SLP1006-2

品牌：SEMTECH

A钳位瞬态电压抑制（TVS）二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。与MLV相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压，且不会出现器件性能退化的问题。这些二极管旨在保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障影响。

数据手册

5+
￥1.7367
50+
￥1.3531
150+
￥1.1887
500+
￥0.9835
3000+
￥0.8922
6000+
￥0.8374

有货

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型号：RCLAMP0504S.TCT 编号：C132260

封装：SOT-23-6L

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个瞬态电压抑制（TVS）二极管集成在单个封装中。在瞬态情况下，转向二极管将瞬态电流导向电源线的正极或接地。内部的TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游元件。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。低电感结构可在大电流浪涌期间将电压过冲降至最低。该器件针对便携式电子设备的静电放电保护进行了优化。它们可用于满足IEC 61000-4-2标准（4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电）的静电放电抗扰度要求。

数据手册

5+
￥1.9213
50+
￥1.5181
150+
￥1.3453
500+
￥1.1297
3000+
￥1.0337
6000+
￥0.976

有货

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型号：RCLAMP3354S.TCT 编号：C441850

封装：SOT-23-5L

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.71
500+
￥1.41
1000+
￥1.33

有货

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型号：SD05C.TCT 编号：C85200

封装：SOD-323

品牌：SEMTECH

SDxxC TVS二极管旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。与MLV相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压，且不会出现器件性能退化的问题。SDxxC系列TVS二极管用于保护敏感半导体元件，避免其因静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。SDxxC采用SOD - 323封装，可保护一条双向线路。其工作电压为5 - 24伏。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。在不适合使用阵列的应用中，它们为设计人员提供了保护单条线路的灵活性。此外，在电路板空间有限的应用中，可将其“分散”布置在电路板各处。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2（4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

数据手册

5+
￥2.45
50+
￥1.95
150+
￥1.73
500+
￥1.29
3000+
￥1.17
6000+
￥1.1

有货

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型号：RCLAMP3331ZATFT 编号：C1973025

封装：0201

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS二极管是超低电容器件，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和电气过应力（EOS）造成的损坏或闩锁。它们专为手机、笔记本电脑等便携式电子产品中的高速端口设计。这些器件具有出色的电路板级保护特性，包括响应时间快、工作电压和钳位电压低，且不会出现器件性能下降的情况

5+
￥1.3523
50+
￥1.0668
150+
￥0.9445
500+
￥0.7919
2500+
￥0.7239
5000+
￥0.6832

有货

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型号：SRV05-4ATCT 编号：C371093

封装：SOT-23-6

品牌：SEMTECH

RailClamp低电容TVS阵列旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容的导向二极管和一个TVS二极管。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。内部TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游元件。SRV05 - 4A采用6引脚SOT - 23封装。引脚采用无铅哑光镀锡工艺。每个器件最多可保护四条高速线路。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。小尺寸、低电容和高浪涌能力的结合使其非常适合用于10/100以太网、USB 2.0和视频接口等应用。

数据手册

5+
￥1.4678
50+
￥1.1553
150+
￥1.0214
500+
￥0.8543
3000+
￥0.7799
6000+
￥0.7353

有货

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型号：SM24.TCT 编号：C85194

封装：SOT-23

品牌：SEMTECH

SM系列瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护连接到数据和传输线路的组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。双结共阳极设计允许用户保护一条双向数据线或两条单向线路。低矮的SOT23封装为“拥挤”电路板的设计提供了灵活性。SM系列将满足IEC 61000 - 4 - 2（原IEC 801 - 2）4级空气和接触放电“人体模型”的浪涌要求。

数据手册

1+
￥2.15
10+
￥1.7577 ￥1.89
30+
￥1.4774 ￥1.78
100+
￥1.3529 ￥1.63
500+
￥1.3031 ￥1.57
1000+
￥1.2699 ￥1.53

有货

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型号：RCLAMP3304P.TCT 编号：C371094

封装：SLP1616-6

品牌：SEMTECH

RailClamp是一款低电容TVS（瞬态电压抑制）阵列，专为保护高速数据接口而设计。该系列产品专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。其采用单片式设计，在单个封装中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和一个TVS二极管

数据手册

5+
￥2.7264
50+
￥2.2611
150+
￥2.0617
500+
￥1.7469
3000+
￥1.6361
6000+
￥1.5696

有货

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型号：UCLAMP2804L.TCT 编号：C512389

封装：SO-8

品牌：SEMTECH

μClamp®2804L TVS二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。它们旨在保护敏感的PHY芯片，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障影响。

数据手册

1+
￥10.22
10+
￥8.71
30+
￥7.76
100+
￥6.78
500+
￥6.34
1000+
￥6.15

有货

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型号：RCLAMP0504F.TCT 编号：C132257

封装：SC-70-6L

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专为保护连接到数据和传输线路的敏感组件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在一个封装中。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。内部TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游组件。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。低电感结构可在高电流浪涌期间将电压过冲降至最低。该器件针对便携式电子设备的ESD保护进行了优化。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2（4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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型号：SMDA15C.TBT 编号：C558862

封装：SO-8

品牌：SEMTECH

SMDAxxC系列TVS阵列旨在为敏感电子设备提供双向保护，防止其因ESD、雷击和其他电压引起的瞬态事件而损坏或发生闩锁。每个器件可保护四条数据或I/O线路。它们有5V、12V、15V和24V的工作电压可供选择。TVS二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有适用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且器件不会老化。薄型SO - 8封装允许用户用一个封装保护多达四条独立线路。SMDAxxC系列适用于保护敏感半导体组件，如微处理器、ASIC、收发器、传感器和CMOS存储器。SMDAxxC系列器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准中空气和接触放电4级的ESD抗扰度要求。

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