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首页 > 热门关键词 > Slkor二极管
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特性:Trench Power LV MOSFET技术。 高密度单元设计,实现低RDS(ON)。 高速开关。应用:电池保护。 负载开关
数据手册
  • 10+

    ¥0.1316 ¥0.329
  • 100+

    ¥0.10472 ¥0.2618
  • 300+

    ¥0.09128 ¥0.2282
  • 3000+

    ¥0.07784 ¥0.1946
  • 6000+

    ¥0.06976 ¥0.1744
  • 9000+

    ¥0.06576 ¥0.1644
  • 有货
  • SLESD0301L是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。SLESD0301L典型电容为0.4pF,用于保护对寄生效应敏感的系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变脉冲群 - EFT)(40A,5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。SLESD0301L采用超小型DFN1006封装。每个SLESD0301L器件可保护一条高速数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等特性的结合,使SLESD0301L非常适合高速数据端口和高频线路应用,如手机和高清视觉设备。
    • 20+

      ¥0.1344
    • 200+

      ¥0.1047
    • 600+

      ¥0.0882
    • 2000+

      ¥0.0783
    • 10000+

      ¥0.0697
    • 20000+

      ¥0.0651
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    • 20+

      ¥0.1442
    • 200+

      ¥0.1123
    • 600+

      ¥0.0946
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    • 9000+

      ¥0.0748
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      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    • 20+

      ¥0.1442
    • 200+

      ¥0.1123
    • 600+

      ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    • 20+

      ¥0.1442
    • 200+

      ¥0.1123
    • 600+

      ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 10/1000μs波形下200W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比)为0.01%。 保证高温焊接:260°C/10秒,在引脚处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1477
    • 200+

      ¥0.1159
    • 600+

      ¥0.0982
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1483
    • 200+

      ¥0.1164
    • 600+

      ¥0.0987
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1529
    • 200+

      ¥0.121
    • 600+

      ¥0.1033
    • 3000+

      ¥0.0828
    • 9000+

      ¥0.0736
    • 21000+

      ¥0.0687
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1547
    • 200+

      ¥0.1228
    • 600+

      ¥0.1051
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • SLESD5471S旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他电路板空间宝贵的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高速线路等高频设计。该器件专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    • 20+

      ¥0.15624 ¥0.1953
    • 200+

      ¥0.12256 ¥0.1532
    • 600+

      ¥0.10384 ¥0.1298
    • 3000+

      ¥0.09256 ¥0.1157
    • 9000+

      ¥0.08288 ¥0.1036
    • 21000+

      ¥0.0776 ¥0.097
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1585
    • 200+

      ¥0.1266
    • 600+

      ¥0.1089
    • 3000+

      ¥0.0927
    • 9000+

      ¥0.0835
    • 21000+

      ¥0.0785
  • 有货
  • SLESDA6V1L是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护连接到数据和传输线路的组件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击的影响。使用IEC61000 - 4 - 2空气放电方法时,所有引脚均能承受30kV的ESD脉冲。
    • 20+

      ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1042
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0824
    • 21000+

      ¥0.0769
  • 有货
  • 场效应管
    • 20+

      ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1042
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0824
    • 21000+

      ¥0.0769
  • 有货
  • SLLC23T5V2U是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列,旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。
    • 20+

      ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1042
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0824
    • 21000+

      ¥0.0769
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计
    • 20+

      ¥0.16616 ¥0.2077
    • 200+

      ¥0.12944 ¥0.1618
    • 600+

      ¥0.10904 ¥0.1363
    • 3000+

      ¥0.0968 ¥0.121
    • 9000+

      ¥0.08616 ¥0.1077
    • 21000+

      ¥0.08048 ¥0.1006
  • 有货
  • 场效应管
    • 20+

      ¥0.1759
    • 200+

      ¥0.1371
    • 600+

      ¥0.1155
    • 3000+

      ¥0.1025
    • 9000+

      ¥0.0913
    • 21000+

      ¥0.0852
  • 有货
  • ESD保护适用于高频应用(HDMI 1.3)。更小的外形尺寸,节省电路板空间。有助于保护电子电路免受静电放电(ESD)事件的损坏。协助设备通过IEC 61000-4-2 4级测试
    • 20+

      ¥0.176
    • 200+

      ¥0.1366
    • 600+

      ¥0.1147
    • 5000+

      ¥0.1015
    • 10000+

      ¥0.0901
    • 20000+

      ¥0.084
  • 有货
  • 采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。具有低电容,典型值为1.0pF,符合IEC61000-4-2(ESD)标准,空气放电±30kV,接触放电±30kV。采用无铅SOD-323封装。小尺寸、低电容和高ESD浪涌保护特性使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。
    • 20+

      ¥0.1778
    • 200+

      ¥0.1394
    • 600+

      ¥0.1181
    • 3000+

      ¥0.1053
    • 9000+

      ¥0.0943
    • 21000+

      ¥0.0883
  • 有货
  • SLCESD3V3D3旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和其他许多电路板空间宝贵的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高速线路等高频设计。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1785
    • 200+

      ¥0.1401
    • 600+

      ¥0.1188
    • 3000+

      ¥0.1011
    • 9000+

      ¥0.09
    • 21000+

      ¥0.084
  • 有货
  • PPP(W) 350 VRWM(V) 3.3 VBR(V) 4 VC(V) 13 IPP(A) 20 IR(uA) 40 CJ(pF) 450
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1862
    • 200+

      ¥0.1475
    • 600+

      ¥0.1261
    • 3000+

      ¥0.1019
    • 9000+

      ¥0.0907
    • 21000+

      ¥0.0847
  • 有货
  • 场效应管
    • 20+

      ¥0.1906
    • 200+

      ¥0.1485
    • 600+

      ¥0.1251
    • 3000+

      ¥0.111
    • 9000+

      ¥0.0989
    • 21000+

      ¥0.0923
  • 有货
  • SLSR05L C 的典型线间电容为 0.6 pF,在高达 3GHz 的频率下具有低插入损耗,可提供更高的信号完整性,非常适合用于 USB 2.0 应用,如数字电视、DVD 播放器、计算机、机顶盒以及移动计算设备中的 MDDI 应用。该器件专门设计用于保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.191 ¥0.4775
    • 100+

      ¥0.1526 ¥0.3815
    • 300+

      ¥0.1334 ¥0.3335
    • 3000+

      ¥0.11132 ¥0.2783
    • 6000+

      ¥0.0998 ¥0.2495
    • 9000+

      ¥0.094 ¥0.235
  • 有货
  • 适用于高压放大器应用
    • 20+

      ¥0.2053
    • 200+

      ¥0.1599
    • 600+

      ¥0.1347
    • 3000+

      ¥0.1196
    • 9000+

      ¥0.1065
    • 21000+

      ¥0.0994
  • 有货
  • 三极管
    • 20+

      ¥0.2087
    • 200+

      ¥0.1612
    • 600+

      ¥0.1348
    • 3000+

      ¥0.1189
    • 9000+

      ¥0.1052
    • 21000+

      ¥0.0978
  • 有货
    • 5+

      ¥0.20896 ¥0.5224
    • 50+

      ¥0.1648 ¥0.412
    • 150+

      ¥0.14272 ¥0.3568
    • 500+

      ¥0.12616 ¥0.3154
    • 3000+

      ¥0.1074 ¥0.2685
    • 6000+

      ¥0.10076 ¥0.2519
  • 有货
  • 特性:领先的沟槽技术,实现低导通电阻。低栅极电荷。应用:视频监视器。电源管理
    数据手册
    • 20+

      ¥0.212
    • 200+

      ¥0.1661
    • 600+

      ¥0.1406
    • 3000+

      ¥0.1202
    • 9000+

      ¥0.107
    • 21000+

      ¥0.0998
  • 有货
  • 该浪涌保护阵列设计用于需要瞬态电压保护能力的应用。它适用于过瞬态电压和静电放电敏感设备,如计算机、打印机、汽车电子、网络通信等应用。该器件采用单片共阳极设计,可在单个SOT363封装中保护五条独立线路。
    • 20+

      ¥0.2128
    • 200+

      ¥0.1669
    • 600+

      ¥0.1414
    • 3000+

      ¥0.1261
    • 9000+

      ¥0.1128
    • 21000+

      ¥0.1057
  • 有货
  • 特性:适用于开关和音频放大器应用。 推荐作为 PNP 晶体管 FMMT593 的互补类型
    数据手册
    • 10+

      ¥0.21448 ¥0.2681
    • 100+

      ¥0.17224 ¥0.2153
    • 300+

      ¥0.15112 ¥0.1889
    • 3000+

      ¥0.12736 ¥0.1592
    • 6000+

      ¥0.11472 ¥0.1434
    • 9000+

      ¥0.10832 ¥0.1354
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2181
    • 200+

      ¥0.1707
    • 600+

      ¥0.1444
  • 有货
  • 特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.223
    • 200+

      ¥0.1755
    • 600+

      ¥0.1491
    • 3000+

      ¥0.1253
    • 9000+

      ¥0.1115
    • 21000+

      ¥0.1042
  • 有货
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