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首页 > 热门关键词 > Slkor二极管
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特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计
  • 50+

    ¥0.0578
  • 500+

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  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0578
    • 500+

      ¥0.0565
    • 3000+

      ¥0.0556
    • 6000+

      ¥0.0547
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  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0578
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      ¥0.0565
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      ¥0.0556
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      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0578
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      ¥0.0565
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      ¥0.0556
    • 6000+

      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0578
    • 500+

      ¥0.0565
    • 3000+

      ¥0.0556
    • 6000+

      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,且几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计。
    • 50+

      ¥0.0578
    • 500+

      ¥0.0565
    • 3000+

      ¥0.0556
    • 6000+

      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0587
    • 500+

      ¥0.0574
    • 3000+

      ¥0.0565
    • 6000+

      ¥0.0556
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,可实现输入正偏置,并几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于器件设计
    • 50+

      ¥0.0606
    • 500+

      ¥0.0592
    • 3000+

      ¥0.0584
    • 6000+

      ¥0.0575
  • 有货
  • SLPE SD 专为保护一条双向数据线免受 ESD 损坏而设计。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.06508 ¥0.1627
    • 200+

      ¥0.05104 ¥0.1276
    • 600+

      ¥0.04324 ¥0.1081
    • 2000+

      ¥0.03856 ¥0.0964
    • 10000+

      ¥0.03452 ¥0.0863
    • 20000+

      ¥0.03232 ¥0.0808
  • 有货
  • 特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
    • 50+

      ¥0.0653
    • 500+

      ¥0.0509
    • 3000+

      ¥0.0429
    • 6000+

      ¥0.038
    • 24000+

      ¥0.0339
    • 51000+

      ¥0.0316
  • 有货
  • 用于开关和放大应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07016 ¥0.0877
    • 500+

      ¥0.05504 ¥0.0688
    • 3000+

      ¥0.04496 ¥0.0562
    • 6000+

      ¥0.03992 ¥0.0499
    • 24000+

      ¥0.03552 ¥0.0444
    • 51000+

      ¥0.0332 ¥0.0415
  • 有货
  • 特性:电容:15pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±25kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±25kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):5A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册
    • 10000+

      ¥0.0288
    • 30000+

      ¥0.0276
    • 90000+

      ¥0.02688
    • 120000+

      ¥0.0264
    采用非常小的SOD323 (SC-76) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条汽车本地互联网络 (LIN) 总线线路免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态影响造成的损坏。
    • 20+

      ¥0.0774
    • 200+

      ¥0.0757
    • 600+

      ¥0.0745
    • 3000+

      ¥0.0734
  • 有货
  • 特性:领先的沟槽技术,实现低导通电阻(RDS(on))。 低栅极电荷。应用:视频监视器。 电源管理
    • 50+

      ¥0.0782
    • 500+

      ¥0.0609
    • 3000+

      ¥0.0513
    • 6000+

      ¥0.0456
    • 24000+

      ¥0.0406
    • 51000+

      ¥0.0379
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与SS8550W互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.08216 ¥0.1027
    • 500+

      ¥0.0644 ¥0.0805
    • 3000+

      ¥0.05456 ¥0.0682
    • 6000+

      ¥0.04872 ¥0.0609
    • 24000+

      ¥0.0436 ¥0.0545
    • 51000+

      ¥0.0408 ¥0.051
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0831
    • 500+

      ¥0.0648
    • 3000+

      ¥0.0546
    • 6000+

      ¥0.0484
    • 24000+

      ¥0.0431
    • 51000+

      ¥0.0403
  • 有货
  • 特性:典型电容值:15pF。小尺寸外形。低漏电流。人体模型3级ESD等级(>16kV)。符合RoHS标准的环保产品。电磁兼容性良好。哑光镀锡(Sn)引脚表面处理
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0876 ¥0.1095
    • 500+

      ¥0.06904 ¥0.0863
    • 1500+

      ¥0.05872 ¥0.0734
    • 10000+

      ¥0.05008 ¥0.0626
    • 20000+

      ¥0.04472 ¥0.0559
    • 50000+

      ¥0.04184 ¥0.0523
  • 有货
  • 特性:集电极电流能力:20mA。 集电极发射极电压:30V
    • 50+

      ¥0.0958
    • 500+

      ¥0.0746
    • 3000+

      ¥0.0629
    • 6000+

      ¥0.0558
    • 24000+

      ¥0.0497
    • 51000+

      ¥0.0464
  • 有货
  • SL6206系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差,具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(70μA Typ.),它们能在输入、输出电压差极小的情况下提300mA的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。由于输入输出间的电压差很小和静态偏置电流很小,这些器件特别适用于希望延长有用电池寿命的电池供电类产品,如计算机、消费类产品和工业设备等。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0976
    • 500+

      ¥0.076
    • 3000+

      ¥0.0616
    • 6000+

      ¥0.0544
    • 24000+

      ¥0.0482
    • 51000+

      ¥0.0448
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0977
    • 500+

      ¥0.0758
    • 3000+

      ¥0.0637
    • 6000+

      ¥0.0564
    • 24000+

      ¥0.0501
    • 51000+

      ¥0.0467
  • 有货
  • PPP(W) - VRWM(V) 24 VBR(V) 140 VC(V) 100 IPP(A) - IR(uA) 0.5 CJ(pF) 1.5
    数据手册
    • 50+

      ¥0.10016 ¥0.1252
    • 500+

      ¥0.07856 ¥0.0982
    • 1500+

      ¥0.06656 ¥0.0832
    • 4000+

      ¥0.05936 ¥0.0742
    • 24000+

      ¥0.05312 ¥0.0664
    • 48000+

      ¥0.04976 ¥0.0622
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补NPN类型。 有无铅版本
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1002
    • 500+

      ¥0.0786
    • 3000+

      ¥0.0642
    • 6000+

      ¥0.057
    • 24000+

      ¥0.0507
    • 51000+

      ¥0.0474
  • 有货
  • SLESD5Z3.3C旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    • 20+

      ¥0.10168 ¥0.1271
    • 200+

      ¥0.0792 ¥0.099
    • 600+

      ¥0.06672 ¥0.0834
    • 3000+

      ¥0.0592 ¥0.074
    • 9000+

      ¥0.05272 ¥0.0659
    • 21000+

      ¥0.04928 ¥0.0616
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与S9012互补。 出色的hFE线性度。 无卤
    • 20+

      ¥0.11416 ¥0.1427
    • 200+

      ¥0.08864 ¥0.1108
    • 600+

      ¥0.07448 ¥0.0931
    • 3000+

      ¥0.066 ¥0.0825
    • 9000+

      ¥0.05864 ¥0.0733
    • 21000+

      ¥0.05464 ¥0.0683
  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 20+

      ¥0.1212 ¥0.1515
    • 200+

      ¥0.0944 ¥0.118
    • 600+

      ¥0.07952 ¥0.0994
    • 3000+

      ¥0.07064 ¥0.0883
    • 9000+

      ¥0.06288 ¥0.0786
    • 21000+

      ¥0.05872 ¥0.0734
  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 20+

      ¥0.1212 ¥0.1515
    • 200+

      ¥0.0944 ¥0.118
    • 600+

      ¥0.07952 ¥0.0994
    • 3000+

      ¥0.07064 ¥0.0883
    • 9000+

      ¥0.06288 ¥0.0786
    • 21000+

      ¥0.05872 ¥0.0734
  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 20+

      ¥0.1212 ¥0.1515
    • 200+

      ¥0.0944 ¥0.118
    • 600+

      ¥0.07952 ¥0.0994
    • 3000+

      ¥0.07064 ¥0.0883
    • 9000+

      ¥0.06288 ¥0.0786
    • 21000+

      ¥0.05872 ¥0.0734
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.12216 ¥0.1527
    • 200+

      ¥0.09576 ¥0.1197
    • 600+

      ¥0.08112 ¥0.1014
    • 3000+

      ¥0.0724 ¥0.0905
    • 9000+

      ¥0.0648 ¥0.081
    • 21000+

      ¥0.06064 ¥0.0758
    • 39000+

      ¥0.05992 ¥0.0749
    • 81000+

      ¥0.05944 ¥0.0743
  • 有货
  • SLPTVS5V5D1BL旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他电路板空间有限的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高速线路应用等高频设计。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.12616 ¥0.1577
    • 200+

      ¥0.09896 ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.08384 ¥0.1048
    • 2000+

      ¥0.0748 ¥0.0935
    • 10000+

      ¥0.06696 ¥0.0837
    • 20000+

      ¥0.06272 ¥0.0784
  • 有货
  • SLCESDB5V0D5旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他电路板空间有限的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高频设计,如USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI和其他高速线路应用。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1271
    • 200+

      ¥0.1
    • 600+

      ¥0.085
    • 3000+

      ¥0.0714
    • 9000+

      ¥0.0636
    • 21000+

      ¥0.0594
  • 有货
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