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首页 > 热门关键词 > Slkor二极管
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  • SLPESDMC2FD5VB是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。SLPESDMC2FD5VB典型电容为0.25pF,用于保护对寄生效应敏感的系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40A,5/50ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。SLPESDMC2FD5VB采用超小型DFN1006封装。每个SLPESDMC2FD5VB器件可保护一条高速数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等综合特性,使SLPESDMC2FD5VB非常适合高速数据端口和高频线路应用,如手机和高清视觉设备。
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  • 特性:通用晶体管
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      ¥0.093
    • 3000+

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      ¥0.0735
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      ¥0.0687
  • 有货
  • 特性:高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 与MMBTA92(PNP)互补
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    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0724
    • 21000+

      ¥0.0676
  • 有货
  • 特性:与MMBT3904M互补。 小封装
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  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    • 20+

      ¥0.1442
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      ¥0.1123
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  • 有货
  • SLESD4501CH专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。SLESD4501CH专门设计用于保护连接到电源、数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
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      ¥0.14592 ¥0.1824
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    • 20000+

      ¥0.07336 ¥0.0917
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 10/1000μs波形下200W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比)为0.01%。 保证高温焊接:260°C/10秒,在引脚处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1477
    • 200+

      ¥0.1159
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      ¥0.0748
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      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
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      ¥0.1481
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      ¥0.1163
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      ¥0.0748
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      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1482
    • 200+

      ¥0.1163
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  • 特性:适用于功率开关应用
    数据手册
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      ¥0.1166
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    • 20000+

      ¥0.0692
  • 订货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

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    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
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      ¥0.1552
    • 200+

      ¥0.1234
    • 600+

      ¥0.1057
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      ¥0.0909
    • 9000+

      ¥0.0817
    • 21000+

      ¥0.0767
  • 有货
  • DW01是一个锂电池保护电路,为避免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或电池被损坏而设计的。它具有高精确度的电压检测与时间延迟电路。带0V充电使能,自恢复功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.156275 ¥0.1645
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      ¥0.12293 ¥0.1294
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      ¥0.080655 ¥0.0849
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      ¥0.07543 ¥0.0794
  • 有货
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      ¥0.1588
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  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1599
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      ¥0.0817
    • 21000+

      ¥0.0767
  • 有货
  • 沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1638
    • 200+

      ¥0.1308
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      ¥0.1125
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      ¥0.096
    • 9000+

      ¥0.0864
    • 21000+

      ¥0.0813
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD保护2KV HBM
    • 20+

      ¥0.1639
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      ¥0.1293
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      ¥0.1101
    • 2000+

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    • 8000+

      ¥0.0886
    • 16000+

      ¥0.0832
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 30 ID@TC=54?C(A) 0.3 PD@TC=54?C(W) 0.35 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.34V 13000
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1666
    • 200+

      ¥0.1315
    • 600+

      ¥0.112
    • 3000+

      ¥0.0926
    • 9000+

      ¥0.0824
    • 21000+

      ¥0.077
  • 有货
  • 特性:沟槽功率低压MOSFET技术。 高功率和电流处理能力。应用:负载/电源开关。 接口
    • 20+

      ¥0.1764 ¥0.2205
    • 200+

      ¥0.13712 ¥0.1714
    • 600+

      ¥0.11528 ¥0.1441
    • 3000+

      ¥0.10216 ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.0908 ¥0.1135
    • 21000+

      ¥0.08472 ¥0.1059
  • 有货
  • PPP(W) 350 VRWM(V) 5 VBR(V) 6 VC(V) 18 IPP(A) 17 IR(uA) 10 CJ(pF) 200
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1909
    • 200+

      ¥0.152
    • 600+

      ¥0.1304
    • 3000+

      ¥0.1109
    • 9000+

      ¥0.0997
    • 21000+

      ¥0.0936
  • 有货
  • 是用于高速接口静电放电保护的单片专用设备,适用于USB 2.0、以太网链路和视频线路等。极低的线路电容可确保高水平的信号完整性,同时保护敏感芯片免受最严格的静电放电冲击。
    • 20+

      ¥0.1953
    • 200+

      ¥0.1532
    • 600+

      ¥0.1298
    • 3000+

      ¥0.1157
    • 9000+

      ¥0.1036
    • 21000+

      ¥0.097
  • 有货
  • 三极管 P沟道, VDSS耐压 20V, ID电流 2.3A, RDON导通电阻 115mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th)开启电压 0.4-1.0V,
    • 20+

      ¥0.2049
    • 200+

      ¥0.159
    • 600+

      ¥0.1335
    • 3000+

      ¥0.1182
    • 9000+

      ¥0.1049
    • 21000+

      ¥0.0978
  • 有货
  • PPP(W) 200 VRWM(V) 24 VBR(V) 26 VC(V) 50 IPP(A) 3 IR(uA) 1 CJ(pF) 17
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2054
    • 200+

      ¥0.1601
    • 600+

      ¥0.1349
    • 2000+

      ¥0.1198
    • 10000+

      ¥0.0991
    • 20000+

      ¥0.092
  • 有货
  • SL2305S是高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。SL2305S符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
    • 20+

      ¥0.2077
    • 200+

      ¥0.1618
    • 600+

      ¥0.1363
    • 3000+

      ¥0.121
    • 9000+

      ¥0.1077
    • 21000+

      ¥0.1006
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册
    • 20+

      ¥0.214225 ¥0.2255
    • 200+

      ¥0.167105 ¥0.1759
    • 600+

      ¥0.140885 ¥0.1483
    • 1800+

      ¥0.125115 ¥0.1317
    • 10800+

      ¥0.111435 ¥0.1173
    • 19800+

      ¥0.10412 ¥0.1096
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2208
    • 100+

      ¥0.1728
    • 300+

      ¥0.1488
    • 1800+

      ¥0.1307
    • 5400+

      ¥0.1163
    • 10800+

      ¥0.1091
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 30 ID@TC=56?C(A) 4 PD@TC=56?C(W) 1.5 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.36V 60
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2331
    • 200+

      ¥0.1839
    • 600+

      ¥0.1566
    • 3000+

      ¥0.1402
    • 9000+

      ¥0.126
    • 21000+

      ¥0.1184
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料材料:UL 阻燃等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2364
    • 100+

      ¥0.186
    • 300+

      ¥0.1608
    • 750+

      ¥0.1419
    • 5250+

      ¥0.1267
    • 9750+

      ¥0.1192
  • 有货
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