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首页 > 热门关键词 > Slkor二极管
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该功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造。这种先进技术经过专门设计,可最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
  • 5+

    ¥0.5304 ¥0.663
  • 50+

    ¥0.4632 ¥0.579
  • 150+

    ¥0.4344 ¥0.543
  • 500+

    ¥0.3984 ¥0.498
  • 2500+

    ¥0.3824 ¥0.478
  • 5000+

    ¥0.3728 ¥0.466
  • 有货
  • SL 8521(单通道)、SL 8522(双通道)和 SL 8524(四通道)是超低功耗运算放大器,仅需 3.4μA 静态电流即可提供 90kHz 带宽。这些轨到轨输入输出放大器专为电池供电应用而设计。输入共模电压范围比电源轨高 300mV,输出摆幅距轨仅 6mV,可保持较宽的动态范围
    • 5+

      ¥0.5456
    • 50+

      ¥0.4332
    • 150+

      ¥0.3771
    • 500+

      ¥0.335
    • 3000+

      ¥0.3013
    • 6000+

      ¥0.2844
  • 有货
  • 2SC3585 是超高频低噪声晶体管,采用平面 NPN 硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性,采用 SOT-23-3L 贴片式封装,主要应用于 VHF,UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5515
    • 50+

      ¥0.4315
    • 150+

      ¥0.3715
    • 500+

      ¥0.3265
    • 3000+

      ¥0.298
    • 6000+

      ¥0.28
  • 有货
  • 类型 P VDSS(V) -40 ID@TC=64?C(A) -6 PD@TC=64?C(W) 1.4 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.44V 58
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7638 ¥0.804
    • 50+

      ¥0.60819 ¥0.6402
    • 150+

      ¥0.530385 ¥0.5583
    • 500+

      ¥0.472055 ¥0.4969
    • 3000+

      ¥0.39615 ¥0.417
    • 6000+

      ¥0.37278 ¥0.3924
  • 有货
  • 特性:小型、超薄式表面贴装。 宽温度、高稳定特性、高可靠信赖
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8284
    • 50+

      ¥0.6556
    • 150+

      ¥0.5692
    • 500+

      ¥0.5044
    • 3000+

      ¥0.431
    • 6000+

      ¥0.405
  • 有货
  • MOS
    • 5+

      ¥1.0183
    • 50+

      ¥0.8067
    • 150+

      ¥0.7159
    • 500+

      ¥0.6027
    • 2500+

      ¥0.5523
    • 5000+

      ¥0.5221
  • 有货
  • 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,适合中功率高频信号放大。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.039
    • 50+

      ¥0.8187
    • 150+

      ¥0.7242
    • 1000+

      ¥0.6064
    • 2000+

      ¥0.554
    • 5000+

      ¥0.5225
  • 订货
  • 是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。内部电路包含霍尔传感器、线性放大器和推挽输出级电路。具有高速、低噪声输出特性,在 -40℃ 至 125℃ 的宽温度范围内实现线性性能。可用于消费类、工业类各种磁场检测。具有高灵敏度,可以准确的反应微弱磁场的变化。当不存在磁场时,模拟输出 1/2VDD。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化。多种灵敏度可供用户选择。南北磁极产生唯一的电压。可检测垂直于封装顶部的磁通量。采用高品质 SOT-23,TO-92S,DFN1616 封装以适配各种应用。
    • 5+

      ¥1.0972
    • 50+

      ¥0.8674
    • 150+

      ¥0.7689
    • 500+

      ¥0.646
    • 3000+

      ¥0.5913
    • 6000+

      ¥0.5585
  • 有货
  • DS1302可慢速充电实时时钟芯片包含实时时钟/日历和31字节的非易失性静态RAM。它经过一个简单的串行接口与微处理器通信。实时时钟/日历可对秒,分,时,日,周,月,和年进行计数,对于小于31天的月,月末的日期自动进行调整,还具有闰年校正的功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.24887 ¥1.3146
    • 50+

      ¥0.98553 ¥1.0374
    • 150+

      ¥0.87267 ¥0.9186
    • 500+

      ¥0.73188 ¥0.7704
    • 2500+

      ¥0.66918 ¥0.7044
    • 5000+

      ¥0.631465 ¥0.6647
  • 有货
  • SL 8581(单通道)和 SL8582(双通道)是高精度、低静态电流放大器,可提供高输入阻抗以及轨到轨输入和输出。该放大器采用自动稳零技术,可实现低失调电压(典型值为 25μV),且在时间和温度变化时几乎零漂移。单电源或双电源均可使用,电源电压范围为 2.3V 至 5.5V(±1.15V 至 ±2.75V)
    • 5+

      ¥1.3845
    • 50+

      ¥1.0871
    • 150+

      ¥0.9597
    • 500+

      ¥0.8007
    • 3000+

      ¥0.7299
    • 6000+

      ¥0.6874
  • 有货
  • 此P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.532 ¥3.83
    • 10+

      ¥1.376 ¥3.44
    • 30+

      ¥1.296 ¥3.24
    • 100+

      ¥1.216 ¥3.04
    • 500+

      ¥1.044 ¥2.61
    • 1000+

      ¥1.02 ¥2.55
  • 有货
  • 运算放大器 SL8551(单路)、SL8552(双路)和 SL8554(四路)是一款高精度、轨对轨输入输出的运算放大器。该芯片使用了失调校正技术,因此具有非常低失调电压(典型值 2μV ),而且失调电压几乎不会随着温度和时间发生变化。 芯片支持单电源和双电源供电。
    • 1+

      ¥1.728 ¥2.16
    • 10+

      ¥1.52 ¥1.9
    • 30+

      ¥1.424 ¥1.78
    • 100+

      ¥1.312 ¥1.64
    • 500+

      ¥1.264 ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.232 ¥1.54
  • 有货
  • 适用于高性能信息处理系统和广泛应用的控制设备。输入电压电平与标准CMOS电平兼容。输出电压电平与C-MOS、N-MOS和TTL集成电路的输入电平兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.45
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.21
    • 100+

      ¥2.81
    • 500+

      ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.21
  • 有货
  • 视频同步分离器可从幅度为0.5V至2Vₚ₋ₚ的标准负向同步NTSC、PAL和SECAM视频信号中提取时序信息,包括复合和垂直同步、色同步/后沿时序以及奇偶场信息。该集成电路还能够为非标准、更高水平扫描速率的视频信号提供同步分离。垂直输出在垂直同步周期内第一个锯齿波的上升沿产生。如果上述上升沿在外部设置的延迟周期内未出现(如非标准视频信号的情况),则会在延迟一段时间后产生默认垂直输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.42
    • 10+

      ¥4.38
    • 30+

      ¥3.86
    • 100+

      ¥3.35
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.75
  • 有货
  • SL-S-TRS-5.5D1 是一款数字式输出差分红外热电堆传感器,包含MEMS热电堆传感器芯片、NTC热敏电阻以及专业的信号调理ASIC芯片。其中ASIC芯片搭载24位Sigma-Delta高精度ADC、OTP存储器以及接口电路。
    • 1+

      ¥22.17
    • 10+

      ¥18.95
    • 30+

      ¥17.04
    • 100+

      ¥15.11
    • 500+

      ¥14.21
    • 1000+

      ¥13.81
  • 有货
  • 特性:电容:15pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±25kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±25kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):5A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册
    • 50+

      ¥0.02908 ¥0.0727
    • 500+

      ¥0.0226 ¥0.0565
    • 1500+

      ¥0.019 ¥0.0475
    • 10000+

      ¥0.01612 ¥0.0403
    • 20000+

      ¥0.01424 ¥0.0356
    • 50000+

      ¥0.0132 ¥0.033
  • 有货
  • 特性:电容:15pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±25kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±25kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):5A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册
    • 50+

      ¥0.03028 ¥0.0757
    • 500+

      ¥0.02336 ¥0.0584
    • 1500+

      ¥0.01952 ¥0.0488
    • 10000+

      ¥0.0164 ¥0.041
    • 20000+

      ¥0.0144 ¥0.036
    • 50000+

      ¥0.01332 ¥0.0333
  • 有货
  • PPP(W) 72 VRWM(V) 3.3 VBR(V) 6 VC(V) 8.5 IPP(A) 8.5 IR(uA) 0.01 CJ(pF) 10
    数据手册
    • 50+

      ¥0.03332 ¥0.0833
    • 500+

      ¥0.02576 ¥0.0644
    • 1500+

      ¥0.02156 ¥0.0539
    • 10000+

      ¥0.01908 ¥0.0477
    • 20000+

      ¥0.01688 ¥0.0422
    • 50000+

      ¥0.01568 ¥0.0392
  • 有货
  • SLDFN2C031V是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。SLDFN2C031V的最大电容为15pF,用于保护对寄生参数敏感的系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变脉冲群 - EFT)(40A,5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。SLDFN2C031V采用超小型DFN1006封装。每个SLDFN2C031V器件可保护一条数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0382 ¥0.0955
    • 500+

      ¥0.03 ¥0.075
    • 1500+

      ¥0.02544 ¥0.0636
    • 10000+

      ¥0.0218 ¥0.0545
    • 20000+

      ¥0.01944 ¥0.0486
    • 50000+

      ¥0.01816 ¥0.0454
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0409
    • 500+

      ¥0.04
    • 3000+

      ¥0.0394
  • 有货
    • 100+

      ¥0.0428
    • 1000+

      ¥0.0336
    • 3000+

      ¥0.0285
    • 9000+

      ¥0.0254
    • 51000+

      ¥0.0227
    • 99000+

      ¥0.0213
  • 有货
    • 100+

      ¥0.0461
    • 1000+

      ¥0.0364
    • 3000+

      ¥0.0286
    • 9000+

      ¥0.0254
    • 51000+

      ¥0.0226
    • 99000+

      ¥0.0211
  • 有货
  • SLE5VFBN102是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。SLE5VFBN102的最大电容为12pF,旨在保护对寄生参数敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变脉冲群 - EFT)(40A,5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准
    • 50+

      ¥0.04808 ¥0.0601
    • 500+

      ¥0.03776 ¥0.0472
    • 1500+

      ¥0.032 ¥0.04
    • 10000+

      ¥0.02848 ¥0.0356
    • 20000+

      ¥0.02552 ¥0.0319
    • 50000+

      ¥0.02392 ¥0.0299
  • 有货
  • 特性:高电压和高电流。 出色的 hFE 线性度。 与 C1815 互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0507
    • 500+

      ¥0.0393
    • 3000+

      ¥0.0318
    • 6000+

      ¥0.028
    • 24000+

      ¥0.0247
    • 51000+

      ¥0.0229
  • 有货
  • 特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0514
    • 500+

      ¥0.04
    • 3000+

      ¥0.0337
    • 6000+

      ¥0.0299
    • 24000+

      ¥0.0267
    • 51000+

      ¥0.0249
  • 有货
  • 特性:适用于高压应用中的开关和放大,如电话应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0526
    • 500+

      ¥0.0515
    • 2000+

      ¥0.0444
    • 5000+

      ¥0.0436
  • 有货
  • 特性:低电容:8pF(典型值)。 反向工作电压:12V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±30kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±30kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):8A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册
    • 20+

      ¥0.05556 ¥0.1389
    • 200+

      ¥0.04368 ¥0.1092
    • 600+

      ¥0.03708 ¥0.0927
    • 2000+

      ¥0.03312 ¥0.0828
    • 10000+

      ¥0.02968 ¥0.0742
    • 20000+

      ¥0.02784 ¥0.0696
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得容易
    • 50+

      ¥0.0578
    • 500+

      ¥0.0565
    • 3000+

      ¥0.0556
    • 6000+

      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0578
    • 500+

      ¥0.0565
    • 3000+

      ¥0.0556
    • 6000+

      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:高电压和高电流:VCEO = 50V,Ic = 150mA(最大值)。 出色的hFE线性度:hFE(Ic = 0.1mA)/hFE(Ic = 2mA) = 0.95(典型值)。 高hFE:hFE = 70-700。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0584
    • 500+

      ¥0.0459
    • 3000+

      ¥0.037
    • 6000+

      ¥0.0328
    • 24000+

      ¥0.0292
    • 51000+

      ¥0.0273
  • 有货
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