SMC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMC

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。

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￥0.883785 ￥0.9303
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￥0.83847 ￥0.8826

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型号：SK54B 编号：C139679

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：SMC(桑德斯)

特性：小尺寸，可表面贴装。极低的正向压降。高频操作。保护环，增强耐用性和长期可靠性。符合ROHS指令的绿色产品。无铅器件。应用：开关电源。转换器

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￥0.9011
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￥0.7169
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￥0.5557
3000+
￥0.4544
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￥0.4268

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型号：SK56_R1_00001 编号：C461776

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：PANJIT(强茂)

特性：塑料封装，具有美国保险商实验室（UL）94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低功耗，高效率。高浪涌能力。符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料

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￥0.9447
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￥0.757
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￥0.6632
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￥0.5928

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型号：SK58L-TP 编号：C151779

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅涂层/RoHS 合规（注 1）（“P”后缀表示合规）。高电流能力。适用于表面贴装应用。更高温度焊接：端子处 260℃持续 10 秒。可提供卷带包装。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。湿度敏感度等级 1。

数据手册

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￥0.6299

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型号：NRVBS540T3G-HXY 编号：C52988729

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景，常见于开关电源、适配器及各类高频电路中。

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￥0.99579 ￥1.0482
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￥0.97394 ￥1.0252
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型号：SS36Q 编号：C2942663

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：保护环用于过压保护。低功率损耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：低压高频逆变器。续流

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￥1.0062
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￥0.7993
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￥0.7107

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型号：S3MHV6G 编号：C483962

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

特性：玻璃钝化芯片结。适合自动贴装。低正向压降。高电流能力。高浪涌电流能力。符合RoHS指令2011/65/EU，并符合WEEE 2002/96/EC。应用：开关电源（SMPS）。适配器

数据手册

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￥1.0224
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￥0.6019

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型号：SS34Q 编号：C2942661

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：过压保护用保护环。低功率损耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：低压高频逆变器。续流

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￥1.0246
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型号：HS3A 编号：C2990839

封装：SMC

品牌：GOOD-ARK(固锝)

耐压:50V 电流:3A 反向恢复时间：50ns

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型号：SK4200L-TP 编号：C151733

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅镀层/符合 RoHS 标准（“P” 后缀表示符合 RoHS 标准）。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。湿度敏感度等级 1。适用于表面贴装应用。易于拾取和放置。高温焊接：端子在 260°C 下持续 10 秒

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型号：CMSH3-60TR13-HXY 编号：C52988722

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达60V。其正向压降为0.7V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流为100μA，具备良好的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源次级侧输出、便携式电子设备电源管理以及对效率和热性能有要求的低压直流转换场合。

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￥1.058015 ￥1.1137
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￥1.03474 ￥1.0892
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￥1.00377 ￥1.0566

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型号：SS320Q 编号：C2942658

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：保护环用于过压保护。低功率损耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。符合J-STD-020标准的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：低压高频逆变器。续流

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￥1.1005
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￥0.8803
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￥0.7859
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￥0.6682

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型号：CMSH3-40TR13-HXY 编号：C52988715

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率敏感的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及低压直流转换系统中。

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￥1.107795 ￥1.1661
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￥1.083475 ￥1.1405
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型号：CMSH3-100TR13-HXY 编号：C52988706

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，在导通时可有效降低功耗；反向漏电流低至20μA，有助于维持系统在待机或轻载状态下的能效。器件支持高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级以及对热性能和效率敏感的电子电路中，表现出良好的动态响应与稳定性。

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￥1.14513 ￥1.2054
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￥1.119955 ￥1.1789
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￥1.103235 ￥1.1613
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￥1.08642 ￥1.1436

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型号：MB520_R1_00001 编号：C304400

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：PANJIT(强茂)

特性：塑料封装，具有美国保险商实验室（UL）94V-0 阻燃等级。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低功耗，高效率。高浪涌容量。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。采用符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

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5+
￥1.1497
50+
￥0.9162
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￥0.8161
800+
￥0.6913

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型号：NRVBS3100T3G-HXY 编号：C52988709

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为20μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中，提供可靠的单向导通特性。

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￥1.254 ￥1.32
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￥1.2255 ￥1.29
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￥1.2065 ￥1.27
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￥1.1875 ￥1.25

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型号：B340Q-13-F 编号：C134452

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.4372
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￥1.1722
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￥1.0586
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￥0.9169

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型号：SMC5378A 编号：C5161213

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

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￥1.1348
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￥1.0052
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￥0.8435
3000+
￥0.7355
6000+
￥0.6923

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型号：SMC5380A 编号：C5161214

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.4372
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型号：SMC5353A 编号：C5161201

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

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￥1.444
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￥0.8503
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￥0.699

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型号：MURS560 编号：C5161767

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：反向漏电流低。正向浪涌承受能力强。高信赖性。高温焊接保证：260°C / 10秒。引线和管体皆符合RoHS标准。型号后缀“F”标记无卤素产品

数据手册

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￥1.5402
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￥1.2177
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￥1.0794
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￥0.9069
3000+
￥0.7917
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￥0.7456

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型号：SMC5340A 编号：C5161190

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

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￥1.5569
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￥1.2293
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￥1.0889
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￥0.9137
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￥0.7499

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型号：SMC5338A 编号：C5161188

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

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￥1.5643
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￥1.2367
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￥1.0963
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￥0.9211
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￥0.8041
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￥0.7573

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型号：ACDBC5100-HF 编号：C5143558

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：Comchip(典琦)

特性：低外形封装。适合自动贴装。带有过压保护的保护环。低正向压降。通过AEC-Q101认证

数据手册

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￥1.7667
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￥1.3642
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￥1.1917
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￥0.956872 ￥0.9764
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￥0.862988 ￥0.8806
6000+
￥0.80654 ￥0.823

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型号：LSM340JE3/TR13-HXY 编号：C52988716

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的能量损耗；在反向阻断状态下，漏电流为100μA。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及电源极性保护等电路，常见于开关电源、适配器及便携式电子设备的电源管理单元中。

1+
￥2.8405 ￥2.99
10+
￥2.7835 ￥2.93
30+
￥2.736 ￥2.88
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￥2.698 ￥2.84

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型号：LSM540JE3/TR13-HXY 编号：C52988727

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有5A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的截止特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源管理电路中。