SMC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMC

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及保护电路，常见于开关电源、适配器及各类低压电子系统中。

5+
￥0.56012 ￥0.5896
50+
￥0.547865 ￥0.5767
150+
￥0.5396 ￥0.568
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￥0.53143 ￥0.5594

有货

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型号：VS30BQ100-M3/9AT-HXY 编号：C52988712

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为20μA，有助于提升系统效率与稳定性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对开关速度和能效要求较高的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

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￥0.56012 ￥0.5896
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￥0.547865 ￥0.5767
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￥0.5396 ￥0.568
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￥0.53143 ￥0.5594

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型号：SS320CG 编号：C2687533

封装：SMC

品牌：SHIKUES(时科)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

5+
￥0.565535 ￥0.5953
50+
￥0.44707 ￥0.4706
150+
￥0.38779 ￥0.4082
500+
￥0.34333 ￥0.3614
3000+
￥0.3078 ￥0.324
6000+
￥0.290035 ￥0.3053

有货

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型号：MBRS3100T3G(MS) 编号：C22399572

封装：SMC

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款肖特基采购SMC封装，具备正向压降(Vf)：0.79V@3A，直流反向耐压(Vr)：100V,平均整流电流(Io)：3A适于电源转换、电池保护电路、信号保护、高频电路便携式电子设备，强劲的性能满足你的电路设计需求

5+
￥0.5728
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￥0.4528
150+
￥0.3928
500+
￥0.3478
2500+
￥0.3118
5000+
￥0.2938

有货

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型号：SK86L-HXY 编号：C52988736

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有8A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）典型值为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

5+
￥0.5765
50+
￥0.5639
150+
￥0.5554

有货

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型号：SS3H10-E3/57T-HXY 编号：C52988711

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流仅为20μA，表现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、高频整流、电源转换模块及便携式电子设备中的高效能电路，满足对低损耗与高可靠性的应用需求。

5+
￥0.58501 ￥0.6158
50+
￥0.572185 ￥0.6023
150+
￥0.563635 ￥0.5933
500+
￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：STPS3L60S-HXY 编号：C52988724

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。在正常导通状态下，其正向压降VF为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止性能。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中，能有效提升系统效率与响应速度。

5+
￥0.58501 ￥0.6158
50+
￥0.572185 ￥0.6023
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￥0.563635 ￥0.5933
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￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：SK16 编号：C3020462

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：SMC(桑德斯)

特性：肖特基势垒芯片。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。适用于低电压应用。保护环芯片结构。塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-0。符合RoHS指令的绿色产品。这是无铅器件。所有SMC部件均可追溯到晶圆批次。可应要求提供额外测试

数据手册

5+
￥0.5954
50+
￥0.485
150+
￥0.4298
500+
￥0.3884
3000+
￥0.2869
6000+
￥0.2703

有货

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型号：STPS340S-HXY 编号：C52988761

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景。

5+
￥0.622345 ￥0.6551
50+
￥0.608665 ￥0.6407
150+
￥0.599545 ￥0.6311
500+
￥0.590425 ￥0.6215

有货

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型号：ES3J 编号：C2944279

封装：SMC

品牌：RUILON(瑞隆源)

开关速度快，恢复时间短，电压高，应用在电源产品的整流，滤波

数据手册

5+
￥0.6267
50+
￥0.491
150+
￥0.4231
500+
￥0.3722
3000+
￥0.3315
6000+
￥0.3111

有货

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型号：SS520C 编号：C19189983

封装：SMC

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

表面贴装肖特基二极管，薄型 SMBF 封装低功耗，高效率，浪涌电流大，适用于低压，高频和极性保护，适用于表面贴装

5+
￥0.667
50+
￥0.583
150+
￥0.547
500+
￥0.502

有货

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型号：VSMBRS340-M3/9AT-HXY 编号：C52988762

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关电路等场合。

5+
￥0.68457 ￥0.7206
50+
￥0.66956 ￥0.7048
150+
￥0.65949 ￥0.6942
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￥0.649515 ￥0.6837

有货

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型号：SK54SMC-HXY 编号：C52988731

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为5A，最大反向电压为40V。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置时，漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、续流保护以及对效率和瞬态响应有较高要求的电子系统中。

5+
￥0.68457 ￥0.7206
50+
￥0.66956 ￥0.7048
150+
￥0.65949 ￥0.6942
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￥0.649515 ￥0.6837

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型号：MBRS540T3G-HXY 编号：C52988728

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为5A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和动态响应要求较高的整流、续流及电源转换等电路场合。

5+
￥0.69711 ￥0.7338
50+
￥0.68172 ￥0.7176
150+
￥0.671555 ￥0.7069
500+
￥0.661295 ￥0.6961

有货

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型号：SK34-TP 编号：C669014

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅涂层/符合RoHS标准。高电流能力与低正向电压。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1

数据手册

5+
￥0.6979
50+
￥0.5539
150+
￥0.4819
500+
￥0.4279

有货

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型号：VS30BQ040-M3/9AT-HXY 编号：C52988720

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

5+
￥0.722 ￥0.76
50+
￥0.706135 ￥0.7433
150+
￥0.695495 ￥0.7321
500+
￥0.68495 ￥0.721

有货

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型号：S5ML-TP 编号：C17223896

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅表面处理/符合RoHS标准。适用于表面贴装应用。高电流能力。极低的热阻。无卤“绿色”器件。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1

5+
￥0.7351
50+
￥0.5932
150+
￥0.5222
500+
￥0.469

有货

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型号：SS10200 编号：C5440904

封装：SMC

品牌：LGE(鲁光)

特性：适合自动贴装。超快反向恢复时间。肖特基势垒整流器。保护环保护。低正向压降。低功耗，高效率。高电流能力。高温焊接：引脚处260℃/10秒。无铅涂层，符合RoHS和WEEE标准

数据手册

5+
￥0.73872 ￥0.8208
50+
￥0.72441 ￥0.8049
150+
￥0.71496 ￥0.7944
500+
￥0.70542 ￥0.7838

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型号：SS1045C 编号：C7528252

封装：SMC

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

5+
￥0.7423
50+
￥0.5868
150+
￥0.5091

有货

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型号：MBRS3100T3G-HXY 编号：C52988708

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及对效率与热管理有要求的电子电路中。