SMC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMC

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压达40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于提升系统效率；反向漏电流仅为100μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于存在突发大电流的电路环境。常用于电源整流、极性保护及高频续流等应用，具备低损耗与快速响应特性。

5+
￥0.31122 ￥0.3276
50+
￥0.30438 ￥0.3204
150+
￥0.29982 ￥0.3156
500+
￥0.29526 ￥0.3108

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型号：SS38C 编号：C437990

封装：SMC

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

10+
￥0.3152
100+
￥0.2489
300+
￥0.2158

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型号：S5AC 编号：C437692

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：晶导微电子

特性：适用于表面贴装应用。低外形封装。玻璃钝化芯片结。易于拾取和放置。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

数据手册

10+
￥0.3161
100+
￥0.2513
300+
￥0.2189

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型号：SS1060C 编号：C42415181

封装：SMC

品牌：Slkor(萨科微)

5+
￥0.3168
50+
￥0.3095
150+
￥0.3046
500+
￥0.2997

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型号：SR320C 编号：C5159260

封装：SMC

品牌：DIYI(迪一/芯诺)

全自动组焊工艺

数据手册

10+
￥0.342966 ￥0.4397
100+
￥0.272922 ￥0.3499
300+
￥0.237978 ￥0.3051
3000+
￥0.202956 ￥0.2602
6000+
￥0.181896 ￥0.2332
9000+
￥0.171444 ￥0.2198

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型号：SS84 编号：C50176900

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有8A的正向平均整流电流（IF）和40V的最大反向重复电压（VR），适用于中等电压整流场景。其正向导通压降（VF）仅为0.55V，在大电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.1μA，表现出良好的阻断特性。该器件常用于开关电源、DC-DC转换器及电池充电管理电路中，适合对能效和热性能有较高要求的便携式电子设备。同时，也可应用于极性保护、反接防护和高频整流电路，提供快速响应和稳定性能。

5+
￥0.3541
50+
￥0.3459
150+
￥0.3404

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型号：RS5AC 编号：C437764

封装：SMC

品牌：晶导微电子

特性：适用于表面贴装应用。低外形封装。玻璃钝化芯片结。易于拾取和放置。快速反向恢复时间。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅

数据手册

10+
￥0.3946
100+
￥0.3178
300+
￥0.2794

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型号：B560C-13-F-HXY 编号：C52988732

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，具有5A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，在关断状态下保持良好的隔离性能。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端以及对效率和热管理要求较高的电子系统中，能有效支持稳定可靠的电路运行。

5+
￥0.398335 ￥0.4193
50+
￥0.389595 ￥0.4101
150+
￥0.383705 ￥0.4039
500+
￥0.37791 ￥0.3978

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型号：HS3M 编号：C698696

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高电流能力。高可靠性。高浪涌电流能力。焊锡浸渍：最高260℃，持续10s（根据JESD 22-B106）

数据手册

10+
￥0.4161
100+
￥0.3297
300+
￥0.2865
3000+
￥0.2373
6000+
￥0.2114
9000+
￥0.1984

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型号：B360-13-F-HXY 编号：C52988721

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，在导通状态下保持较低的能量损耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的反向截止性能。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和响应速度有较高要求的低压电力转换电路。

5+
￥0.423225 ￥0.4455
50+
￥0.413915 ￥0.4357
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￥0.40774 ￥0.4292
500+
￥0.401565 ￥0.4227

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型号：ES10J 编号：C50177021

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款快恢复二极管额定平均正向电流为10A，最高反向重复耐压达600V，确保在较高电压环境下稳定运行。其正向导通压降为1.75V，在导通状态下能量损耗较低，有助于提升整体能效。在反向工作条件下，漏电流典型值仅为5μA，表现出优异的阻断特性。该器件恢复速度快，适用于高频开关电源、逆变装置、整流电路及感性负载续流等场景，可有效减少开关过程中的能量损耗，提高系统响应速度与稳定性，满足多种高效率电源转换需求。

5+
￥0.4286
50+
￥0.4187
150+
￥0.412

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型号：SS36-C 编号：C397625

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压60V，正向电流3A，正向压降0.70V@3A，SMC封装；功能：电路整流与续流；应用：小功率适配器或者充电器、LED驱动电路，辅助电源等

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10+
￥0.43282 ￥0.4556
100+
￥0.34371 ￥0.3618
300+
￥0.29925 ￥0.315
3000+
￥0.232845 ￥0.2451
6000+
￥0.20615 ￥0.217
9000+
￥0.192755 ￥0.2029

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型号：SK54L-HXY 编号：C52988730

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，具有5A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率敏感或需要处理瞬时大电流的整流、续流及电源转换场合。

5+
￥0.43567 ￥0.4586
50+
￥0.426075 ￥0.4485
150+
￥0.41971 ￥0.4418
500+
￥0.413345 ￥0.4351

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型号：SK310HE3-HXY 编号：C52988710

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流低至20μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、电源适配器、DC-DC转换器及高频整流等场合，能够有效支持对效率与热性能有要求的电路设计。

5+
￥0.46056 ￥0.4848
50+
￥0.45049 ￥0.4742
150+
￥0.443745 ￥0.4671
500+
￥0.437 ￥0.46

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型号：SK34HE3-HXY 编号：C52988718

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及各类低压直流转换系统中。

5+
￥0.46056 ￥0.4848
50+
￥0.45049 ￥0.4742
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￥0.443745 ￥0.4671
500+
￥0.437 ￥0.46

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型号：MBRS340T3G-HXY 编号：C52988717

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场合，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的低压输出电路中。

5+
￥0.46056 ￥0.4848
50+
￥0.45049 ￥0.4742
150+
￥0.443745 ￥0.4671
500+
￥0.437 ￥0.46

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型号：SMCJ12CA 编号：C17702967

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：1500W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000μs。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。玻璃钝化芯片结。无卤且符合RoHS标准

5+
￥0.51552 ￥0.5728
50+
￥0.40752 ￥0.4528
150+
￥0.35352 ￥0.3928
500+
￥0.31302 ￥0.3478
3000+
￥0.28062 ￥0.3118
6000+
￥0.26442 ￥0.2938

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型号：SS54L 编号：C50726409

封装：SMC

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

5+
￥0.5241
50+
￥0.5126
150+
￥0.5049

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型号：SK34A 编号：C260394

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：SMC(桑德斯)

特性：小尺寸，可表面贴装。极低的正向压降。高频操作。保护环，增强耐用性和长期可靠性。符合ROHS指令的绿色产品。这是无卤设备。应用：开关电源。转换器

数据手册

5+
￥0.5388
50+
￥0.4361
150+
￥0.3848
500+
￥0.3462
2500+
￥0.2637
5000+
￥0.2483

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型号：SS36C 编号：C330394

封装：SMC

品牌：LGE(鲁光)

特性：肖特基势垒整流器。保护环保护。低正向电压。反向能量测试。高电流能力。极低的热阻

数据手册

5+
￥0.5454 ￥0.606
50+
￥0.43443 ￥0.4827
150+
￥0.37899 ￥0.4211
500+
￥0.33732 ￥0.3748
3000+
￥0.30402 ￥0.3378
6000+
￥0.28737 ￥0.3193

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型号：RS3MC 编号：C5271902

封装：SMC

品牌：LRC(乐山无线电)

TL@℃75 IFM(Surge)(A)80 trr(ns)500

数据手册

5+
￥0.5638
50+
￥0.4534
150+
￥0.3982
500+
￥0.3568
3000+
￥0.3236
6000+
￥0.3071

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型号：SK56SMC-HXY 编号：C52988735

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有5A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的截止特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出端以及对效率和热性能有较高要求的电子系统中，确保稳定可靠的运行表现。

5+
￥0.572565 ￥0.6027
50+
￥0.560025 ￥0.5895
150+
￥0.551665 ￥0.5807
500+
￥0.54321 ￥0.5718

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型号：ES5J 编号：C3010105

封装：SMC

品牌：LGE(鲁光)

特性：塑料封装具有UL94V-0阻燃等级。金属-硅结。适用于表面贴装应用。有保护环用于过压保护。高正向浪涌电流能力。超低正向电压。保证高温焊接：引脚260°C/10秒

数据手册

5+
￥0.58482 ￥0.6498
50+
￥0.46278 ￥0.5142
150+
￥0.40167 ￥0.4463
500+
￥0.35595 ￥0.3955
3000+
￥0.288 ￥0.32
6000+
￥0.26964 ￥0.2996

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型号：B390CE-13-HXY 编号：C50176899

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有3A的正向平均电流（IF）和90V的反向耐压（VR），适用于中等电压整流与续流应用。其正向导通压降较低，典型值为0.74V，有助于减少导通损耗，提升电路效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR）典型值为200μA，表现出较好的阻断特性。器件适用于开关电源、直流-直流转换器、反向极性保护及高频整流电路，尤其适合对效率和热性能有一定要求的便携式电子设备与通用电源系统，是实现低功耗、高可靠性设计的常用半导体元件。