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单向TVS 30V截止峰值浪涌电流：569A@8/20us

型号：SMC30J30A 编号：C1977833

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

数据手册

1+
￥18.01
10+
￥15.39
30+
￥13.75

有货

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双向TVS 39V截止峰值脉冲电流：667A@8/20us

型号：BZW50-39B 编号：C1665924

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

数据手册

1+
￥23.27
10+
￥20.1
30+
￥18.21

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:20A

型号：STP20NM60FD 编号：C2971021

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

FDmesh™ 将低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈建议将其用于桥接拓扑，特别是零电压开关 (ZVS) 移相转换器。

1+
￥23.68
10+
￥20.26
30+
￥18.24

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升压型 800mV~5.5V

型号：L6920DCTR 编号：C2070664

封装：MSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

L6920DC是一款高效率、低电压升压DC/DC转换器,特别适用于1到3个电池单元（锂离子/聚合物、镍氢）的电池升压转换。采用同步整流技术,无需外部二极管,降低了成本。工作在最大导通时间-最小关断时间控制模式下,具有低电池检测、反向电池保护和关断功能。

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1+
￥38.82
10+
￥33.6
30+
￥30.43

有货

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单向TVS 56V截止峰值脉冲电流：465A@8/20us

型号：BZW50-56 编号：C1665846

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥55.44
10+
￥48.1
30+
￥43.63

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具备禁止功能的3A、900kHz同步降压型DC-DC转换器

型号：STEVAL-ISA044V5 编号：C5456150

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

是一款具有抑制功能的降压DC-DC转换器,针对LCD应用中的高电压和数字核心HDD应用中的低电压供电进行了优化。当高功率耗散成为问题时,它可替代高电流线性解决方案。它可在2.5V至18.0V的输入电压范围内提供高达3A的电流,同步整流无需外部肖特基二极管。高内部开关频率(900kHz)允许使用小型表面贴装元件,以及一个电阻分压器来设置输出电压值

1+
￥481.93
30+
￥459.39

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高压高端和低端驱动器

型号：L6386ADTR 编号：C2677052

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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1+
￥21.28
10+
￥18.33
30+
￥16.57

有货

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单向ESD 15V截止峰值浪涌电流：25A@8/20us

型号：ESDA17P20-1F2 编号：C3713569

封装：SOD-882T

品牌：ST(意法半导体)

ESDA17P20 - 1F2是一款单向单线路TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。这款ESD抑制器非常适合需要节省PCB空间的应用，如手机及配件、可穿戴设备、USB总线、电池线路。

5+
￥0.5141
50+
￥0.4067
150+
￥0.3529
500+
￥0.3126
2500+
￥0.2669
5000+
￥0.2508

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单向TVS 6V截止峰值浪涌电流：61A

型号：SMBJ6.0A-TR 编号：C130396

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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单价：
￥0.444507 / 个

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单向TVS 342V截止峰值脉冲电流：14A@8/20us

型号：1.5KE400ARL 编号：C1973564

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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5+
￥3.42838
10+
￥3.36927
15+
￥3.31016

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12V 100mA 27V

型号：L79L12ACD13TR 编号：C2970151

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本不会损坏。若配备足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。适用于广泛的应用领域，作为固定电压调节器，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件配合使用，制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，通常可有效改善输出阻抗约两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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单价：
￥0.477141 / 个

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单向TVS 43V截止峰值脉冲电流：25A@8/20us

型号：SMAJ43A-TR 编号：C130095

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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单价：
￥0.365733 / 个

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15V 100mA 35V

型号：L79L15ACUTR 编号：C495224

封装：SOT-89-3

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本不会损坏。若配备足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。适用于广泛的应用领域，作为固定电压调节器，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件配合使用，制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，通常可有效改善输出阻抗约两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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5+
￥1.2826
50+
￥0.99
150+
￥0.8646
500+
￥0.7081
2500+
￥0.6384
5000+
￥0.5966

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单向TVS 6V截止峰值脉冲电流：270A@8/20us

型号：SMA6J6.0A-TR 编号：C1973124

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

数据手册

5+
￥2.29
50+
￥1.78
150+
￥1.57
500+
￥1.3
2500+
￥1.18
5000+
￥1.1

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单向TVS 33V截止峰值浪涌电流：500A@8/20us

型号：STIEC45-33AS 编号：C1973180

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

STIEC45瞬态抑制二极管（Transil）系列专为根据IEC 61000 - 4 - 5标准保护直流电源线而设计。该器件可根据IEC 61000 - 4 - 4和ETS EN 300 386标准保护电路免受电快速瞬变（EFT）影响。同时，依据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883 Method 3015标准提供静电放电保护。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低泄漏电流和高结温，以长期提供可靠性和稳定性。STIEC45器件采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7351标准）。

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1+
￥5.19
10+
￥4.16
30+
￥3.64
100+
￥3.12
500+
￥2.81
1000+
￥2.65

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高带宽低失调轨到轨5V运算放大器

型号：TSV781ILT 编号：C23182957

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

是一款30 MHz带宽的单位增益稳定放大器。轨到轨输入级和20V/μs的压摆率使其非常适合低端电流测量。可在2.0V至5.5V单电源下工作，并且在47pF负载下进行了全面规格设计，因此可轻松用作A/D转换器的输入缓冲器。具有轨到轨输入和输出、出色的速度/功耗比和30 MHz的增益带宽积，在5V时仅消耗3.3mA电流。具有超低输入偏置电流，能够连接到光电二极管和其他以电流为关键测量值的传感器。这些特性使其非常适合高精度、高带宽的传感器接口。

单价：
￥3.904906 / 个

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1个N沟道耐压:600V 电流:51A

型号：STW55NM60ND 编号：C34349

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

这款具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。该创新型器件采用全新条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器

600+
￥64.394
600+
￥62.6378

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单向TVS 5V截止峰值浪涌电流：298A@8/20us

型号：SMA6F5.0A-TR 编号：C1847667

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和5标准所规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和表面贴装（SMFS）应用，这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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1+
￥0.1715
10+
￥0.1674
30+
￥0.1646
100+
￥0.1619

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双向TVS 20.5V截止峰值浪涌电流：93A@8/20us

型号：SM6T24CA 编号：C314020

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SM6T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电气过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期可靠性和稳定性。SM6T采用SMB封装（SMB焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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单价：
￥0.468139 / 个

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单向TVS 58V截止峰值浪涌电流：6.7A@8/20us

型号：SMBJ58A-TR 编号：C133657

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

数据手册

单价：
￥0.444507 / 个

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双向TVS 28V截止峰值脉冲电流：39A@8/20us

型号：SMAJ28CA-TR 编号：C132944

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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单价：
￥0.383739 / 个

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双向TVS 28.2V截止峰值浪涌电流：169A@8/20us

型号：SM15T33CA 编号：C133707

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感设备免受符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电影响，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力影响。这些器件通常用于防护1500 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM15T采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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单价：
￥1.45393 / 个

我要订货

600V 8V~16.6V

型号：L6598D013TR 编号：C411395

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6598器件采用BCD Tm离线技术制造，能够确保高达600 V的额定电压，使其非常适合用于AC/DC适配器以及任何采用谐振拓扑结构有益的场合。该器件旨在以经典半桥拓扑结构驱动两个功率MOSFET。一个专用定时部分允许设计人员设置软启动时间、软启动和最小频率。还提供了一个误差放大器以及两个使能输入。此外，集成的自举二极管和低压电源上的齐纳钳位功能，将应用所需的外部元件数量降至最低。

数据手册

1+
￥24.22
10+
￥20.84
30+
￥18.83

有货

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双向TVS 20V截止峰值浪涌电流：86A@8/20us

型号：SMBJ20CA-TR 编号：C133670

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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单价：
￥0.468139 / 个

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双向TVS 58.1V截止峰值脉冲电流：83A@8/20us

型号：1.5KE68CA 编号：C132954

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥3.06
10+
￥2.39
30+
￥2.1
100+
￥1.75
600+
￥1.59
1200+
￥1.49

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单向TVS 5.8V截止峰值脉冲电流：38A

型号：BZW04-5V8 编号：C3718001

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

单价：
￥0.60993 / 个

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双向TVS 27V截止峰值脉冲电流：968A@8/20us

型号：BZW50-27B 编号：C1665786

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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单价：
￥7.396814 / 个

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单向TVS 23V截止峰值脉冲电流：83A@8/20us

型号：P6KE27A 编号：C133727

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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单价：
￥0.648192 / 个

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双向TVS 10V截止峰值浪涌电流：184A@8/20us

型号：SMBJ10CA-TR 编号：C133678

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

数据手册

单价：
￥0.468139 / 个

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单向ESD 22V截止峰值脉冲电流：140A@8/20us

型号：ESDA24P140-1U3M 编号：C3702408

封装：QFN-3(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

ESDA24P140-1U3M是一款单向单线TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

1+
￥3.38
200+
￥1.31
500+
￥1.27
1000+
￥1.24

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