ST二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZW06-342BRL 编号：C1976812

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：1.5KE180CA 编号：C132975

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：SMA4F40A 编号：C3704788

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA4F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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型号：SMA6F40A 编号：C3699810

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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型号：SMA6J85CA-TR 编号：C1975385

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：ITA6V1U1RL 编号：C1974275

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管阵列通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。ITA系列结合了针对高能脉冲的高浪涌能力和针对静电放电（ESD）的高电压性能。

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型号：SMC30J33CA 编号：C1982307

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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型号：LM335ADT 编号：C361027

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

LM135、LM235、LM335是易于校准的精密温度传感器。它们作为两端齐纳二极管工作，击穿电压与绝对温度成正比，比例系数为10mV / °K。该电路的动态阻抗小于1Ω，工作电流范围为450μA至5mA，且在此范围内其特性保持不变

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型号：STGP10NC60KD 编号：C2970076

封装：TO-220-3

品牌：ST(意法半导体)

特性：较低的导通压降（VCE(sat)）。较低的CReS/CReS比（无交叉导通敏感性）。非常软的超快速恢复反并联二极管。短路耐受时间：10μs。应用：高频电机控制。硬开关和谐振拓扑中的开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）

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型号：BZW50-180B 编号：C500653

封装：R-6

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护电压敏感设备，如MOS技术和低压供电的IC。

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型号：L6388ED 编号：C1549313

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：BZW50-22B 编号：C3712845

封装：R-6

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：STP13NM60ND 编号：C3290250

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

这些具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器

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型号：L293DD 编号：C2971293

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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型号：L78L09ACZ-TR 编号：C2970225

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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型号：L78L33CD-TR 编号：C2942985

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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型号：BZW04-28B 编号：C1665834

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的IC。

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型号：L78L08ABD13TR 编号：C2970381

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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型号：L79L05ACZ-TR 编号：C3749639

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本不会损坏。若配备足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。适用于广泛的应用领域，作为固定电压调节器，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件配合使用，制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，通常可有效改善输出阻抗约两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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型号：SMA6F40AY 编号：C3707300

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6FY瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感的汽车电路，使其免受ISO 7637系列标准定义的浪涌影响，并能根据ISO 10605标准抵御静电放电。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温的高端电路，以提供长期的可靠性和稳定性。

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型号：SMA6J18A-TR 编号：C472582

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：L78L05ABZ-AP 编号：C2969858

封装：TO-226-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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