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首页 > 热门关键词 > TI二极管
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TPD4S010 适用于 USB 3.0 且具有 5A 8/20us 浪涌额定值的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
数据手册
  • 100+

    ¥1.6588
  • 200+

    ¥1.6302
  • 300+

    ¥1.573
LM336-2.5-N 电压基准二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥2.8728 / 个
uA9638C是一款双通道高速差分线路驱动器,设计满足ANSI标准EIA/TIA-422-B。此输入是TTL和CMOS兼容的,并且具有输入钳位二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥24.5916 / 个
TPD1E04U04 适用于 HDMI 2.0 和 USB 3.0 且采用 0402 和 0201 封装的 0.5pF、3.6V、±16kV ESD 保护二极管
数据手册
  • 200+

    ¥0.9
  • 400+

    ¥0.87
  • 800+

    ¥0.855
  • 1600+

    ¥0.825
TPD4E002 四路 11pF、5.5V、±15kV ESD 保护二极管
数据手册
  • 50+

    ¥9.181158
  • 200+

    ¥7.533258
  • 500+

    ¥6.152161
  • 1000+

    ¥5.27328
LM336-5.0 5V 基准电压二极管
数据手册
  • 1+

    ¥8.85
  • 10+

    ¥8.63
  • 30+

    ¥8.48
  • 100+

    ¥8.33
  • 订货
  • 适用于开关模式电源应用中。通过在9mmx7mmQFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器,可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比,低侧电流检测仿真可降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降,可避免高侧电源过充,并且反向恢复电荷为零。具有低静态电流和快速启动时间,支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET导通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。
    数据手册
    • 单价:

      ¥62.0784 / 个
    TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 100+

      ¥1.508
    • 200+

      ¥1.482
    • 300+

      ¥1.43
    是一款高精度(1℃)温度传感器,具有一个本地集成传感器和一个远程温度传感器输入,此输入可连接至一个连接有二极管的晶体管,来取代传统的热敏电阻或热电偶。远程输入还可以连接到集成在微处理器、微控制器或FPGA内的基极热晶体管或二极管,来监控IC的芯片温度。 无论主电源轨如何,都支持逻辑电平低至0.8V的I2C和SMBus通信。这样无需辅助低压电源即可实现与低压1.2V MCU的互操作性
    数据手册
    • 单价:

      ¥3.084142 / 个
    TPS65631 双路输出有源矩阵有机发光二极管 (AMOLED) 显示屏电源
    数据手册
    • 10+

      ¥26.310962
    • 100+

      ¥22.699654
    • 1000+

      ¥20.894
    是高带宽的7通道视频多路分解器,用于在单个VGA源和两个端点之一之间进行切换。该设备旨在通过提供1.3 GHz的高带宽来确保视频信号的完整性并最大限度地减少视频信号的衰减。具有用于HSYNC和VSYNC信号的集成电平转换缓冲器,可在3.3 V和5 V逻辑之间进行电压电平转换。SCL和SDA线使用NMOS开关,可将输出电压钳位到VDD以下1 V。视频信号通过集成二极管连接到VDD和GND进行ESD保护,支持高达±2 kV接触放电(IEC61000-4-2)和7 kV人体模型(JESD22-A114E)的电平。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.79
    • 10+

      ¥33.91
    • 30+

      ¥33.31
    • 100+

      ¥32.72
  • 订货
  • LM25119Q是一款双路同步降压控制器,适用于高压电源或变化范围较大的输入电源的降压稳压器应用。此控制方法基于采用仿真电流斜坡的电流模式控制。电流模式控制可提供内部线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。通过使用仿真电流斜坡可降低脉宽调制电路的噪声灵敏度,从而对高输入电压应用中所需的极小占空比进行可靠控制。开关频率可设定在50kHz至750kHz范围内。LM25119Q器件可驱动支持自适应死区时间控制的外部高侧和低侧N通道MOS功率开关。用户可选二极管仿真模式可实现断续模式运行,从而提高轻负载条件下的效率。凭借高压偏置稳压器以及自动切换至外部偏置的功能,可以进一步提高效率。其他特性包括:热关断、频率同步、逐周期和断续模式电流限制以及可调节线路欠压锁定。该器件采用功耗增强型32引脚无引线WQFN封装,并且配有有利于散热的外露芯片连接焊盘。
    数据手册
    • 10+

      ¥34.1
    • 20+

      ¥33.79
    • 30+

      ¥33.48
    LM136-2.5-N 电压基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥81.09
    • 10+

      ¥78.4
  • 订货
  • TPD1E10B09-Q1 采用 0402 封装的汽车类 10pF、±9V、±20kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.224 / 个
    TPD1E01B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.18pF、±3.6V、±15kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.85
    • 30+

      ¥4.28
    • 250+

      ¥3.82
    • 500+

      ¥3.67
    • 1000+

      ¥3.58
  • 订货
  • TPD2E009 具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.13363 / 个
    10位和8位的三通道、缓冲电压输出、电流输出和ADC输入智能模拟前端 (AFE)。支持电流源,可用于对激光二极管和微型电机进行线性控制。支持高阻态省电模式,并在断电情况下支持高阻态输出,适用于电压输出。可将通道1配置为ADC、电压输出DAC或比较器。电压输出DAC提供强制检测选项,可用作可编程比较器和灌电流。得益于多功能GPIO、函数生成和可编程的非易失性存储器 (NVM),可用于无处理器的应用和设计复用。自动检测SPI或I2C接口,并包含内部基准。适合于无源光纤网络 (PON) 中激光二极管功率控制和电吸收调制激光器 (EML) 控制等应用以及其他工业激光应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.83
    • 10+

      ¥20.33
    • 30+

      ¥19.99
    • 100+

      ¥19.66
  • 订货
  • LM93 是一个硬件监控器,具有 SMBus 2.0 兼容的串行数字接口,可以测量两个远程二极管连接晶体管的温度以及其自身芯片的温度和16个电源电压。它还具有基于查找表的自主风扇控制功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥98.9
    • 10+

      ¥94.26
    • 30+

      ¥86.23
    • 100+

      ¥79.23
  • 订货
  • LM336-2.5-N 电压基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥4.65
    • 10+

      ¥3.97
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥3.09
    • 500+

      ¥2.97
    • 1000+

      ¥2.89
  • 订货
  • LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 50+

      ¥6.036753
    • 200+

      ¥4.953233
    • 500+

      ¥4.04514
    • 1000+

      ¥3.467264
    DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
    数据手册
    • 100+

      ¥4.64
    • 200+

      ¥4.56
    • 300+

      ¥4.4
    LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.7
    • 10+

      ¥6.57
    • 30+

      ¥6.49
    • 100+

      ¥6.4
  • 订货
  • LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥10.99
    • 10+

      ¥9.22
    • 30+

      ¥8.1
    • 100+

      ¥6.75
    • 500+

      ¥6.24
    • 1000+

      ¥6.02
  • 订货
  • TPD1E04U04 适用于 HDMI 2.0 和 USB 3.0 且采用 0402 和 0201 封装的 0.5pF、3.6V、±16kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.6352 / 个
    LM25017是一款48V、650mA的同步降压调节器,具有宽输入电压范围(7.5V至48V),恒定导通时间控制方案,无需环路补偿,提供快速瞬态响应和非常高的降压比。内置高侧和低侧MOSFET,无需肖特基二极管。具有可调输出电压、峰值电流限制、欠压锁定、远程关断等保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.83
    • 10+

      ¥12.56
    • 30+

      ¥12.38
    • 100+

      ¥12.21
  • 订货
  • TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥12.88
    • 10+

      ¥11.2
    • 30+

      ¥10.15
    • 250+

      ¥9.08
    • 500+

      ¥8.59
    • 1000+

      ¥8.38
  • 订货
  • LM285-2.5-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥11.8692 / 个
    UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 50+

      ¥9.52
    • 100+

      ¥9.35
    • 150+

      ¥9.265
    UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 2500+

      ¥7.8309
    • 5000+

      ¥7.75971
    • 7500+

      ¥7.68852
    LM336-5.0 5V 基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥17.02
    • 10+

      ¥14.84
    • 30+

      ¥13.47
    • 100+

      ¥12.07
    • 500+

      ¥11.43
    • 1000+

      ¥11.16
  • 订货
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