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首页 > 热门关键词 > TI二极管
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TPS65137AS 250mA 双通道输出有源矩阵有机发光二极管 (AMOLED) 显示屏电源
数据手册
  • 1+

    ¥12.68
  • 10+

    ¥10.69
  • 30+

    ¥9.44
  • 有货
  • UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.68
    • 10+

      ¥18.23
    • 30+

      ¥17.94
  • 有货
  • TPS61093-Q1是一款高集成度和高可靠性的低输入升压转换器,具有20V内部开关FET、输入/输出隔离开关以及功率二极管。当输出电流超出过载限值时,隔离开关会断开,使输出与输入断开连接,以保护IC和输入电源。该IC具有1.2MHz固定开关频率,输入电压范围为1.6V至6V,输出电压最高可升压至17V。保护特性包括逐周期1.1A峰值过流保护、输出过压保护、热关断以及欠压闭锁。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.25
    • 10+

      ¥27.58
    • 30+

      ¥27.14
  • 有货
  • SN75ALS191是一款高速双差分线驱动器,符合ANSI标准EIA/TIA-422-B和ITU建议V.11。输入兼容TTL和CMOS,并具有输入箝位二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥30.57
    • 10+

      ¥26.06
    • 30+

      ¥23.38
  • 有货
  • 是一款集成式智能栅极驱动器,适用于12V和24V汽车类三相BLDC应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。使用集成式自举二极管和GVDD电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持0.8mA至1A(拉电流)和2A(灌电流)的可配置峰值栅极驱动电流
    数据手册
    • 1+

      ¥61.65
    • 10+

      ¥59.6
  • 有货
  • LM136-5.0 5.0V 基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥97.63
    • 10+

      ¥94.22
  • 有货
  • LM136-5.0 5.0V 基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥117.58
    • 10+

      ¥113.72
  • 有货
  • LM136-5.0 5.0V 基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥118.24
    • 10+

      ¥114.47
  • 有货
  • LM136-2.5-N 电压基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥139.6
    • 10+

      ¥135.16
  • 有货
  • TPD2E2U06-Q1 适用于 USB 和高速接口的汽车类双路 1.5pF、5.5V、±25kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.750197 / 个
    LM336-5.0 5V 基准电压二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥4.47 / 个
  • 有货
  • 是用于标准和逻辑电平N沟道MOSFET功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真,可减少输出整流器的损耗,并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (VDS) 传感控制方案允许使用多个拓扑结构,例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM反激式和LLC等。集成特性可简化设计工作,使在各种频率下的应用中表现卓越
    数据手册
    • 1+

      ¥4.99
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.8
  • 有货
  • LM336-2.5-N 电压基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.42
    • 10+

      ¥4.33
    • 30+

      ¥3.79
    • 100+

      ¥3.25
  • 有货
  • LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.44
    • 10+

      ¥4.38
    • 30+

      ¥3.85
    • 100+

      ¥3.33
  • 有货
  • DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.05
    • 10+

      ¥5.8
    • 30+

      ¥5.11
    • 100+

      ¥4.33
  • 有货
  • UCC23511-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (ediode),这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比,可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm,塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23511-Q1 具有高性能和高可靠性,因此非常适合用于汽车电机驱动器,例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.51
    • 10+

      ¥12.2
    • 30+

      ¥11.99
  • 有货
  • 电子保险丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。此类器件提供采用少量外部元件的多种保护模式,能够非常有效地抵御过载、短路、电压浪涌和过多浪涌电流。集成式背对背 FET 可帮助阻止从输出端到输入端的反向电流流动,从而使该器件非常适合电源多路复用器和 ORing 应用以及需要负载侧能量保持存储解决方案的系统(如果输入电源发生故障)。此类器件采用基于线性 ORing 的方案,可确保实现几乎为零的直流反向电流,并以最小的正向压降和功率耗散来仿真理想的二极管行为。该器件还提供了一个外部引脚控制选项,用于禁用反向电流阻断并允许稳态双向电力输送。 可以使用单个外部电容器来调节输出压摆率和浪涌电流
    数据手册
    • 1+

      ¥13.45
    • 10+

      ¥13.11
    • 30+

      ¥12.89
  • 有货
  • AFE49130 是一个用于光学生物传感/PPG 和 ECG 测量应用的模拟前端。该设备支持多达六个开关发光二极管 (LED) 和多达四个光电二极管。最多可以定义 24 个信号相位,并可以从每个相位同步获取 PPG 或 ECG 信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥57.77
    • 10+

      ¥56.42
    • 30+

      ¥55.52
  • 有货
  • LM185-1.2-N 微功耗电压基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥119.19
    • 10+

      ¥115.37
  • 有货
  • 是精密、易于校准的集成电路温度传感器。作为两端齐纳二极管工作,击穿电压与绝对温度成正比,比例为10mV/°K。动态阻抗小于1Ω,在400μA至5mA的电流范围内工作,性能几乎无变化。在25°C校准后,在100°C的温度范围内误差通常小于1°C。与其他传感器不同,具有线性输出。可用于-55°C至150°C温度范围内的几乎任何类型的温度传感。低阻抗和线性输出使其易于与读出或控制电路连接。有不同的温度工作范围,采用密封TO晶体管封装,部分也有塑料TO-92封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥124.41
    • 10+

      ¥120.14
  • 有货
  • LM136A-2.5QML 2.5V 基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥299.03
    • 30+

      ¥283.02
  • 有货
  • 是双外设驱动器,设计用于采用 TTL 逻辑的系统。该系列在功能上可与之前生产的 SN75450 系列和 SN75450A 系列设备互换并替代它们。设备的速度与 SN75450 系列相同,并且这些部件设计为确保无闭锁现象。二极管钳位输入简化了电路设计。SNx5451B、SNx5452B、SNx5453B 和 SNx5454B 设备分别是双外设与门、与非门、或门和或非门驱动器(假设为正逻辑),逻辑门的输出在内部连接到 NPN 输出晶体管的基极。SN5545xB 驱动器的工作温度范围为 -55℃ 至 125℃。SN7545xB 驱动器的工作温度范围为 0℃ 至 70℃。
    数据手册
    • 1+

      ¥329.79
    • 30+

      ¥312.44
  • 有货
  • TPD1E10B06 采用 0402 和 SOD-523 封装的 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 1000+

      ¥0.5405
    • 5000+

      ¥0.517
    TPD7S019设备是集成了静电放电(ESD)电路保护解决方案的VGA和DVI-I连接器。它集成了瞬态电压抑制(TVS)保护二极管,用于VIDEO, DDC和SYNC信号,并符合IEC61000-4-2标准±8-kV接触ESD保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0165
    • 50+

      ¥0.9905
    • 150+

      ¥0.9732
  • 有货
  • DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.6
    • 10+

      ¥3.51
    • 30+

      ¥3.45
  • 有货
  • LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.14
    • 10+

      ¥5.02
    • 30+

      ¥4.94
  • 有货
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET;在 DRC 封装中启用/禁用功能;禁用时消耗的电流很低 (7μA);16ns 典型传播延迟;1800pF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间典型值为 10ns;1ns 典型延迟匹配;集成式 100V 自举二极管;8V 典型欠压锁定;输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V);HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V);±3A 峰值输出电流;绝对最大启动电压为 120V;输入相互独立且 VDD;两个通道的欠压锁定;额定结温范围为 –40°C 至 140°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥5.36
    • 30+

      ¥5.26
  • 有货
  • LM336-2.5-N 电压基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.5
    • 30+

      ¥3.96
  • 有货
  • LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥7.48
    • 10+

      ¥7.31
    • 30+

      ¥7.2
  • 有货
  • DRV8300U 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V(最大值)简单三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.03
    • 10+

      ¥7.83
    • 30+

      ¥7.69
  • 有货
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