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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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描述
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操作
特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻:Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)
  • 10+

    ¥0.4648
  • 100+

    ¥0.3736
  • 300+

    ¥0.328
  • 1000+

    ¥0.2938
  • 5000+

    ¥0.2664
  • 有货
  • 施密特反相器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4976
    • 50+

      ¥0.4363
    • 150+

      ¥0.4057
    • 500+

      ¥0.3644
    • 2500+

      ¥0.346
  • 有货
  • 特性:出色的hPE线性度:在VCE = -6 V,IC = -400 mA时,hPE(μ) = 25(最小值)。 高电压:VCEO = -50 V(最小值)。 与2SC3325互补。 小封装。应用:音频低功率放大器应用。 驱动级放大器应用
    • 5+

      ¥0.5143
    • 50+

      ¥0.4039
    • 150+

      ¥0.3487
    • 500+

      ¥0.3073
    • 2500+

      ¥0.2742
  • 有货
  • 特性:包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件。 内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。 与RN2901至RN2906互补。应用:开关电路。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5491
    • 50+

      ¥0.4291
    • 150+

      ¥0.3691
    • 500+

      ¥0.3241
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5618
    • 50+

      ¥0.4423
    • 150+

      ¥0.3825
    • 500+

      ¥0.3377
    • 3000+

      ¥0.2869
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 95 mΩ(最大值)(VGS = 10 V),RDS(ON) = 140 mΩ(最大值)(VGS = 4.5 V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6005
    • 50+

      ¥0.4802
    • 150+

      ¥0.4201
    • 500+

      ¥0.375
    • 3000+

      ¥0.3389
    • 6000+

      ¥0.3209
  • 有货
  • 特性:宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±8.0mA(最小值)。 超高速运行:在 VCC = 3.3V、CL = 15pF 时,tpd = 2.5ns(典型值)。 工作电压范围:VCC = 0.9 至 3.6V。 3.6V 耐受输入。 3.6V 掉电保护输出
    • 5+

      ¥0.6558
    • 50+

      ¥0.5676
    • 150+

      ¥0.5298
    • 500+

      ¥0.4827
  • 有货
  • TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC,具备压摆率控制驱动器,具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下,典型导通电阻仅为 34 mΩ,输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8394
    • 50+

      ¥0.6712
    • 150+

      ¥0.5871
    • 500+

      ¥0.47169 ¥0.5241
    • 2500+

      ¥0.42633 ¥0.4737
    • 5000+

      ¥0.40356 ¥0.4484
  • 有货
  • 双2输入与门
    • 5+

      ¥0.913
    • 50+

      ¥0.7918
    • 150+

      ¥0.7399
    • 500+

      ¥0.6751
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125°C。 高速运行:tpd = 4.3 ns(典型值)(VCC = 5.0 V,CL = 15 pF)。 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)(Ta = 25°C)。 高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。 5.5 V 耐压输入。 宽工作电压范围:VCC = 2.0 至 5.5 V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9317
    • 50+

      ¥0.7301
    • 150+

      ¥0.6437
    • 500+

      ¥0.5119
  • 有货
  • 四2输入或门 74VHCT32AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或门。
    • 5+

      ¥0.9554
    • 50+

      ¥0.8294
    • 150+

      ¥0.7754
    • 500+

      ¥0.708
  • 有货
  • 是高速C²MOS反相器,采用硅栅C²MOS技术制造。能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持C²MOS低功耗。内部电路由单级反相器组成,可用于晶体振荡。输入配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9939
    • 50+

      ¥0.7772
    • 150+

      ¥0.6843
    • 500+

      ¥0.5426
  • 有货
  • 同步可预置4位计数器 74VHC161FT:二进制、异步清零;74VHC163FT:二进制、同步清零。74VHC161FT和74VHC163FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS同步可预置4位二进制计数器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.113203 ¥1.2233
    • 50+

      ¥0.873018 ¥1.0778
    • 150+

      ¥0.721005 ¥1.0155
    • 500+

      ¥0.665767 ¥0.9377
    • 2500+

      ¥0.641201 ¥0.9031
    • 5000+

      ¥0.626433 ¥0.8823
  • 有货
  • TC7WT125FU 是采用硅栅 CMOS 技术制造的高速 CMOS 双总线缓冲器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,能实现与等效 LSTTL 相似的高速运行。其输入阈值电平与 TTL 输出电压兼容
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3285
    • 50+

      ¥1.15
    • 150+

      ¥1.0735
    • 500+

      ¥0.978
  • 有货
  • 特性:在线性模式下,输入共模电压范围包含地。 内部补偿的运算放大器采用小封装。 低功耗和低电流消耗,适合电池供电。 差分输入电压范围等于电源电压。 大输出电压摆幅:0VDC 至 3.4VDC(VDC = 5V)。 宽电源电压范围,支持单电源供电。 单电源 3VDC 至 12VDC 或双电源 ±1.5VDC 至 ±6VDC
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4794
    • 50+

      ¥1.1468
    • 150+

      ¥1.0042
    • 500+

      ¥0.8264
  • 有货
  • 该产品是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 2输入施密特与非门。 它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。 引脚配置和功能与74VHC00FT相同,但输入具有滞后特性,凭借其施密特触发器功能,可作为接收慢速输入信号的线路接收器。 输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5至3V系统和双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥1.507
    • 50+

      ¥1.2046
    • 150+

      ¥1.075
    • 500+

      ¥0.9133
    • 2500+

      ¥0.8413
    • 5000+

      ¥0.798
  • 有货
  • 双总线缓冲器,具有三态输出
    • 5+

      ¥1.5453
    • 50+

      ¥1.1421
    • 150+

      ¥0.9693
    • 500+

      ¥0.7537
    • 2500+

      ¥0.6577
  • 有货
  • 低电压八进制总线缓冲器,输入和输出具有5V容限。是高性能CMOS八进制总线缓冲器,专为3.3V系统设计,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC应用而设计,但可用于与5V电源环境进行输入和输出接口。是具有两个低电平有效输出使能的非反相三态缓冲器,设计用于与三态存储器地址驱动器等一起使用。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.5803
    • 50+

      ¥1.3913
    • 150+

      ¥1.3103
    • 500+

      ¥1.2092
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE (sat) =-0.5V (最大值) (IC =-1.5A)。 高速开关时间:tSTG = 0.2 μs (典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0 W (安装在陶瓷基板上)。 与2SC4541互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6854
    • 50+

      ¥1.3326
    • 150+

      ¥1.1814
    • 1000+

      ¥0.9928
  • 有货
  • 74VHC373FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器,具有三态输出。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。
    • 1+

      ¥1.72
    • 10+

      ¥1.49
    • 30+

      ¥1.39
    • 100+

      ¥1.26
    • 500+

      ¥1.21
    • 1000+

      ¥1.17
  • 有货
  • 低电压八进制 D 型锁存器,具有 5V 容限输入和输出。为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于输入和输出端与 5V 电源环境接口。这个 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9422 ¥2.34
    • 10+

      ¥1.5038 ¥2.06
    • 30+

      ¥1.2222 ¥1.94
    • 100+

      ¥1.1277 ¥1.79
    • 500+

      ¥1.0899 ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.0647 ¥1.69
  • 有货
  • 特性:高电压:VcBO = -300V。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V (max)。 小集电极输出电容:Cob = 5.5 pF (typ.)。 与2SC4497互补。应用:等离子显示器高压控制应用。 数码管驱动应用
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0066
    • 50+

      ¥1.5559
    • 150+

      ¥1.3628
    • 500+

      ¥1.1218
  • 有货
  • 由通用双极单电源器件组成,包含一个可用于开启/关闭的控制引脚。输出电路内置过温、过流保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0234
    • 50+

      ¥1.5698
    • 150+

      ¥1.3754
    • 500+

      ¥1.1329
  • 有货
    • 1+

      ¥2.0305 ¥6.55
    • 10+

      ¥1.2495 ¥5.95
    • 30+

      ¥0.6182 ¥5.62
    • 100+

      ¥0.5775 ¥5.25
    • 500+

      ¥0.5588 ¥5.08
    • 1000+

      ¥0.5511 ¥5.01
  • 有货
  • 特性:4.5V驱动。 低导通电阻:RDS(ON) = 8.0mΩ(典型值)(VGS = 4.5V);RDS(ON) = 6.5mΩ(典型值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥2.1704
    • 50+

      ¥1.691
    • 150+

      ¥1.4855
    • 500+

      ¥1.2291
  • 有货
    • 5+

      ¥2.2006
    • 50+

      ¥1.747
    • 150+

      ¥1.5526
    • 500+

      ¥1.31
    • 3000+

      ¥1.202
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 3.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    • 1+

      ¥2.36
    • 10+

      ¥2.08
    • 50+

      ¥1.94
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.72
    • 1000+

      ¥1.68
  • 有货
  • RF用途,N沟道,10V,0.5A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.4
    • 10+

      ¥1.87
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.36
    • 500+

      ¥1.24
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻:RDS(ON) = 23 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。增强模式:VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用:汽车。电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.74
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

      ¥2.31
    • 100+

      ¥1.6926 ¥2.17
    • 500+

      ¥1.6224 ¥2.08
    • 1000+

      ¥1.5912 ¥2.04
  • 有货
  • 是先进的高速CMOS八进制总线收发器,采用硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信,数据传输方向由DIR输入电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用设备,使总线有效隔离。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.35
    • 10+

      ¥2.99
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.63
    • 500+

      ¥2.52
    • 1000+

      ¥2.47
  • 有货
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