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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。 增强模式:VtG = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用:开关稳压器
数据手册
  • 1+

    ¥7.22
  • 10+

    ¥6.59
  • 50+

    ¥6.19
  • 100+

    ¥5.78
  • 500+

    ¥5.6
  • 有货
  • TC74HC540A/TC74HC541A是采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS八进制总线缓冲器。它们能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。TC74HC540A为反相类型,TC74HC541A为同相类型
    数据手册
    • 1+

      ¥8.04
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥5.81
    • 100+

      ¥4.92
    • 500+

      ¥4.52
    • 1000+

      ¥4.34
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间:trr = 110 ns(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.15Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VCu = 3至4.5V,VDS = 10V,ID = 1mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.77
    • 10+

      ¥7.99
    • 50+

      ¥7.51
    • 100+

      ¥7.01
    • 500+

      ¥6.79
  • 有货
  • 全桥直流电机驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥13.22
    • 10+

      ¥10.93
    • 30+

      ¥9.5
    • 100+

      ¥8.04
  • 有货
  • 隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中,电机电流流经外部电阻,产生的模拟电压降由隔离放大器感应。
    • 1+

      ¥26.26
    • 10+

      ¥22.44
    • 30+

      ¥20.17
    • 100+

      ¥17.88
    • 500+

      ¥16.82
    • 1500+

      ¥16.34
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.051 Ω(典型值)。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式:Vth = 3 至 4V(VDS = 10V,ID = 1.69mA)。应用:开关电源
    • 1+

      ¥33.66
    • 10+

      ¥32.79
    • 30+

      ¥32.22
    • 100+

      ¥31.64
  • 有货
    • 1+

      ¥41.38
    • 10+

      ¥35.84
    • 30+

      ¥32.46
    • 100+

      ¥29.64
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压和高电流:VCBO = 50 V,IC = 150 mA(最大值)。 出色的hFE线性度:hFE (IC = 0.1 mA) / hFE(IC = 2 mA) = 0.95(典型值)。 高hFE:hFE = 70至700。 低噪声:NF = 1 dB(典型值),10 dB(最大值)。 与2SA1586互补。应用:音频通用放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2412
    • 100+

      ¥0.188
    • 300+

      ¥0.1614
    • 3000+

      ¥0.1414
    • 6000+

      ¥0.1255
    • 9000+

      ¥0.1175
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2687
    • 100+

      ¥0.2144
    • 300+

      ¥0.1873
    • 3000+

      ¥0.1466
    • 6000+

      ¥0.1303
  • 有货
  • 特性:1.8V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 56mΩ(最大值)(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 72mΩ(最大值)(@VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 109mΩ(最大值)(@VGS = 1.8V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    • 10+

      ¥0.3916
    • 100+

      ¥0.3249
    • 300+

      ¥0.2915
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = -120V。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 高hFE:hFE = 200至700。 低噪声:NF = 1dB (典型值),10dB (最大值)。 与2SC2713互补。应用:音频通用放大器应用
    • 5+

      ¥0.4501
    • 50+

      ¥0.3526
    • 150+

      ¥0.3038
    • 500+

      ¥0.2673
    • 3000+

      ¥0.2381
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2301至RN2306互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5491
    • 50+

      ¥0.4291
    • 150+

      ¥0.3691
    • 500+

      ¥0.3241
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.5609
    • 50+

      ¥0.4389
    • 150+

      ¥0.3779
    • 500+

      ¥0.3321
    • 2500+

      ¥0.2955
    • 4000+

      ¥0.2772
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 采用US6封装(超小型6引脚),包含两个器件。 集成偏置电阻,减少所需外部部件数量,可减小系统尺寸和组装时间。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.6149
    • 50+

      ¥0.4805
    • 150+

      ¥0.4133
    • 500+

      ¥0.3629
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 小封装(双类型)。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1901至RN1906互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.629
    • 50+

      ¥0.545
    • 150+

      ¥0.509
    • 500+

      ¥0.464
  • 有货
  • 特性:紧凑型封装,适合高密度安装。 低导通电阻:RDS(ON) = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V);RDS(ON) = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7378
    • 50+

      ¥0.5938
    • 150+

      ¥0.5218
    • 500+

      ¥0.4678
    • 2500+

      ¥0.4066
    • 4000+

      ¥0.385
  • 有货
  • 2-输入与门
    • 5+

      ¥0.7582
    • 50+

      ¥0.5902
    • 150+

      ¥0.5062
    • 500+

      ¥0.4432
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.2mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IRSS = 10μA(最大值)(VDS = 30V)。 增强模式:VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8813
    • 50+

      ¥0.7763
    • 150+

      ¥0.7313
    • 500+

      ¥0.6751
  • 有货
  • 适用于低频功率放大器应用和功率开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9429
    • 50+

      ¥0.7377
    • 150+

      ¥0.6497
    • 500+

      ¥0.54
  • 有货
  • 是一款在输入端具有施密特触发功能的单电路反相器。由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电压不同 (VP、VN),除了普通反相器功能外,还可用于广泛的应用领域。
    • 5+

      ¥0.9496
    • 50+

      ¥0.7649
    • 150+

      ¥0.6725
    • 500+

      ¥0.6032
  • 有货
  • 特性:宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA(最小值)。 超高速运行:在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时,tpd = 2.4ns(典型值)。 工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 容限输入。 5.5V 掉电保护输出。 在 3.3VVCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列相匹配
    • 5+

      ¥1.0607
    • 50+

      ¥0.9452
    • 150+

      ¥0.8957
    • 500+

      ¥0.834
    • 3000+

      ¥0.7115
    • 6000+

      ¥0.695
  • 有货
  • 双总线缓冲器,具有三态输出
    • 5+

      ¥1.1405
    • 50+

      ¥0.9872
    • 150+

      ¥0.9215
    • 500+

      ¥0.8395
  • 有货
  • 适用于电源管理开关应用和高速开关应用,具有低导通电阻的特点。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.426
    • 50+

      ¥1.1451
    • 150+

      ¥1.0247
    • 500+

      ¥0.8744
    • 3000+

      ¥0.8076
    • 6000+

      ¥0.7674
  • 有货
  • TCR5RG系列是带有开/关控制输入的CMOS通用单输出电压调节器,具有低压差和超高纹波抑制比的特点。这些电压调节器的固定输出电压范围为0.9 V至5.0 V,能够驱动高达500 mA的电流。它们具备过流保护、热关断和自动放电功能
    • 5+

      ¥1.4811
    • 50+

      ¥1.2816
    • 150+

      ¥1.1961
    • 500+

      ¥1.0894
    • 2500+

      ¥1.0419
  • 有货
  • 74VHC153FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS双4通道多路复用器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.685
    • 50+

      ¥1.33
    • 150+

      ¥1.1778
    • 500+

      ¥0.88911 ¥0.9879
    • 2500+

      ¥0.81306 ¥0.9034
    • 5000+

      ¥0.76734 ¥0.8526
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成,可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 1+

      ¥1.75
    • 10+

      ¥1.51
    • 30+

      ¥1.42
    • 100+

      ¥1.29
    • 500+

      ¥1.24
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • 特性:高正向传输导纳:|Yfs| = 15 mS(典型值),VDS = 10 V,VGS = 0。 高击穿电压:VGD_S =-30 V。 低噪声:NF = 1.0 dB(典型值),VDS = 10 V,ID = 0.5 mA,f = 1 kHz,RG = 1 kΩ。 高输入阻抗:IGSS =-1 nA(最大值),VGS =-30 V。 小封装。应用:音频频率低噪声放大器应用
    • 5+

      ¥1.8413
    • 50+

      ¥1.4381
    • 150+

      ¥1.2653
    • 500+

      ¥1.0497
    • 3000+

      ¥0.9537
  • 有货
  • 低电压八进制 D 型锁存器,具有 5V 容限输入和输出。为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于输入和输出端与 5V 电源环境接口。这个 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9422 ¥2.34
    • 10+

      ¥1.5038 ¥2.06
    • 30+

      ¥1.2222 ¥1.94
    • 100+

      ¥1.1277 ¥1.79
    • 500+

      ¥1.0899 ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.0647 ¥1.69
  • 有货
  • TC7WT125FU是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双总线缓冲器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。其输入阈值电平与TTL输出电压兼容
    • 1+

      ¥2.03
    • 10+

      ¥1.76
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 99.6mΩ(最大值) (VG S =-1.5V)。RDS(ON) = 67.8mΩ(最大值) (VG S =-1.8V)。RDS(ON) = 51.4mΩ(最大值) (VG S =-2.5V)。RDS(ON) = 42.7mΩ(最大值) (VG S =-4.5V)
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1699
    • 50+

      ¥1.6864
    • 150+

      ¥1.4791
    • 500+

      ¥1.2205
  • 有货
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