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首页 > 热门关键词 > UMW二极管
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特性:设计用于保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态事件的影响。峰值功率:350 W (8 x 20 μs)。低泄漏。低钳位电压。适用于便携式电子产品的小封装。符合IEC61000-4-2 4级标准。符合IEC6100-4-4 4级标准。符合16 kV人体模型ESD要求。这些器件为无铅器件,符合RoHS标准
数据手册
  • 20+

    ¥0.1822
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  • 特性:对一条线路进行瞬态电压抑制(TVS)保护。 最大峰值脉冲功率:Pₚₚ = 890 W。 低钳位电压:V_CL = 19 V。 低泄漏电流:I_RM = 300 nA。 ESD保护高达30 kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及外围设备。 音频和视频设备
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  • 有货
  • 设计用于需要瞬态过电压保护能力的应用。适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
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  • 有货
  • 保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。采用SOD-323封装,工作电压为12V。
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  • 特性:250瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 ESD保护 > 40千伏。 保护一条双向线路或两条单向线路。 工作电压:5V、12V、15V、24V和36V。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (空气),8kV (接触)。应用:手机及配件。 控制与监测系统
    • 20+

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  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -30V。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 54mΩ (VGS = -4.5V)。应用:移动计算负载开关。 笔记本适配器开关
    数据手册
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  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 RDS(ON)<2Ω(VGS=10V)。 RDS(ON)<2.2Ω(VGS=4.5V)。应用:Notebook。 Load Switch
    数据手册
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  • 有货
  • 用于保护敏感电子设备免受静电放电和其他电压瞬态事件的损坏或闩锁。适用于电路板空间有限的应用。可保护多达两条线路。双向器件,可用于信号极性高于地的线路。
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  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册
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  • 静电放电(ESD)
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  • 为USB3.0、HDMI1.3/1.4和其他高速端口提供ESD保护。可用于满足IEC 61000-4-2的ESD抗扰度要求。旨在最小化ESD峰值钳位和TLP钳位。动态电阻最小化(典型值0.47Ω),以对敏感电路进行最佳保护。
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    • 20+

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  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,可提供出色的Rps(on)。 低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -20V。 ID = -3A (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 66mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = -2.5V)
    数据手册
    • 20+

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  • 线性稳压芯片(LDO)
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  • MOS(场效应管)
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    • 3000+

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    • 9000+

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    • 21000+

      ¥0.1052
  • 有货
  • 是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器,适合替代便携式电子产品中的多个分立元件,专门用于保护电源线。
    数据手册
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      ¥0.2238
    • 200+

      ¥0.1733
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    • 3000+

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    • 21000+

      ¥0.1059
  • 有货
  • TL431是一款可调式三端并联稳压器,在整个工作温度范围内具有出色的热稳定性。通过外部电阻,输出电压可设定为Vref(约2.5V)至36V之间的任意值。
    • 20+

      ¥0.2321
    • 200+

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    • 21000+

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  • 有货
  • 特性:适用于便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。 VDS(V) = 30V。 ID = -1.5A。 RDS(ON) < 90mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 150mΩ (VGS = -4.5V)
    • 20+

      ¥0.2328
    • 200+

      ¥0.1802
    • 600+

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    • 9000+

      ¥0.1183
    • 21000+

      ¥0.1101
  • 有货
  • 该N沟道2.5V特定MOSFET经过特别设计,可最大限度地降低导通电阻,同时保持较低的栅极电荷,以实现卓越的开关性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2352
    • 200+

      ¥0.1872
    • 600+

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    • 3000+

      ¥0.1392
    • 9000+

      ¥0.1248
    • 21000+

      ¥0.1175
  • 有货
  • 是一款高性能单非反相施密特触发器缓冲器,具有施密特触发输入,工作电源电压范围为 0.8V 至 3.6V。采用先进的 CMOS 技术,实现了超高速和高输出驱动能力。
    • 10+

      ¥0.2382
    • 100+

      ¥0.1873
    • 300+

      ¥0.1619
    • 3000+

      ¥0.1428
    • 6000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.1199
  • 有货
  • 此N沟道逻辑电平MOSFET采用专门定制的工艺生产,可最大限度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2402
    • 200+

      ¥0.1872
    • 600+

      ¥0.1578
    • 3000+

      ¥0.1343
    • 9000+

      ¥0.119
    • 21000+

      ¥0.1108
  • 有货
  • 是一种瞬态电压抑制器阵列,旨在保护连接到数据和传输线上的组件免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷击的影响。所有引脚都能承受 30kV ESD 脉冲。
    • 20+

      ¥0.2465
    • 200+

      ¥0.1866
    • 600+

      ¥0.1532
    • 3000+

      ¥0.1333
    • 9000+

      ¥0.1159
    • 21000+

      ¥0.1066
  • 有货
  • 特性:最大输出电流为100mA。 输出电压为3.3V、5V、6V、8V、9V、10V、12V、15V和24V。 热过载保护。 短路电流限制
    • 20+

      ¥0.2572
    • 200+

      ¥0.1935
    • 1000+

      ¥0.1581
    • 2000+

      ¥0.1368
    • 10000+

      ¥0.1184
    • 20000+

      ¥0.1085
  • 有货
  • SN74AUP1G126 是一款来自超低功耗系列的单路同相缓冲器,具有三态输出,可在 0.8V 至 3.6V 的电源电压下工作。
    • 10+

      ¥0.2968
    • 100+

      ¥0.2339
    • 300+

      ¥0.2025
    • 3000+

      ¥0.1789
    • 6000+

      ¥0.1601
    • 9000+

      ¥0.1507
  • 有货
  • 特性:适用于需要瞬态过电压保护能力的应用。 IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。 每 tp = 8 / 20μs 350瓦峰值脉冲功率。 保护一条I/O线(双向)。 低钳位电压。 工作电压:3V、5V、8V、12V、15V、18V、20V、24V、36V。应用:计算机。 打印机
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2991
    • 100+

      ¥0.2381
    • 300+

      ¥0.2075
    • 3000+

      ¥0.1641
    • 6000+

      ¥0.1458
    • 9000+

      ¥0.1366
  • 有货
  • 是具有施密特触发器功能的非门集成电路,可实现数学逻辑运算,Y = A(overline)。采用先进的CMOS工艺设计,具有低功耗和高输出驱动能力。芯片在1.65V至5.5V的VCC电源电压下能良好工作。有多种小型封装形式,可广泛应用于高端精密仪器、小型化低功耗手持设备和人工智能领域。
    • 10+

      ¥0.3359
    • 100+

      ¥0.2625
    • 300+

      ¥0.2258
    • 1000+

      ¥0.1983
    • 5000+

      ¥0.1762
    • 10000+

      ¥0.1652
  • 有货
  • TP321/358 是通用的单路、双路和四路 CMOS 运算放大器,具有低失调、高频响应、低功耗、低电源电压以及轨到轨输入和输出的特点。TP321/358 具有单位增益稳定性,恒定增益带宽积为 1MHz,压摆率为 1V/μs,每个放大器仅消耗 45μA 的电源电流。轨到轨输入和输出特性允许将整个电源电压用于信号范围
    • 10+

      ¥0.3547
    • 100+

      ¥0.2796
    • 300+

      ¥0.242
    • 2500+

      ¥0.2139
    • 5000+

      ¥0.1913
    • 10000+

      ¥0.1801
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 10+

      ¥0.3575
    • 100+

      ¥0.2812
    • 300+

      ¥0.243
    • 3000+

      ¥0.2144
    • 6000+

      ¥0.1915
    • 9000+

      ¥0.18
  • 有货
  • 特性:1500W浪涌能力(1ms)。 出色的钳位能力。 低齐纳阻抗。 快速响应时间:通常从0V到VBR(min)小于1.0ps。 典型IR小于1μA(高于10V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3942
    • 100+

      ¥0.3107
    • 300+

      ¥0.2689
    • 850+

      ¥0.2376
    • 5100+

      ¥0.2126
    • 10200+

      ¥0.2001
  • 有货
  • LM324由四个独立的高增益、内部频率补偿运算放大器组成,这些放大器专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计。也可使用双电源供电,且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运算放大器电路
    • 5+

      ¥0.4128
    • 50+

      ¥0.4031
    • 150+

      ¥0.3966
    • 500+

      ¥0.39
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性,适用于所有电子产品。
    • 10+

      ¥0.4361
    • 100+

      ¥0.3457
    • 300+

      ¥0.3006
    • 2500+

      ¥0.252
    • 5000+

      ¥0.2249
    • 10000+

      ¥0.2113
  • 有货
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