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首页 > 热门关键词 > UMW二极管
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特性:宽电源范围。 单电源:2V 至 36V(非 V 器件测试至 30V,V 后缀器件测试至 32V)。 双电源:±1V 至 ±18V(非 V 器件测试至 ±15V,V 后缀器件测试至 ±16V)。 低电源电流消耗,与电源电压无关:0.8mA(典型值)。 低输入偏置电流:25nA(典型值)。 低输入失调电流:3nA(典型值)。 低输入失调电压:2mV(典型值)。 共模输入电压范围包括地。 差分输入电压范围等于最大额定电源电压:±36V。 低输出饱和电压。 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
  • 5+

    ¥0.631
  • 50+

    ¥0.4975
  • 150+

    ¥0.4307
  • 500+

    ¥0.3806
  • 2500+

    ¥0.3406
  • 4000+

    ¥0.3205
  • 有货
  • LM833是一款双通道音频运算放大器,特别适用于音频和数据信号应用。该器件可在宽范围的单电源和双电源电压下工作,具有低噪声、高增益带宽和高转换速率的特点。它具备低噪声电压、高转换速率、低失真和大相位裕量的特性
    • 5+

      ¥0.7083
    • 50+

      ¥0.5585
    • 150+

      ¥0.4836
    • 500+

      ¥0.4275
    • 2500+

      ¥0.3825
    • 5000+

      ¥0.36
  • 有货
  • 这些器件包含四个独立的高增益、频率补偿运算放大器,专门设计用于在宽电压范围内采用单电源或双电源供电。这些器件包含四个独立的高增益、频率补偿运算放大器,专门设计用于在宽电压范围内采用单电源供电。若两个电源之间的差值为 3 V 至 32 V(LM2902 器件为 3 V 至 26 V),且 VCC 比输入共模电压至少正 1.5 V,也可采用双电源供电
    • 5+

      ¥0.7487
    • 50+

      ¥0.5901
    • 150+

      ¥0.5109
    • 500+

      ¥0.4514
    • 2500+

      ¥0.4038
    • 4000+

      ¥0.38
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.7694
    • 50+

      ¥0.5893
    • 150+

      ¥0.4993
    • 500+

      ¥0.4318
    • 2500+

      ¥0.3778
    • 5000+

      ¥0.3508
  • 订货
  • OPA348系列放大器是采用微型封装的单电源、低功耗CMOS运算放大器。OPA348系列具有1MHz的扩展带宽,电源电流为45μA,适用于2.1V至5.5V单电源的低功耗应用。45μA的低电源电流和0.5pA的输入偏置电流,使OPA348系列成为烟雾探测器和其他传感器等低功耗、高阻抗应用的理想选择
    • 5+

      ¥0.7882
    • 50+

      ¥0.6212
    • 150+

      ¥0.5378
    • 500+

      ¥0.4752
    • 2500+

      ¥0.4251
    • 5000+

      ¥0.4
  • 有货
  • 特性:同步MOSFET,用于笔记本处理器电源同步整流。 用于网络系统中的隔离式DC-DC转换器。 VDSv = 30V。 ID = 17.2A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 5.6mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ (VGS = 4.5V)。应用:笔记本处理器电源同步整流。 网络系统中的隔离式DC-DC转换器
    • 5+

      ¥0.7889
    • 50+

      ¥0.6218
    • 150+

      ¥0.5382
    • 500+

      ¥0.4756
    • 3000+

      ¥0.4254
    • 6000+

      ¥0.4004
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-20V。 RDS(ON)<18mΩ(VGS =-4.5V)。 RDS(ON)<26mΩ(VGS =-2.5V)。 Trench Technology Ultra Low On- Resistance。 Low Profile (<1.1mm)。 Available in Tape & Reel。 2.5V Rated。 Lead- Free
    • 5+

      ¥0.7977
    • 50+

      ¥0.6942
    • 150+

      ¥0.6498
    • 500+

      ¥0.5945
    • 3000+

      ¥0.5698
    • 6000+

      ¥0.555
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷,可用于多种应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7992
    • 50+

      ¥0.6234
    • 150+

      ¥0.5356
    • 500+

      ¥0.4697
    • 2500+

      ¥0.417
    • 5000+

      ¥0.3906
  • 有货
  • 特性:NPNPN五层硅双向器件。 拥有自主知识产权的单面开槽技术,台面玻璃钝化工艺。 背面多层金属化电极。 高阻断电压和高温稳定性。应用:真空吸尘器、电动工具等电机调速器。 固态继电器
    • 5+

      ¥0.8283
    • 50+

      ¥0.653
    • 150+

      ¥0.5654
    • 500+

      ¥0.4996
    • 2500+

      ¥0.4471
    • 5000+

      ¥0.4208
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻。 超低栅极电荷,栅极额定电压为25V。 漏源电压:-30V。 漏极电流:-9A。 导通电阻:当栅源电压为10V时,小于15mΩ;当栅源电压为4.5V时,小于19mΩ
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8334
    • 50+

      ¥0.6665
    • 150+

      ¥0.583
    • 500+

      ¥0.5204
    • 3000+

      ¥0.425
    • 6000+

      ¥0.4
  • 有货
  • 特性:Generation V Technolog。超低导通电阻。表面贴装。完全雪崩额定。无铅
    • 5+

      ¥0.8346
    • 50+

      ¥0.7279
    • 150+

      ¥0.6821
    • 500+

      ¥0.6251
    • 3000+

      ¥0.5997
    • 6000+

      ¥0.5844
  • 有货
  • ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路,由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用,且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻,可与 TTL 和 5V CMOS 兼容,无需逻辑缓冲器即可进行数据处理
    • 5+

      ¥0.8364
    • 50+

      ¥0.6578
    • 150+

      ¥0.5685
    • 500+

      ¥0.5016
    • 2500+

      ¥0.448
    • 4000+

      ¥0.4212
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-40V。 RDS(ON) < 12.3mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 18mΩ(VGS =-4.5V)。 RoHS Compliant。 High performance trench technology for extremely low RDS(ON)。应用:Inverter Power Supplies
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8492
    • 50+

      ¥0.7396
    • 150+

      ¥0.6927
    • 500+

      ¥0.6341
    • 2500+

      ¥0.608
    • 5000+

      ¥0.5923
  • 有货
  • MOS管
    • 5+

      ¥0.8903
    • 50+

      ¥0.701
    • 150+

      ¥0.6063
    • 500+

      ¥0.5353
    • 2500+

      ¥0.4785
    • 5000+

      ¥0.45
  • 有货
  • 这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9906
    • 50+

      ¥0.8108
    • 150+

      ¥0.7209
    • 500+

      ¥0.6534
    • 2500+

      ¥0.577
    • 5000+

      ¥0.55
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = 60V。 ID = 46A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 19mΩ (VGS = 4.5V)。 低栅极电荷。 快速开关。 高电流能力
    • 5+

      ¥1.0096
    • 50+

      ¥0.7904
    • 150+

      ¥0.6965
    • 500+

      ¥0.5793
    • 2500+

      ¥0.5272
    • 5000+

      ¥0.4958
  • 有货
  • 特性:采用先进的沟槽技术设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 符合Rohs标准。 快速开关。 低反向传输电容。 低导通电阻。 低栅极电荷
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0419
    • 50+

      ¥0.8164
    • 150+

      ¥0.7036
    • 500+

      ¥0.619
    • 2500+

      ¥0.4839
    • 5000+

      ¥0.45
  • 有货
  • 特性:三端正电压调节器。 输出电流可达1.2A。 输出电压为5V、6V、8V、9V、12V、15V。 热过载保护。 短路保护。 输出过渡安全工作区保护
    • 5+

      ¥1.0766
    • 50+

      ¥0.8312
    • 150+

      ¥0.726
    • 1000+

      ¥0.5947
    • 2000+

      ¥0.5363
    • 5000+

      ¥0.5012
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=55V。 ID = 30A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 14mΩ(VGS = 10V)。 先进的工艺技术。 超低导通电阻。 175℃工作温度。 快速开关
    • 5+

      ¥1.0872
    • 50+

      ¥0.9468
    • 150+

      ¥0.8866
    • 500+

      ¥0.8115
    • 2500+

      ¥0.7781
    • 5000+

      ¥0.7581
  • 有货
  • TSV631器件为单路运算放大器,具备低电压、低功耗运行特性,且支持轨到轨输入和输出。这些器件的输入偏置电流极低,失调电压也很低,非常适合需要高精度的应用。它们可在1.5 V至5.5 V的电源电压范围内工作,因此非常适用于电池供电设备,有助于延长电池使用寿命
    • 5+

      ¥1.1005
    • 50+

      ¥0.961
    • 150+

      ¥0.9013
    • 500+

      ¥0.8267
    • 3000+

      ¥0.7935
    • 6000+

      ¥0.7736
  • 有货
  • TSV6390、TSV6391及其“A”版本均为单运算放大器,可实现低电压、低功耗运行,且具备轨到轨输入和输出功能。TSV6390和TSV6391的输入偏置电流极低,失调电压也很低(A版本最大为500 μV),非常适合需要高精度的应用。这些器件可在1.5至5.5 V的电源电压范围内工作,因此非常适合电池供电设备,有助于延长电池使用寿命
    • 5+

      ¥1.1535
    • 50+

      ¥1.0074
    • 150+

      ¥0.9447
    • 500+

      ¥0.8666
    • 3000+

      ¥0.8318
    • 6000+

      ¥0.8109
  • 有货
    • 5+

      ¥1.1535
    • 50+

      ¥1.0074
    • 150+

      ¥0.9447
    • 500+

      ¥0.8666
    • 3000+

      ¥0.8318
    • 6000+

      ¥0.8109
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = 60V。 RDS(ON) < 47mΩ (VGS = 5V)。 UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)。 为5V栅极驱动优化设计。 SOA受功率耗散限制。 纳秒级开关速度。 线性传输特性。 高输入阻抗。 多数载流子器件。 可直接由CMOS、NMOS和TTL电路驱动
    • 5+

      ¥1.2137
    • 50+

      ¥0.9519
    • 150+

      ¥0.8398
    • 500+

      ¥0.6998
    • 2500+

      ¥0.6375
    • 5000+

      ¥0.6
  • 有货
  • TSV91x 系列单通道、双通道和四通道运算放大器专为通用应用。此系列器件具有轨至轨输入和输出 (RRIO)摆幅、宽带宽 (8MHz) 和低失调电压(0.3mV 典型值)等特性,专为需要在速度与功耗之间实现良好平衡的各种应用而设计。该运算放大器单位增益稳定,具有极低输入偏置电流,这些特性使其适用于具有高源阻抗的应用。
    • 5+

      ¥1.2165
    • 50+

      ¥0.9535
    • 150+

      ¥0.8408
    • 500+

      ¥0.7002
    • 2500+

      ¥0.6376
    • 5000+

      ¥0.6
  • 有货
  • 设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。 具有双 CMOS 输入,其阈值参考 VDD,可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。
    • 5+

      ¥1.2273
    • 50+

      ¥0.9597
    • 150+

      ¥0.845
    • 500+

      ¥0.7019
    • 3000+

      ¥0.6382
    • 6000+

      ¥0.6
  • 有货
  • OP07C是一款高精度运算放大器,其最大失调电压控制在150 μV以内,增益达到200 V/mV。因此,OP07C特别适用于仪器仪表等领域。
    • 5+

      ¥1.2457
    • 50+

      ¥0.9782
    • 150+

      ¥0.8635
    • 500+

      ¥0.7204
    • 2500+

      ¥0.6567
    • 5000+

      ¥0.6185
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=650V 。 ID = 7A 。 RDS(ON)≤ 1.4Ω (VGS = 10V)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2856
    • 50+

      ¥1.0007
    • 150+

      ¥0.8786
    • 500+

      ¥0.7263
    • 2500+

      ¥0.6584
    • 5000+

      ¥0.6177
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥1.3178
    • 50+

      ¥1.033
    • 150+

      ¥0.9109
    • 500+

      ¥0.7586
    • 3000+

      ¥0.6907
    • 6000+

      ¥0.65
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥1.3567
    • 50+

      ¥1.1833
    • 150+

      ¥1.1089
    • 500+

      ¥1.0162
    • 2500+

      ¥0.9748
    • 5000+

      ¥0.9501
  • 有货
  • UCC27519器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UCC27519的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容
    • 5+

      ¥1.4192
    • 50+

      ¥1.1124
    • 150+

      ¥0.981
    • 500+

      ¥0.8169
    • 3000+

      ¥0.7439
    • 6000+

      ¥0.7001
  • 有货
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