VISHAY二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMSZ5258B-E3-08 编号：C3729647

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.3805
50+
￥0.372
150+
￥0.3664
500+
￥0.3607

有货

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型号：BAT54W-HE3-08 编号：C5377600

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：这些二极管具有极低的导通电压和快速开关特性。这些器件受PN结保护环保护，可防止过电压，如静电放电。符合AEC-Q101标准。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，符合AEC-Q101标准

数据手册

5+
￥0.3827
50+
￥0.3287
150+
￥0.3016

有货

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型号：BZX584C16-G3-08 编号：C3734683

封装：SOD-523

品牌：VISHAY(威世)

特性：采用微小的SOD-523塑料封装。齐纳电压容差为 ±5%。有符合AEC-Q101标准的产品。符合RoHS标准，无卤环保。有商用级和符合AEC-Q101标准的不同版本

5+
￥0.389
50+
￥0.3794
150+
￥0.373

有货

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型号：BZX85C3V3-TR 编号：C3739227

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于具有高功率额定值的稳定和限幅电路。齐纳电压根据国际E 24标准分级；用“B”替换后缀“C”可实现±2%的容差。应用：电压稳定

5+
￥0.3973
50+
￥0.3892
150+
￥0.3838

有货

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型号：BZX384B5V1-E3-08 编号：C118049

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管，齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；用“B”代替“C”可实现±2%的公差。符合AEC-Q101标准。依据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础型号E3：符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3：符合RoHS标准，符合AEC-Q101标准

5+
￥0.4141
50+
￥0.4059
150+
￥0.4004
500+
￥0.3949

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型号：PLZ15A-HG3_A/H 编号：C3740714

封装：MicroSMF(DO-219AC)

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.4211
50+
￥0.4117
150+
￥0.4054
500+
￥0.3992

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型号：V2FM15HM3/H 编号：C3759197

封装：DO-219AB(SMF)

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。薄型封装。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。可波峰焊和回流焊。应用：用于商业、工业和汽车应用中的高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护

5+
￥0.447
50+
￥0.4375
150+
￥0.4311

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型号：1N4735A 编号：C5334432

封装：DO-41(DO-204AL)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压容差为 ±5%。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥0.447
50+
￥0.4375
150+
￥0.4311

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型号：BZX384C15-E3-08 编号：C3737282

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。RoHS合规，商业级。RoHS合规，AEC-Q101认证

10+
￥0.4568
100+
￥0.3657
300+
￥0.3202
3000+
￥0.256405 ￥0.2699
6000+
￥0.23047 ￥0.2426
9000+
￥0.217455 ￥0.2289

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型号：MMSZ5248C-E3-18 编号：C335607

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差为±5%（后缀为“B”），后缀“C”的公差为±2%。符合AEC-Q101标准。 ESD能力符合AEC-Q101：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础型号E3：符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3：符合RoHS标准，符合AEC-Q101标准

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3000+
￥0.24
24000+
￥0.209

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型号：SS1F4-M3/H 编号：C3760148

封装：DO-219AB(SMF)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。波峰焊和回流焊可用。可提供AEC-Q101认证。应用：高频逆变器。续流

5+
￥0.533385 ￥0.6585
50+
￥0.521883 ￥0.6443
150+
￥0.514269 ￥0.6349
500+
￥0.506655 ￥0.6255

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型号：BAV302-TR 编号：C5342955

封装：MicroMELF

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。节省空间。密封部件。适合SOD-323/SOT-23封装。电气数据与BAV100至BAV103、BAV200至BAV200器件相同。符合RoHS标准。应用：通用目的

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单价：
￥0.438368 / 个

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型号：S2M-E3/5BT 编号：C145470

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。低正向压降。低漏电流。高正向浪涌能力。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流。用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

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5+
￥0.5592
50+
￥0.5485
150+
￥0.5414

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型号：BAS40-05-E3-08 编号：C968543

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的导通电压。快速开关。采用PN结保护环，防止过电压，如静电放电。符合AEC-Q101标准。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101合格

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单价：
￥0.627468 / 个

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型号：BZX384B8V2-HE3-08 编号：C7093739

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。RoHS合规，商业级。RoHS合规，AEC-Q101认证

5+
￥0.5734
50+
￥0.562
150+
￥0.5544

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型号：BZX85C6V2-TAP 编号：C5604276

封装：DO-204AL(DO-41)

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.5741
50+
￥0.5619
150+
￥0.5537

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型号：1N4752A-TAP 编号：C241992

封装：DO-204AL(DO-41)

品牌：VISHAY(威世)

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5+
￥0.5752
50+
￥0.5629
150+
￥0.5548

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型号：TZMB4V3-GS08 编号：C7372053

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。 TZMC：Vz 公差 ±5%。 TZMB：Vz 公差 ±2%。应用：电压稳定

5+
￥0.5861
50+
￥0.5724
150+
￥0.5633

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型号：BZX85B15-TR 编号：C5377589

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。齐纳电压根据国际E 24标准分级；将后缀“C”替换为“B”可实现±2%的公差。应用：电压稳定

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5+
￥0.6016
50+
￥0.4844
150+
￥0.4258

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型号：BZX384C56-E3-08 编号：C335599

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压按国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；用“B”代替“C”可实现±2%的公差。有AEC-Q101认证版本。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础型号E3为符合RoHS标准的商业级产品。基础型号HE3为符合RoHS标准且通过AEC-Q101认证的产品

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