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  • 有货
  • 功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
    数据手册
    • 5+

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  • 有货
  • 蓝宝宝 反向截止电压(Vr):170V 钳位电压:260V 击穿电压:180V 峰值脉冲电流:10KA 反向电流(Ir):2uA 工作温度:-55℃~+125℃@(Tj)
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      ¥72.6
  • 有货
  • 集电极电流(IC):200mA 集射极击穿电压(VCEO):160V 耗散功率(pd):300mW 直流电流增益(hfE): 300@5V,10mA 特征频率(fT):300HZ 集电极截止电流(Icbo) :50nA 集射极饱和电压(VCE(sat)):200mV @50mA,5mA 射基极击穿电压(Vebo):6V 工作温度:-55℃~+155℃@(Tj)
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  • 有货
  • 反向截止电压(Vr):5V 钳位电压:9.2V 击穿电压:6.4V 峰值脉冲电流:21.7A 反向电流(Ir):400uA 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
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  • 有货
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    • 9000+

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  • 有货
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  • 有货
  • 反向截止电压(Vr):26V 钳位电压:42.1V 击穿电压:28.9V 峰值脉冲电流:9.5A 反向电流(Ir):1uA 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
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    • 10000+

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