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首页 > 热门关键词 > 宝乘二极管
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P沟道增强型MOSFET
型号：AO3401A 编号：C48678024
封装：SOT-23
品牌：baocheng(宝乘)
漏源电压:30V 连续漏极电流:4.2A 导通电阻:120mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.4V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    MMBT5551
    型号：MMBT5551 编号：C51898301
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    集电极电流(IC)：600mA 集射极击穿电压(VCEO)：40V 耗散功率(pd)：200mW 直流电流增益（hfE）： 300@1V,10mA 特征频率(fT):300HZ 集电极截止电流(Icbo) ：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @50mA,5mA 射基极击穿电压(Vebo)：6V 工作温度：-55℃~+155℃@(Tj)

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    双向TVS 9V截止 峰值浪涌电流：19.4A@10/1000us
    型号：SMF6.0CA 编号：C47117488
    封装：SOD-123FL
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：6V 钳位电压：10.3V 击穿电压：6.67V 峰值脉冲电流：19.4A 反向电流(Ir)：400uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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      ￥0.067

    • 21000+

      ￥0.0622
  • 有货
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    SM712
    型号：SM712 编号：C51898311
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：12V，7V 钳位电压：26V，12V 击穿电压：13.3V,7.5V 峰值脉冲电流：17A 反向电流(Ir)：1uA，20uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

    • 20+

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    S9013
    型号：S9013 编号：C51898303
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    集电极电流(IC)：500mA 集射极击穿电压(VCEO)：25V 耗散功率(pd)：300mW 直流电流增益（hfE）： 40@1V,500mA 特征频率(fT):150HZ 集电极截止电流(Icbo) ：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat))：600mV @500mA,50mA 射基极击穿电压(Vebo)：5V 工作温度：-55℃~+155℃@(Tj)

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    BSS84
    型号：BSS84 编号：C51898310
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    漏源电压:60V 连续漏极电流:0.13A 导通电阻:10Ω@5V 耗散功率:225W 阀值电压：2.5V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    S8550
    型号：S8550 编号：C51898304
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    集电极电流(IC)：500mA 集射极击穿电压(VCEO)：25V 耗散功率(pd)：300mW 直流电流增益（hfE）： 50@1V,500mA 特征频率(fT):150HZ 集电极截止电流(Icbo) ：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat))：600mV @500mA,50mA 射基极击穿电压(Vebo)：5V 工作温度：-55℃~+155℃@(Tj)

    • 50+

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    60V N沟道功率MOSFET
    型号：BCD50N06 编号：C3874037
    封装：TO-252
    品牌：baocheng(宝乘)
    特征和功能：低导通电阻、优异的开关性能和高雪崩能量 应用：消费电子电源、电机控制、UPS、DC/CD转换器等
    数据手册

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      ￥0.9847

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    N沟道增强型MOSFET
    型号：SI2302A 编号：C48678031
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    漏源电压:20V 连续漏极电流:3.6A 导通电阻:60mΩ@2.5V 耗散功率:1.25W 阀值电压：0.62V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

    • 50+

      ￥0.0673

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    2N7002K
    型号：2N7002K 编号：C51898302
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    漏源电压:60V 连续漏极电流:0.3A 导通电阻:4Ω@4.5V 耗散功率:350W 阀值电压：2.5V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    单向TVS 16V截止 峰值浪涌电流：57.7A
    型号：SMCJ16A 编号：C48678036
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：16V 钳位电压：26V 击穿电压：17.8V 峰值脉冲电流：57.7A 反向电流(Ir)：1uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    单向TVS 30.8V截止 峰值浪涌电流：30.5A
    型号：1.5SMC36A 编号：C48678046
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：30.8V 钳位电压：49.9V 击穿电压：34.2V 峰值脉冲电流：30.5A 反向电流(Ir)：1uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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      ￥0.3388
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：BCD90N03 编号：C3874040
    封装：TO-252
    品牌：baocheng(宝乘)
    特性：30V, 90A，RDS(ON) < 4.5mΩ @ VGS = 10V，RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS = 4.5V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品。应用：负载开关。PWM应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9812

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    • 5000+

      ￥0.4473
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：BCD80N06 编号：C3874038
    封装：TO-252-4R
    品牌：baocheng(宝乘)
    特征和功能：低导通电阻、优异的开关性能和高雪崩能量 应用：消费电子电源、电机控制、UPS、DC/CD转换器等
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4993

    • 50+

      ￥1.1717

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      ￥0.7391

    • 5000+

      ￥0.6923
  • 有货
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    5.0SMDJ24CA
    型号：5.0SMDJ24CA 编号：C48678049
    封装：SMC
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：24V 钳位电压：38.9V 击穿电压：26.7V 峰值脉冲电流：129A 反向电流(Ir)：1uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

    • 5+

      ￥2.1654

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      ￥1.6856

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    • 500+

      ￥1.2234
  • 有货
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    单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：172A@10/1000us
    型号：5.0SMDJ18A 编号：C48678048
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：18V 钳位电压：29.2V 击穿电压：20V 峰值脉冲电流：172A 反向电流(Ir)：1uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

    • 5+

      ￥2.172

    • 50+

      ￥1.6922

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      ￥1.4866

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  • 有货
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    AK10-530C-BC
    型号：AK10-530C-BC 编号：C51043180
    封装：BPSS
    品牌：baocheng(宝乘)
    蓝宝宝 反向截止电压(Vr)：530V 钳位电压：750V 击穿电压：560V 峰值脉冲电流：10KA 反向电流(Ir)：2uA 工作温度：-55℃~+125℃@(Tj)

    • 1+

      ￥203

    • 30+

      ￥192.5
  • 有货
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    N沟道，650V、7A功率MOSFET
    型号：BCD7N65 编号：C3874043
    封装：TO-252
    品牌：baocheng(宝乘)
    该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1798

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      ￥1.7049

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      ￥1.0936

    • 5000+

      ￥1.0257
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道650V、12A功率MOSFET
    型号：BCT12N65 编号：C3874046
    封装：TO-220F
    品牌：baocheng(宝乘)
    功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.03

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      ￥3.23

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      ￥2.72

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      ￥1.97
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道650V、20A功率MOSFET
    型号：BCT20N65 编号：C3874047
    封装：TO-220F
    品牌：baocheng(宝乘)
    功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
    数据手册

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      ￥5.95

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      ￥3.07
  • 有货
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    AK6-240C-BC
    型号：AK6-240C-BC 编号：C51043167
    封装：BPSS
    品牌：baocheng(宝乘)
    蓝宝宝 反向截止电压(Vr)：240V 钳位电压：340V 击穿电压：250V 峰值脉冲电流：6KA 反向电流(Ir)：2uA 工作温度：-55℃~+125℃@(Tj)

    • 1+

      ￥80.54

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      ￥63.8
  • 有货
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    SD03
    型号：SD03 编号：C51898313
    封装：SOD-323
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：3.3V 钳位电压：6.5V 击穿电压：4V 峰值脉冲电流：20A 反向电流(Ir)：40uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

    • 50+

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  • 有货
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    单向TVS 54V截止 峰值浪涌电流：17.3A
    型号：SMCJ54A 编号：C48678037
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：54V 钳位电压：87.1V 击穿电压：60V 峰值脉冲电流：17.3A 反向电流(Ir)：1uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

    • 5+

      ￥0.6516

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      ￥0.5104

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      ￥0.3234
  • 有货
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    P沟道增强型场效应晶体管
    型号：AO3407A 编号：C48678027
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    漏源电压:30V 连续漏极电流:4.3A 导通电阻:78mΩ@4.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：1.2V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

    • 5+

      ￥2.1355

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      ￥1.6638

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    N沟道MOSFET
    型号：AO3416A 编号：C48678029
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    漏源电压:20V 连续漏极电流:6A 导通电阻:33mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.4V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    双向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：4.8A@10/1000us
    型号：SMF26CA 编号：C47117491
    封装：SOD-123FL
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：26V 钳位电压：42.1 击穿电压：28.9V 峰值脉冲电流：4.8A 反向电流(Ir)：1uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    5.0SMDJ33A
    型号：5.0SMDJ33A 编号：C48678050
    封装：SMC
    品牌：baocheng(宝乘)
    反向截止电压(Vr)：33V 钳位电压：53.3V 击穿电压：36.7V 峰值脉冲电流：93.9A 反向电流(Ir)：1uA 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    BCB4115F
    型号：BCB4115F 编号：C52976629
    封装：TO-220
    品牌：baocheng(宝乘)
    漏源电压:150V 连续漏极电流:80.0A 导通电阻:10.5mΩ@10V 耗散功率:150W 阀值电压：4V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    AK10-066C-BC
    型号：AK10-066C-BC 编号：C51043173
    封装：BPSS
    品牌：baocheng(宝乘)
    蓝宝宝 反向截止电压(Vr)：66V 钳位电压：120V 击穿电压：72V 峰值脉冲电流：10KA 反向电流(Ir)：2uA 工作温度：-55℃~+125℃@(Tj)

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    AK10-190C-BC
    型号：AK10-190C-BC 编号：C51043176
    封装：BPSS
    品牌：baocheng(宝乘)
    蓝宝宝 反向截止电压(Vr)：190V 钳位电压：290V 击穿电压：200V 峰值脉冲电流：10KA 反向电流(Ir)：2uA 工作温度：-55℃~+125℃@(Tj)

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