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首页 > 热门关键词 > 德州仪器二极管
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LM336-5.0 5V 基准电压二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥3.77136 / 个
UCC23511是一款适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有1.5A峰值拉电流和2A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23511可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管,这意味着与传统的LED相比,具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型SO6封装,爬电距离和间隙 >8.5mm,来自材料组I的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23511具有高性能和高可靠性,非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
数据手册
  • 单价:

    ¥3.058544 / 个
LM285-2.5-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥6.711735 / 个
具有超低失调电压、温漂以及输入偏置电流,可实现轨到轨输入和输出。除了精密直流精度,交流性能经优化可实现低噪声和快速稳定的瞬态响应。得益于这些特性,成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。采用e-trim™运算放大器技术,无需任何输入斩波或自动置零技术,即可实现超低失调电压以及失调电压温漂。此项技术可针对传感器输入或光电二极管电流至电压测量实现超低输入偏置电流,从而为光学模块或医疗仪表创建高性能跨阻级。
数据手册
  • 单价:

    ¥13.52376 / 个
TPS65631 双路输出有源矩阵有机发光二极管 (AMOLED) 显示屏电源
数据手册
  • 单价:

    ¥9.997945 / 个
LM25119Q是一款双路同步降压控制器,适用于高压电源或变化范围较大的输入电源的降压稳压器应用。此控制方法基于采用仿真电流斜坡的电流模式控制。电流模式控制可提供内部线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。通过使用仿真电流斜坡可降低脉宽调制电路的噪声灵敏度,从而对高输入电压应用中所需的极小占空比进行可靠控制。开关频率可设定在50kHz至750kHz范围内。LM25119Q器件可驱动支持自适应死区时间控制的外部高侧和低侧N通道MOS功率开关。用户可选二极管仿真模式可实现断续模式运行,从而提高轻负载条件下的效率。凭借高压偏置稳压器以及自动切换至外部偏置的功能,可以进一步提高效率。其他特性包括:热关断、频率同步、逐周期和断续模式电流限制以及可调节线路欠压锁定。该器件采用功耗增强型32引脚无引线WQFN封装,并且配有有利于散热的外露芯片连接焊盘。
数据手册
  • 单价:

    ¥29.01043 / 个
LM136-2.5-N 电压基准二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥65.240688 / 个
TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥1.323 / 个
TPD1E10B09-Q1 采用 0402 封装的汽车类 10pF、±9V、±20kV ESD 保护二极管
数据手册
  • 200+

    ¥0.72
  • 400+

    ¥0.696
  • 800+

    ¥0.684
  • 1600+

    ¥0.66
DRV8300U 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V(最大值)简单三相栅极驱动器
数据手册
  • 单价:

    ¥2.884653 / 个
TPD2E009 具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥1.114525 / 个
UCC23313-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS 基础型隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围,因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode),这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比,可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm,塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313-Q1 具有高性能和高可靠性,因此非常适合用于汽车电机驱动器,例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
数据手册
  • 单价:

    ¥6.629472 / 个
10位和8位的三通道、缓冲电压输出、电流输出和ADC输入智能模拟前端 (AFE)。支持电流源,可用于对激光二极管和微型电机进行线性控制。支持高阻态省电模式,并在断电情况下支持高阻态输出,适用于电压输出。可将通道1配置为ADC、电压输出DAC或比较器。电压输出DAC提供强制检测选项,可用作可编程比较器和灌电流。得益于多功能GPIO、函数生成和可编程的非易失性存储器 (NVM),可用于无处理器的应用和设计复用。自动检测SPI或I2C接口,并包含内部基准。适合于无源光纤网络 (PON) 中激光二极管功率控制和电吸收调制激光器 (EML) 控制等应用以及其他工业激光应用。
数据手册
  • 单价:

    ¥10.29456 / 个
LM93 是一个硬件监控器,具有 SMBus 2.0 兼容的串行数字接口,可以测量两个远程二极管连接晶体管的温度以及其自身芯片的温度和16个电源电压。它还具有基于查找表的自主风扇控制功能。
数据手册
  • 单价:

    ¥48.768664 / 个
TPD7S019设备是集成了静电放电(ESD)电路保护解决方案的VGA和DVI-I连接器。它集成了瞬态电压抑制(TVS)保护二极管,用于VIDEO, DDC和SYNC信号,并符合IEC61000-4-2标准±8-kV接触ESD保护。
数据手册
  • 单价:

    ¥1.08994 / 个
LM336-2.5-N 电压基准二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥2.35548 / 个
LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥2.073345 / 个
DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
数据手册
  • 单价:

    ¥2.155295 / 个
可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET;在 DRC 封装中启用/禁用功能;禁用时消耗的电流很低 (7μA);16ns 典型传播延迟;1800pF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间典型值为 10ns;1ns 典型延迟匹配;集成式 100V 自举二极管;8V 典型欠压锁定;输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V);HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V);±3A 峰值输出电流;绝对最大启动电压为 120V;输入相互独立且 VDD;两个通道的欠压锁定;额定结温范围为 –40°C 至 140°C。
数据手册
  • 2500+

    ¥5.13
  • 5000+

    ¥5.04
  • 7500+

    ¥4.95
LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥3.74868 / 个
LM336-2.5-N 电压基准二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥2.93004 / 个
LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥3.74868 / 个
TPD1E04U04 适用于 HDMI 2.0 和 USB 3.0 且采用 0402 和 0201 封装的 0.5pF、3.6V、±16kV ESD 保护二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥2.204465 / 个
LM25017是一款48V、650mA的同步降压调节器,具有宽输入电压范围(7.5V至48V),恒定导通时间控制方案,无需环路补偿,提供快速瞬态响应和非常高的降压比。内置高侧和低侧MOSFET,无需肖特基二极管。具有可调输出电压、峰值电流限制、欠压锁定、远程关断等保护功能。
数据手册
  • 单价:

    ¥12.15324 / 个
TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥2.7594 / 个
LM285-2.5-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥9.979682 / 个
UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
数据手册
  • 单价:

    ¥7.547629 / 个
UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
数据手册
  • 单价:

    ¥7.547629 / 个
LM336-5.0 5V 基准电压二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥4.217322 / 个
TPS61046 是一款高度集成的升压转换器,设计用于需要高电压和小型解决方案的应用,如 PMOLED 面板和传感器模块。它可以输出高达 28V 的电压,适用于锂离子电池或两节串联的碱性电池。该器件集成了 30V 功率开关、输入/输出隔离开关和功率二极管。它具有 900mA 的典型开关电流限制,开关频率为 1.0MHz,允许使用小型外部组件。内部默认设置为 12V 输出电压,只需三个外部组件即可实现 12V 输出电压。此外,该器件还具有输出短路保护、输出过压保护和热关断保护功能。
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  • 单价:

    ¥3.687767 / 个
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