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首页 > 热门关键词 > 德州仪器二极管
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LM285-1.2-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
数据手册
  • 1+

    ¥10.63
  • 10+

    ¥8.99
  • 30+

    ¥7.97
  • 有货
  • LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥13.62
    • 10+

      ¥13.28
    • 30+

      ¥13.05
  • 有货
  • LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥14.25
    • 10+

      ¥13.91
    • 30+

      ¥13.69
  • 有货
  • 驱动器相比其他产品具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至3.7A拉电流和4.5A灌电流,因此可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC电压,这提高了器件的稳健性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外,输入还独立于电源电压,且具有20V的最大额定值
    数据手册
    • 1+

      ¥17.42
    • 10+

      ¥16.99
    • 30+

      ¥16.7
  • 有货
  • SN75ALS191是一款高速双差分线驱动器,符合ANSI标准EIA/TIA-422-B和ITU建议V.11。输入兼容TTL和CMOS,并具有输入箝位二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥17.81
    • 10+

      ¥17.39
    • 30+

      ¥17.11
  • 有货
  • UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管,以及具有独立输入的高端和低端驱动器,可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制,且导通和关断时间匹配精度达1ns
    数据手册
    • 1+

      ¥18.25
    • 10+

      ¥15.55
    • 30+

      ¥13.95
  • 有货
  • LM285-2.5-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥19.98
    • 10+

      ¥19.52
    • 30+

      ¥19.21
  • 有货
  • LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥20.72
    • 10+

      ¥20.22
    • 30+

      ¥19.89
  • 有货
  • LM285-1.2-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥24.49
    • 10+

      ¥23.89
    • 30+

      ¥23.48
  • 有货
  • LM95235 具有 SMBus 接口、采用 β 补偿技术、适用于 65/90nm 二极管的 ±0.75°C 远程和本地温度传感器
    数据手册
    • 1+

      ¥27.51
    • 10+

      ¥26.81
    • 30+

      ¥26.34
  • 有货
  • UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.61
    • 10+

      ¥23.54
    • 30+

      ¥21.11
  • 有货
  • LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥29.29
    • 10+

      ¥28.61
    • 30+

      ¥28.15
  • 有货
  • 提供20位高速TTL兼容总线开关。低导通电阻允许连接时传播延迟最小。电路中集成了一个到Vcc的二极管,允许从5V信号到3.3V信号的电平转换。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.21
    • 10+

      ¥34.31
    • 30+

      ¥33.71
  • 有货
  • UCD3138 是一款数字电源控制器,在一个单芯片解决方案内提供高集成度和优异的性能。UCD3138 灵活的特性使得此器件适合于品种繁多的电源转换应用。此外,器件内的多种外设已经过专门优化,用于提升 AC/DC 和隔离式 DC/DC 应用性能并减少信息技术 (IT) 和网络基础设施空间内的解决方案组件数量。UCD3138 控制器是完全可编程的解决方案,可以使客户完全控制相关应用,并且能够在同类解决方案中脱颖而出。与此同时,致力于通过提供一流的开发工具来简化用户的开发工作,其中包括应用固件、CodeComposer Studio 软件开发环境和电源开发 GUI,这使得用户能够配置和监控关键系统参数。UCD3138 控制器的核心是数字控制环路外设,也称作数字电源外设 (DPP)。每个 DPP 实现一个高速数字控制环路,此环路由专用误差模数转换器 (EADC)、基于 PID 的双极点/双零点数字补偿器以及脉宽分辨率为 250ps 的 DPWM 输出组成。此器件还包含一个 12 位、267ksps 通用 ADC,此 ADC 具有多达 15 个通道、定时器、中断控制、PMBus 以及 UART 通信端口。此器件基于一个 32 位 ARM7TDMI-S 精简指令集计算机 (RISC) 微控制器,该微控制器可执行实时监控、配置外设以及管理通信。ARM 微控制器从可编程闪存以及片上 RAM 和 ROM 执行其程序。除了 FDPP,特定电源管理外设已被添加以便在全部运行范围内启用高效、针对增加的功率密度的高集成度、可靠性、和最低总体系统成本以及支持最广泛控制体系和拓扑数量的高灵活性。此类外设包括:轻负载突发模式、同步整流、LLC 和移相全桥模式开关、输入电压前馈、铜走线电流检测、理想二极管仿真、恒定电流/恒定功率控制、同步整流软开启和关闭、峰值电流模式控制、磁通均衡、二次侧输入电压检测、高分辨率电流均流、带预偏置电压的硬件可配置软启动等。已经针对电压模式和峰值电流模式受控相移全桥、单双相位功率因数校正 (PFC)、无桥 PFC、硬开关全桥和半桥、以及 LLC 半桥和全桥进行了拓扑支持优化。
    数据手册
    • 1+

      ¥92.22
    • 10+

      ¥87.89
    • 30+

      ¥80.38
  • 有货
  • OPT101 单片光电二极管和单电源跨阻放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥111.9
    • 10+

      ¥108.28
  • 有货
  • 由低功耗线性压控振荡器(VCO)和两个不同的相位比较器组成,具有公共信号输入放大器和公共比较器输入。必要时提供5.2V齐纳二极管用于电源调节。
    • 1+

      ¥193.76
    • 10+

      ¥187.53
  • 有货
  • LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET
    数据手册
    • 1+

      ¥259.21
    • 30+

      ¥247.61
  • 有货
  • 16位,16通道,电流输入模数转换器,集成了电流到电压转换和模数转换功能,可直接连接低电平电流输出设备(如光电二极管)并进行数字化。
    数据手册
    • 单价:

      ¥752.088 / 个
    ESD1LIN24 采用 SOD-323 封装的 3pF ±24V ±30kV ESD 保护二极管
    • 500+

      ¥0.5124
    • 1000+

      ¥0.4956
    • 2000+

      ¥0.4872
    • 4000+

      ¥0.462
    高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器,具有独立输入,可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制,导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能,若驱动电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。提供两种版本,UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值,UCC27201具有TTL兼容阈值。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.95
    • 10+

      ¥6.51
    • 30+

      ¥5.72
  • 有货
  • UCC23313-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS 基础型隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围,因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode),这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比,可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm,塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313-Q1 具有高性能和高可靠性,因此非常适合用于汽车电机驱动器,例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.69
    • 10+

      ¥16.3
    • 30+

      ¥16.04
  • 有货
  • LM136-5.0 5.0V 基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥143.28
    • 10+

      ¥138.31
  • 有货
  • ESD752 具有 8/20µS 浪涌的双路 3pF、±24V、±30kV ESD 保护二极管
    • 5+

      ¥1.234
    • 50+

      ¥0.9766
    • 150+

      ¥0.851
    • 500+

      ¥0.7389
  • 有货
  • ESD761-Q1 采用 0402 封装的汽车类 1.1pF、±24V、±15kV ESD 保护二极管
    • 1000+

      ¥0.621
    • 5000+

      ¥0.594
    ESDS452-Q1 是一款双向 ESD 和 TVS 二极管。ESDS452-Q1 的额定 ESD 冲击消散值超出了 IEC61000-4-2 国际标准所规定的最高水平(±30kV 接触放电,±30kV 空气间隙放电)。根据 IEC 61000-4-5 标准,该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 18A 的 8/20 μs 浪涌。此外,二极管的正负低钳位电压有助于防止下游电路在 ESD 或浪涌事件期间暴露于高电压和大电流中。这种保护很关键,因为汽车系统在控制安全设备时需要高度的稳健性和可靠性。ESDS452-Q1 采用小型引线式 SOT-23 (DBZ) 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.766868 / 个
    是一款提供控制器局域网(CAN)接口保护的双向ESD保护二极管,额定消散接触ESD冲击能力符合ISO10605汽车标准。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。 该器件的低IO电容(每通道)和引脚排列适合两条汽车CAN总线(CANH和CANL),可防止总线因静电放电(ESD)和其他瞬态而损坏。此外,具有2.8pF(典型值)或更低的线路电容,是CAN、CAN-FD和CANSiC应用的理想选择。采用3引脚SOT-23引线式封装,可轻松实现直通式布线。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.666841 / 个
    TPD1E04U04 适用于 HDMI 2.0 和 USB 3.0 且采用 0402 和 0201 封装的 0.5pF、3.6V、±16kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 50+

      ¥0.81
    • 500+

      ¥0.75
    • 1000+

      ¥0.72
    • 5000+

      ¥0.69
    • 10000+

      ¥0.66
    具有超低失调电压、温漂以及输入偏置电流,可实现轨到轨输入和输出。除了精密直流精度,交流性能经优化可实现低噪声和快速稳定的瞬态响应。得益于这些特性,成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。采用e-trim™运算放大器技术,无需任何输入斩波或自动置零技术,即可实现超低失调电压以及失调电压温漂。此项技术可针对传感器输入或光电二极管电流至电压测量实现超低输入偏置电流,从而为光学模块或医疗仪表创建高性能跨阻级。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.3
    • 10+

      ¥24.7
    • 30+

      ¥24.3
    • 100+

      ¥23.91
  • 订货
  • TLA431 和 TLA432 器件是三端可调节并联稳压器,可在所有电容器负载下保持稳定。这些器件与业界通用的 TL431 和 TL432 引脚兼容,但稳定性更高,可支持所有电容器负载。借助于两个外部电阻器,输出阴极电压可在 Vref (2.495V) 和 36V 之间任意调节。此类器件的有源输出电路具有非常明显的导通特性,因此非常适合用于替代许多应用中的齐纳二极管,例如板载稳压器、可调节电源和开关电源。TLA431 还可用作比较器,用于欠压监控。TLA431 的内部放大器和基准在隔离式光耦合器反激式电源中用作误差放大器。TLA432 器件的功能和电气规格与 TLA431 器件完全相同。TLA431 和 TLA432 器件具有两个温度等级 I 和 Q。此外,这些器件在整个温度范围内提供的基准电压具有良好的稳定性。
    数据手册
    • 1000+

      ¥0.9775
    • 5000+

      ¥0.935
    TPD4S010 适用于 USB 3.0 且具有 5A 8/20us 浪涌额定值的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 100+

      ¥1.6588
    • 200+

      ¥1.6302
    • 300+

      ¥1.573
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