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全自动蓝膜固晶组焊工艺

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20+
￥0.139854 ￥0.1793
200+
￥0.108966 ￥0.1397
600+
￥0.091806 ￥0.1177
5000+
￥0.08151 ￥0.1045
10000+
￥0.07254 ￥0.093
20000+
￥0.067782 ￥0.0869

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型号：JTDPC817CD 编号：C49308277

封装：DIP-4

品牌：JTD(晶泰达)

由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成；光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输

20+
￥0.1988
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￥0.1556
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￥0.1316
2000+
￥0.1172

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型号：SR1060L 编号：C5452128

封装：TO-277

全自动蓝膜固晶工艺

5+
￥0.848796 ￥1.0882
50+
￥0.66651 ￥0.8545
150+
￥0.588354 ￥0.7543
500+
￥0.490854 ￥0.6293
2500+
￥0.447486 ￥0.5737
5000+
￥0.421434 ￥0.5403

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型号：BZD27C130P-E3-08 编号：C6137107

封装：SMF(DO-219AB)

特性：硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础产品编号-E3-符合RoHS标准，商业级。基础产品编号-HE3-符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

5+
￥1.0354
50+
￥0.8152
150+
￥0.7209

有货

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型号：BZD27C27P-E3-08 编号：C6136137

封装：DO-219AB(SMF)

特性：硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础产品编号-E3-符合RoHS标准，商业级。基础产品编号-HE3-符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

5+
￥1.9314
50+
￥1.4923
150+
￥1.304

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型号：SPE30S60F-E 编号：C51037312

封装：DIP-25-DBC

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/30A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

1+
￥58.914 ￥65.46
10+
￥56.925 ￥63.25

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型号：ABS210L 编号：C2840782

封装：ABS

全自动蓝膜固晶组焊工艺

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10+
￥0.1478 ￥0.2956
100+
￥0.11935 ￥0.2387
300+
￥0.1051 ￥0.2102
1000+
￥0.0944 ￥0.1888
5000+
￥0.074 ￥0.148
10000+
￥0.06975 ￥0.1395

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型号：S07D-GS08 编号：C3013854

封装：DO-219AB

特性：适用于表面贴装应用。低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。可波峰焊和回流焊。通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

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25+
￥0.33462
3000+
￥0.255024

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型号：BZD27C75P-E3-08 编号：C144999

封装：DO-219AB(SMF)

特性：硅平面齐纳二极管。低轮廓表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。 ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。波峰焊和回流焊兼容。可提供AEC-Q101认证。基础型号E3-符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3-符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证

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1+
￥1.65
10+
￥1.62
30+
￥1.6

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型号：BZD27C6V8P-E3-08 编号：C3000899

封装：DO-219AB

特性：硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值 260℃。符合 JESD 201 2 类晶须测试。根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供 AEC-Q101 认证。基础型号 E3-符合 RoHS 标准，商业级。基础型号 HE3-符合 RoHS 标准，且通过 AEC-Q101 认证。与 SOD-123W 封装外形或 SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容

5+
￥1.9428
50+
￥1.5214
150+
￥1.3408

有货

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型号：SPE06S60H-A 编号：C51037307

封装：DIP-26-FP

·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU ·内置自举二极管 ·内置欠压保护、过流保护 ·使能关断功能 ·温度检测输出 ·绝缘耐压1500V

1+
￥27.85
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￥23.69
30+
￥21.22
105+
￥18.73
495+
￥17.57
810+
￥17.05

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型号：MB10S 编号：C85586

封装：MBS

全自动蓝膜固晶组焊工艺

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20+
￥0.2277
200+
￥0.1804
600+
￥0.1541

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型号：BZD27C51P-E3-08 编号：C6870651

封装：SMF(DO-219AB)

特性：硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础产品编号-E3-符合RoHS标准，商业级。基础产品编号-HE3-符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

5+
￥1.1378
50+
￥1.1106
150+
￥1.0925

有货

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型号：BZD27C18P-HE3-08 编号：C5142129

封装：DO-219AB(SMF)

特性：硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。优异的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。RoHS合规，商业级。RoHS合规，且AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

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1+
￥1.4905
10+
￥1.1974
30+
￥1.0718

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型号：BZD27C3V6P-HE3-08 编号：C7223567

封装：DO-219AB(SMF)

特性：硅平面齐纳二极管。低剖面表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，无铅最高峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础型号-E3-符合RoHS标准，商业级。基础型号-HE3-符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

1+
￥1.69
10+
￥1.65
30+
￥1.63

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型号：SPE05S60T-C 编号：C51037305

封装：SOP-23-FP

·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU ·内置自举二极管 ·内置欠压保护 ·内部集成温度检测输出 ·绝缘耐压1500V

1+
￥19.832 ￥24.79
10+
￥16.872 ￥21.09
30+
￥15.12 ￥18.9
105+
￥13.336 ￥16.67
495+
￥12.52 ￥15.65
1005+
￥12.144 ￥15.18

有货

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型号：SPE10S60H-A 编号：C51037308

封装：DIP-26-FP

·600V/10A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT ·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU ·内置自举二极管 ·内置欠压保护、过流保护 ·使能关断功能 ·恒流温度检测输出

1+
￥31.44
10+
￥26.75
30+
￥23.96

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型号：RS07J-GS08 编号：C968644

封装：SMF

特性：适用于表面贴装应用。低轮廓封装。适合自动贴装。玻璃钝化。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。可进行波峰焊和回流焊。通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形、SOD-123F和SOD-123FL兼容

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5+
￥0.651
50+
￥0.6379
150+
￥0.6292

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型号：S07B-GS08 编号：C5377586

封装：DO-219AB

特性：适用于表面贴装应用。低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化。符合J-STD-020的MSL 1级，无铅最高峰值温度260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。可进行波峰焊和回流焊。通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形、SOD-123F和SOD-123FL兼容。材料分类：有关合规定义请参考相关文档

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5+
￥0.9453
50+
￥0.9248
150+
￥0.9112

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型号：BZD27C18P-E3-08 编号：C3001638

封装：DO-219AB(SMF)

特性：硅平面齐纳二极管。低轮廓表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃。符合 JESD 201 2 类晶须测试。根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型 > 8kV，机器模型 > 800V。波峰焊和回流焊均可。可提供 AEC-Q101 认证。 RoHS 合规，商业级。 RoHS 合规，且通过 AEC-Q101 认证。与 SOD-123W 封装外形或 SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容

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5+
￥1.1433
50+
￥1.1207
150+
￥1.1056

有货

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型号：SL10T100 编号：C2639944

封装：TO-277B-3

全自动蓝膜固晶工艺

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5+
￥1.3108
50+
￥1.0243
150+
￥0.9015

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型号：BZD27C62P-E3-08 编号：C3741201

封装：DO-219AB(SMF)

特性：硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础产品编号-E3-符合RoHS标准，商业级。基础产品编号-HE3-符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

1+
￥1.32
10+
￥1.29
30+
￥1.27

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型号：RS07D-HM3-08 编号：C17544048

封装：DO-219AB(SMF)

特性：适用于表面贴装应用。低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。可进行波峰焊和回流焊。基础型号M-无卤，符合RoHS标准。基础型号HM3-无卤，符合RoHS标准，并通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形、SOD-123F和SOD-123FL兼容

1+
￥1.92
10+
￥1.88
30+
￥1.85

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型号：BZD27C200P 编号：C5334363

封装：SMF

特性：硅平面齐纳二极管。低剖面表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。 RoHS合规，商业级。 RoHS合规，且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

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1+
￥4.84
10+
￥3.97
30+
￥3.54

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型号：SPE05M50T-C 编号：C51037303

封装：SOP-23-FP

·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU ·下臂MOSFET源极输出 ·内置自举二极管 ·内置防直通保护 ·内置欠压保护 ·内部集成温度检测输出 ·绝缘耐压1500V

1+
￥19.11
10+
￥16.24
30+
￥14.75
105+
￥13.02
495+
￥12.23
1005+
￥11.87

有货

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型号：SPE05S60T-A 编号：C51037304

封装：DIP-23A-FP

·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU ·内置自举二极管 ·内置欠压保护 ·内部集成温度检测输出 ·绝缘耐压1500V

1+
￥24.79
10+
￥21.09
30+
￥18.9
105+
￥16.67
495+
￥15.65
1005+
￥15.18

有货

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型号：SPE10S60E-AZ 编号：C52976374

封装：DIP-28FP

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/10A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：高压高速电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于低侧短路（过流）、低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

1+
￥31.79
10+
￥27.17
30+
￥24.36

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型号：SPE10S60F-A 编号：C52976369

封装：DIP-25-FP

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/10A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。 ·故障信号：对应于短路（过流）和VP1电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。 ·温度检测：NTC检测输出和IC内部检测输出。

1+
￥35.757 ￥39.73
10+
￥30.573 ￥33.97
24+
￥27.405 ￥30.45
96+
￥24.75 ￥27.5

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型号：SPE20S60F-E 编号：C51037311

封装：DIP-25-DBC

·下臂 IGBT 发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/20A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。

1+
￥59.6
10+
￥50.95
24+
￥45.67
96+
￥41.25

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型号：BZD27C10P-HE3-08 编号：C145207

封装：DO-219AB(SMF)