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首页 > 热门关键词 > 江苏长电二极管
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耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：68ns
型号：MUR8H60 编号：C5355157
封装：TO-220-2L
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
特性：超快恢复时间和低恢复损耗。低正向电压。低反向漏电流。应用：专门设计用于提高电动汽车/混合动力汽车充电站的PFC和输出整流级、太阳能逆变器的升压级和UPS应用的效率。这些器件非常适合与MOSFET或高速IGBT配合使用

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    耐压:400V 电流:16000mA 反向恢复时间：35ns
    型号：MURF1640CT 编号：C5293823
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：超快35ns恢复时间。 高达400V的高电压能力。 低反向漏电流
    数据手册

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    耐压:400V 电流:6A
    型号：KBL604 编号：C5292712
    封装：KBL
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 6A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

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    耐压:50V 电流:8A
    型号：GBU8005 编号：C5292659
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 8.0A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

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    耐压:800V 电流:6A
    型号：KBL608 编号：C5292710
    封装：KBL
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 6A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    耐压:400V 电流:16000mA 反向恢复时间：35ns
    型号：MUR1640CT 编号：C5293802
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：超快35ns恢复时间。 高达400V的高电压能力。 低反向漏电流
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    耐压:400V 电流:15A
    型号：GBU1504 编号：C5292642
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
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    耐压:600V 电流:3A
    型号：GBU1006 编号：C5292648
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 10A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    600V 16A
    型号：MUR1660CT 编号：C5293803
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：超快35ns恢复时间。 高达600V的高电压能力。 低反向漏电流
    数据手册

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    电压:45V 电流:40000mA
    型号：SBD4045LCTB 编号：C5295508
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    600V 15A
    型号：MUR15H60L 编号：C5355160
    封装：TO-220-2L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：超快恢复时间和低恢复损耗。低正向电压。低反向漏电流。应用：改善EV/HEV电池充电站的PFC和输出整流级效率。太阳能逆变器的升压级
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    耐压:1000V 电流:15A
    型号：GBJ1510 编号：C5292730
    封装：6GBJ
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 15A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    电压:120V 电流:30A
    型号：SBD30120SCTB 编号：C2924057
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
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    电压:100V 电流:30000mA
    型号：SBD30100TCTB 编号：C5295503
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    电压:120V 电流:30000mA
    型号：SBD30120TCTB 编号：C5295504
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    电压:100V 电流:30000mA
    型号：SBDF30100TCTB 编号：C5295537
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    电压:45V 电流:40A
    型号：SBD4045TCTB 编号：C2924060
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    耐压:200V 电流:35A
    型号：GBJ3502 编号：C5292678
    封装：6GBJ
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    数据手册

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    电压:100V 电流:30A
    型号：SBD30100SCTB 编号：C2924056
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    耐压:600V 电流:35A
    型号：GBJ3506 编号：C5292676
    封装：6GBJ
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 35A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    耐压:600V 电流:30A 反向恢复时间：29ns
    型号：MURW30H60 编号：C5355173
    封装：TO-247-2L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：超快恢复时间和低恢复损耗。低正向电压。低反向漏电流。应用：改善电动汽车/混合动力汽车充电站的PFC和输出整流级效率。太阳能逆变器的升压级
    数据手册

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    耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：50ns
    型号：US2G 编号：C5293951
    封装：SMBG
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：正向平均电流（IF(AV)）：2A。 重复峰值反向电压（VRRM）：50V-1000V。 高浪涌电流能力。 极性：色带表示阴极。应用：整流器
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    • 20+

      ￥0.1126

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      ￥0.11

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  • 订货
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    耐压:50V 电流:0.8A
    型号：MB05F 编号：C5292804
    封装：MBF
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：正向平均电流（IF(AV)）：0.8A。 重复峰值反向电压（VRRM）：50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1126

    • 200+

      ￥0.11

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      ￥0.1082

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      ￥0.1065
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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA
    型号：AD-MMBZ5245B 编号：C2975639
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1201

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  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@10.5V
    型号：AD-BZX84C15 编号：C2975671
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 齐纳电压范围为2.4V-43V。 超小表面贴装封装，功耗300mW。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1213

    • 200+

      ￥0.1185

    • 600+

      ￥0.1167

    • 3000+

      ￥0.1148
  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8.0V
    型号：AD-BZX84C12 编号：C2975632
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 齐纳电压从2.4V到43V。 超小表面贴装封装，功耗300mW。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1213

    • 200+

      ￥0.1185

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      ￥0.1167

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      ￥0.1148
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    独立式 耐压:3V 电流:10uA@1V
    型号：AD-BZT52C3V0S 编号：C2975781
    封装：SOD-323
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 陶瓷印刷电路板上200mW的功耗。 通用、中等电流。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1238

    • 200+

      ￥0.121

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.1172
  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：AD-BZT52C12S 编号：C2975609
    封装：SOD-323
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。陶瓷印刷电路板上200mW的功耗。通用型、中等电流。通过AEC-Q101认证
    数据手册

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      ￥0.1238

    • 200+

      ￥0.121

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      ￥0.1191

    • 3000+

      ￥0.1172
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    耐压:200V 电流:1A
    型号：ABS2 编号：C5292811
    封装：ABS
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：正向平均电流（IF(AV)）：1A。 重复峰值反向电压（VRRM）：50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1243

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      ￥0.1214

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      ￥0.1175
  • 订货
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    6.21V 3uA
    型号：AD-BZT52B6V2S 编号：C2975600
    封装：SOD-323
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 通用型，中等电流。 通过AEC-Q101认证

    • 10+

      ￥0.1255

    • 100+

      ￥0.1226

    • 300+

      ￥0.1207

    • 1000+

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