金开盛二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：JK250-030U 编号：C355370

封装：插件,P=5.1mm

品牌：JKSEMI(金开盛)

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10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

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型号：LC05CD 编号：C2972758

封装：SOT-23

品牌：JKSEMI(金开盛)

特性：每线350瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。保护两条I/O线。低钳位电压。工作电压：5V。低漏电流。应用：USB电源和数据线保护。以太网10BaseT

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10+
￥0.2879
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￥0.2303
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￥0.2015

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型号：JK250-110U 编号：C355531

封装：插件,P=5.1mm

品牌：JKSEMI(金开盛)

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10+
￥0.2979
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￥0.2355
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型号：SRV05-4 编号：C2972750

封装：SOT-23-6L

品牌：JKSEMI(金开盛)

SRV05 - 4的最大电容低至0.4pF，在高达1GHz的频率下工作时几乎无插入损耗。这使得该器件非常适合保护高速数据线，如USB 2.0、Firewire、DVI和千兆以太网接口。低电容阵列配置允许用户保护四条高速数据或传输线。低电感结构可在大电流浪涌期间将电压过冲降至最低。它们可用于满足IEC61000 - 4 - 2标准4级（±15KV空气放电、±8KV接触放电）的ESD抗扰度要求。该器件专门设计用于保护连接到高速数据和传输线的敏感元件，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和雷击引起的过电压影响。

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10+
￥0.3119
100+
￥0.2495
300+
￥0.2183
3000+
￥0.1809

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型号：P6KE12CA 编号：C362163

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：JKSEMI(金开盛)

P6KE系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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10+
￥0.3151
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￥0.2503
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￥0.2179

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型号：2410 F1A/250V 编号：C5220728

封装：2410

品牌：JKSEMI(金开盛)

本产品适用于各类电子设备电路的过流保护作用，广泛应用于照明设备、电源设备以及适配器等领域。

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10+
￥0.3222
100+
￥0.255
300+
￥0.2214

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型号：2410 T5A/125V 编号：C5220743

封装：2410

品牌：JKSEMI(金开盛)

特性：引脚拉力强度：10 牛顿，10 ± 1 秒（10N for 10 ± 1 Seconds）。引脚推力强度：2 牛顿，10 ± 1 秒（2N for 10 ± 1 Seconds）。可焊性：波峰焊：250℃，≤3s；烙铁焊：350 ± 10℃，≤3s。应用：LCD／PDP 电视

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10+
￥0.3421
100+
￥0.2725
300+
￥0.2377

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型号：JK-mSMD030SF 编号：C369555

封装：1812

品牌：JKSEMI(金开盛)

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￥0.3918
100+
￥0.315
300+
￥0.2766

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型号：JSMD1812-300/16 编号：C2972731

封装：1812

品牌：JKSEMI(金开盛)

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10+
￥0.4067
100+
￥0.3203
300+
￥0.2771

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型号：SMD1206-110 编号：C2846895

封装：1206

品牌：JKSEMI(金开盛)

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10+
￥0.4278
100+
￥0.3414
300+
￥0.2982
1000+
￥0.2658

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型号：JK30-090 编号：C355315

封装：插件,P=5.1mm

品牌：JKSEMI(金开盛)

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5+
￥0.5133
50+
￥0.4077
150+
￥0.355

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型号：P4200SB 编号：C362080

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：JKSEMI(金开盛)

特性：双向撬棒式瞬态电压保护。高浪涌能力。高关态阻抗。低泄漏电流。低导通态电压。短路故障模式。应用：帮助保护敏感电信设备免受闪电、电源接触和电源感应造成的危害。中央办公室交换设备

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5+
￥0.6055
50+
￥0.4854
150+
￥0.4253
500+
￥0.3803

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型号：JK16-300 编号：C355298

封装：插件,P=5.1mm

品牌：JKSEMI(金开盛)

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5+
￥0.6494
50+
￥0.5159
150+
￥0.4491

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型号：1.5KE16CA 编号：C5220682

封装：DO-27(DO-201)

品牌：JKSEMI(金开盛)

1.5KE系列大电流单/双向瞬态抑制器专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件可提供6.8伏至550伏的单/双向端口保护。它们提供的钳位电压低于雪崩电压。因此，因电流传导增加而导致的任何电压上升都被控制在最低限度，从而提供尽可能高的保护水平。它们还可以串联和/或并联连接，以创建高容量保护解决方案。

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5+
￥0.7103
50+
￥0.5615
150+
￥0.4871

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型号：1.5KE82A 编号：C5220689

封装：DO-27(DO-201)

品牌：JKSEMI(金开盛)

1.5KE系列大电流单/双向瞬态抑制器专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件可提供6.8V至550V的单/双向端口保护。它们提供的钳位电压低于雪崩电压。因此，因电流传导增加而导致的任何电压上升都被控制在最低限度，从而提供尽可能高的保护水平。它们还可以串联和/或并联连接，以创建高容量的保护解决方案。

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5+
￥0.7289
50+
￥0.5801
150+
￥0.5057

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型号：1.5KE39CA 编号：C5220687

封装：DO-27(DO-201)

品牌：JKSEMI(金开盛)

1.5KE系列大电流单/双向瞬态抑制器专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件可提供6.8伏至550伏的单/双向端口保护。它们的钳位电压低于雪崩电压。因此，因电流传导增加而导致的任何电压上升都被控制在最低限度，从而提供尽可能高的保护水平。它们还可以串联和/或并联连接，以创建高容量的保护解决方案。

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5+
￥0.7289
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￥0.5801
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￥0.5057

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型号：JKS 5-2R230 编号：C359455

封装：插件,D5.5xL6mm

品牌：JKSEMI(金开盛)

气体放电管用于对交换机总配线架以及用户终端设备的过电压保护。与传统GDT相比，可提供更高水平的保护，其快速而精确的击穿电压使之适宜于MDF（主配线板）模块、高速数据电信应用（例如ADSL、VDSL），以及电源线路的浪涌保护等应用。具有两种保护形式，即：通过与压敏电阻的结合来防护承受的电压脉冲尖峰主要部分和防护通过电话网络及控制网络的瞬时过电压。

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5+
￥1.4317
50+
￥1.1293
200+
￥0.976

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型号：JK30-900 编号：C355327

封装：插件,P=10.2mm

品牌：JKSEMI(金开盛)

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5+
￥1.6426
50+
￥1.2898
200+
￥1.1386

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型号：JKS8-3R090-L 编号：C369674

封装：插件,6x8mm

品牌：JKSEMI(金开盛)

特性：符合RoHS要求。高绝缘阻抗。快速响应。性能稳定。应用：宽带装置。有线电视和卫星设备

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1+
￥3.71
10+
￥3
30+
￥2.65
100+
￥2.24

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型号：MMBT2907A 编号：C2972764

封装：SOT-23

品牌：JKSEMI(金开盛)

特性：外延平面芯片结构。有互补NPN类型（MMBT2222A）

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￥0.1149
500+
￥0.0901
3000+
￥0.0723
6000+
￥0.064
24000+
￥0.0568
51000+
￥0.0529

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型号：MV0402E240C0R2T 编号：C2972743

封装：0402

品牌：JKSEMI(金开盛)

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20+
￥0.1302
200+
￥0.1021
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￥0.0865
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￥0.0772
10000+
￥0.0659
20000+
￥0.0616

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型号：JSMD1812-200/16 编号：C2972729

封装：1812

品牌：JKSEMI(金开盛)

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20+
￥0.1663
200+
￥0.1302
600+
￥0.1101
1500+
￥0.0952
10500+
￥0.0848
19500+
￥0.0792

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型号：06 110.2 编号：C355668

封装：0603

品牌：JKSEMI(金开盛)

06 110 系列熔断器设定了高性能、可靠性和质量的行业标准。无焊设计在使用过程中提供了出色的通断和温度循环特性，同时也使得 SMD 熔断器比典型的次小型熔断器更耐热和抗冲击。

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20+
￥0.1938
200+
￥0.1504
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￥0.1264
5000+
￥0.1084
10000+
￥0.0959
20000+
￥0.0892

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型号：ESD5B5CL5B 编号：C2972746

封装：SOD-523

品牌：JKSEMI(金开盛)

ESD5B5CL采用伟攀穿通工艺的TVS技术设计，旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。其出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3播放器、数码相机及其他对电路板空间要求严苛的便携式应用。此外，因其电容值低，还适用于USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI等高速线路应用等高频设计。该系列专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受ESD（静电放电）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。

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