美国力特二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SP3011-06UTG 编号：C207281

封装：UDFN-14(1.4x3.5)

SP3011集成了六路超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的USB 3.0端口提供保护。该高密度阵列能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8 kV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容使其非常适合保护任何高速信号引脚。

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￥2.82
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￥2.21
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￥1.95
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￥1.29

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型号：SP1003-01ETG 编号：C207270

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个 I/O 引脚，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地承受 ±30kV（接触放电，符合 IEC 61000-4-2 标准）的反复 ESD 冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下安全耗散 7A 的 8/20μs 浪涌电流（符合 IEC61000-4-5 标准）。

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￥0.4524
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￥0.2653
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￥0.2354
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￥0.2204

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型号：SP4020-01FTG 编号：C1972938

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4020 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御 ESD 和雷电感应浪涌事件。根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版（tp = 8/20μs），这些器件可安全吸收高达 30A 的电流而性能不下降，并且根据 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，其最小 ESD 为 ±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护电信端口，如以太网和其他高速数据接口。

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￥0.728
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￥0.6459
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￥0.5843
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￥0.535

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型号：SP0504SHTG 编号：C207264

封装：SOT-23-6

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP0504S采用专有硅雪崩技术制造，配备超低电容的轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394。

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￥1.4562
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￥0.8052

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型号：V56MLA1206NH 编号：C187750

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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￥1.8374
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￥1.4366
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￥1.2648
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￥0.9958
2500+
￥0.9003

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型号：V85MLA1210NH 编号：C2655545

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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￥2.2782
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￥1.7913
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￥1.5827
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￥1.3224

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型号：V30MLA0603NH 编号：C2655583

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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￥1.1224
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￥0.8946
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￥0.7969
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￥0.6751
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型号：SM15-02HTG 编号：C1975435

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。

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￥1.1344
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￥0.7888
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￥0.6018

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型号：SP3003-02JTG 编号：C151302

封装：SC-70-5

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003具备超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，采用专有硅雪崩技术制造，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级，±8 KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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￥1.3468
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￥0.9819
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￥0.8453
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型号：5.0SMDJ30A 编号：C2763589

封装：DO-214AB

品牌：Littelfuse(美国力特)

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发功率密度越来越高的电路保护元件。瞬态电压抑制二极管用于浪涌和静电放电保护应用，采用紧凑型芯片封装DO 214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至170 V的选择，击穿电压最高可达209 V

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￥5.06
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型号：SP1004U-ULC-04UTG 编号：C1975518

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款超低电容二极管阵列系列为高速串行接口提供了能保持信号完整性的单向静电放电（ESD）保护。SOD 883 和标准 2.4 mm×1.0 mm 封装选项可显著节省 PCB 布局空间，并降低走线布局复杂度。该元件在提供 20 kV 的空气和接触式 ESD 保护（IEC 61000 - 4 - 2）的同时，还能保持极低的漏电流和低动态电阻。由于其低关态电容，该系列与高速接口兼容，从而能保持高带宽信号的完整性。

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￥0.7485
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￥0.5947
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￥0.4602
3000+
￥0.414

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型号：V5.5MLA0805NH 编号：C187747

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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￥1.7899
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￥1.424
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￥1.2672
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￥1.0715

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型号：SLVU2.8-4BTG 编号：C2763559

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLVU2.8 - 4 旨在保护低电压 CMOS 器件免受静电放电 (ESD) 和雷电感应瞬变的影响。每个低电压瞬态电压抑制器 (TVS) 都串联一个补偿二极管，为被保护线路呈现低负载电容。这些坚固的结构能够按照 IEC 61000 - 4 - 2 标准安全吸收 ±30kV（接触放电）的反复 ESD 冲击，并且每个结构都能在极低的钳位电压下安全耗散高达 40A（IEC 61000 - 4 - 5 第二版，tp = 8/20μs）的电流。

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￥6.79
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型号：SP720ABTG 编号：C434726

封装：SOIC-16

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP720是一个由SCR/二极管双极结构组成的阵列，用于为敏感输入电路提供ESD和过压保护。每个输入有2个SCR/二极管保护器件结构。总共14个可用输入可用于保护多达14条外部信号或总线线路。过压保护从IN（引脚1 - 7和9 - 15）到V+或V-。SCR结构设计为在高于V+（引脚16）一个+VBE二极管阈值或低于V-（引脚8）一个-VBE二极管阈值的阈值下快速触发。从IN输入来看，如果瞬态脉冲使输入电压升高到比V+高一个VBE的电压电平，则激活到V+的钳位。如果向IN输入施加一个比V-低一个VBE的负脉冲，则激活到V-的类似钳位。标准ESD人体模型（HBM）能力为：

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￥13.54
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￥11.63
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￥10.44
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￥9.22
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￥8.67
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￥8.43

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型号：AQ1003-01ETG 编号：C3704945

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

该TVS二极管采用专有的硅雪崩技术制造，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备的每个I/O引脚提供高级别的保护。这些坚固的TVS二极管可以安全地吸收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复ESD冲击，而不会出现性能下降。此外，TVS二极管可以在极低的钳位电压下安全地耗散7A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5第二版）。

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￥0.8819
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￥0.7163
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￥0.5714
2500+
￥0.5217
5000+
￥0.4968

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型号：SP3004-04XTG 编号：C207280

封装：SOT-563

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3004 采用专有硅雪崩技术制造了超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，用于保护每个 I/O 引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准规定的最高级别（4 级）下安全吸收反复的 ESD 冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护 HDMI、DVI、USB2 等高速信号引脚的理想选择

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5+
￥1.2551
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￥0.9729
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￥0.8519
500+
￥0.7011

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型号：SM24-02HTG 编号：C1847668

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。

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5+
￥0.8762
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￥0.7812
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￥0.7406
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￥0.6898
3000+
￥0.6672

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型号：SP3003-04ATG 编号：C207279

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003采用专有的硅雪崩技术制造，具备超低电容的轨到轨二极管和一个额外的保护二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大级别重复ESD冲击（4级，±8 kV接触放电和±75 kV空气放电），且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚（如HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394）的理想选择。

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5+
￥1.8415
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￥1.642
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￥1.5565
500+
￥1.4498

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型号：IXTA96P085T-TRL 编号：C6280784

封装：TO-263AA

品牌：Littelfuse(美国力特)

特性：国际标准封装。雪崩额定。扩展正向偏置安全工作区（FBSOA）。快速本征二极管。低导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（QG）。易于安装。应用：高端开关。推挽放大器

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￥42.22
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￥37.1
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￥33.98
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￥31.36

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型号：SP4024-01FTG-C 编号：C316006

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4024系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达7A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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5+
￥1.1457
50+
￥0.9063
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￥0.8037
500+
￥0.6757

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型号：AQ4020-01FTG-C 编号：C1973788

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4020 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达 30A 的电流，且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，最小静电放电能力为 ±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口以及其他高速数据接口。

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5+
￥1.2393
50+
￥1.0959
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￥1.0345
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￥0.9579

有货

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型号：V5.5MLA0603NHAUTO 编号：C2655760

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。较宽的工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装。与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。与齐纳二极管相比，可在更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

数据手册

1+
￥1.2716 ￥1.87
10+
￥0.9454 ￥1.63
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￥0.7344 ￥1.53
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￥0.672 ￥1.4
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￥0.6432 ￥1.34
1000+
￥0.6288 ￥1.31

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型号：SP1001-05JTG 编号：C207268

封装：SOT-363-6(SC-70)

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

数据手册

5+
￥1.6349
50+
￥1.3094
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￥1.1699
500+
￥0.9959

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型号：AQ24CANA-02HTG 编号：C1974430

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ24CANA TVS二极管阵列旨在保护汽车控制器局域网（CAN）线路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和其他过电压瞬变造成的损坏。AQ24CANA能够承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的反复ESD冲击，且性能不会下降，并能以极低的钳位电压安全耗散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5第二版）。

数据手册

5+
￥0.9394
50+
￥0.7559
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￥0.6642
500+
￥0.5954

有货

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型号：V30MLA1210NH 编号：C179069

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥2.2113
50+
￥1.7582
150+
￥1.564

有货

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型号：AQ3118-01ETG 编号：C1974967

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ3118包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制（TVS）二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高达IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的反复ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置可为数据线提供对称的ESD保护。

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5+
￥0.9636
50+
￥0.7787
150+
￥0.6862
500+
￥0.6169

有货

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型号：P6SMB27A 编号：C130399

封装：DO-214AA

品牌：Littelfuse(美国力特)

TVS瞬态抑制二极管

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5+
￥1.0075
50+
￥0.8163
150+
￥0.7208
500+
￥0.6491

有货

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型号：SP4021-01FTG-C 编号：C720051

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4021 系列元件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些元件每 IEC 61000 - 4 - 5 标准（tp = 8/20μs）可安全吸收高达 25A 的浪涌电流而性能不下降，且每 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准可承受最小 ±30kV 的 ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

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5+
￥0.8519
50+
￥0.6691
150+
￥0.5776

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型号：SP4022-01FTG-C 编号：C720050

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件每IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）可安全吸收高达15A的电流，性能不会下降，且每IEC61000 - 4 - 2国际标准可承受最小±30kV的ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

数据手册

5+
￥1.0845
50+
￥0.8776
150+
￥0.7889
500+
￥0.6783

有货

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型号：SP1001-04JTG 编号：C207267

封装：SC-70-5

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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￥1.2111
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￥0.9684
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￥0.8643
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