美台二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1SMB5931B-13 编号：C151423

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8878
50+
￥0.7087
150+
￥0.6192
500+
￥0.552
3000+
￥0.4983

有货

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型号：1SMB5920B-13 编号：C507853

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.0148
50+
￥0.8131
150+
￥0.7266
500+
￥0.6188
3000+
￥0.5708

有货

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型号：DFLZ10-7 编号：C151371

封装：Power-DI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥1.0594
50+
￥0.8686
150+
￥0.7733
500+
￥0.7018

有货

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型号：SDT5A100SAF-13 编号：C6802581

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

提供非常低的正向电压（VF），在高温下具有极其出色的反向泄漏稳定性，适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

5+
￥1.1002
50+
￥0.9681
150+
￥0.9114
500+
￥0.8408
2500+
￥0.8093
5000+
￥0.7904

有货

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型号：B280-13-F 编号：C134445

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达60A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：引脚处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.1342
50+
￥0.9494
150+
￥0.857
500+
￥0.7877
3000+
￥0.7323

有货

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型号：PD3S230H-7 编号：C155289

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高浪涌能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-0101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.2762
50+
￥1.1102
150+
￥1.0391
500+
￥0.9504
3000+
￥0.9109

有货

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型号：ZLLS400TA 编号：C460267

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款采用SOD323封装的紧凑型肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合，包括大电流工作、极低的漏电流和低正向电压，确保适用于需要在较高温度（高于+85°C）下高效运行的应用场景。

数据手册

5+
￥1.3955
50+
￥1.1144
150+
￥0.9939
500+
￥0.8435
3000+
￥0.7766

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型号：SBRT3U60P1Q-7 编号：C5249213

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：降低超低正向压降（VF），提高效率，运行更凉爽。降低高温反向泄漏，提高高温运行时对热失控故障的可靠性。采用专利沟槽超级势垒整流器（SBR）技术，封装高度小于1.4mm，适用于薄型应用。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产