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首页 > 热门关键词 > 美台二极管
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描述
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75V 150mA
型号：MMBD4148TW-7-F 编号：C157538
封装：SOT-363
品牌：DIODES(美台)
特性：快速开关速度。 超小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
数据手册

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    电压:40V 电流:500mA
    型号：B0540WS-7 编号：C98664
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导率。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性
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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.5uA@6.0V
    型号：BZT52C9V1T-7 编号：C507916
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

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    独立式 耐压:12V 电流:1uA@9.1V
    型号：MMBZ5242B-7-F 编号：C460906
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，高可靠性
    数据手册

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    耐压:800V 电流:1A 反向恢复时间：75ns
    型号：UF1006-T 编号：C526774
    封装：DO-41
    品牌：DIODES(美台)
    特性：扩散结。 超快速开关，实现高效率。 高电流能力和低正向压降。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值达30A峰值。 塑料材料：UL阻燃等级94V-0
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    耐压:4.7V 电流:3uA
    型号：BZX84C4V7Q-7-F 编号：C2760562
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
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    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA@1V
    型号：BZT52C11Q-7-F 编号：C260906
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
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    独立式 耐压:13V 电流:0.5uA@9.9V
    型号：MMBZ5243B-7-F 编号：C780861
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，高可靠性
    数据手册

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    独立式 耐压:24V 电流:0.05uA
    型号：DDZ24C-7 编号：C460849
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常严格的Vz公差。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZX84B12-7-F 编号：C460803
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
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    型号：DDZ30CSF-7 编号：C3737975
    封装：SOD-323F
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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    耐压:3.6V 电流:5uA@1V
    型号：BZT585B3V6T-7 编号：C2937142
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：击穿电压公差：±2.0%。 小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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    耐压:2.4V 电流:50uA@1.0V
    型号：BZT52C2V4T-7 编号：C2760566
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
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    耐压:8.2V 电流:0.7uA
    型号：BZT585B8V2T-7 编号：C5199761
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：击穿电压公差：±2.0%。 小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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    型号：DDZ9684-7 编号：C165455
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。 指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。 适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产
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    耐压:16V 电流:0.1uA@11.2V
    型号：BZX84C16Q-13-F 编号：C6133161
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

    • 10+

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    85V 100mA
    型号：BAV116T-7 编号：C526441
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型表面贴装封装。 超低反向漏电流：5nA（VR = 75V时）。 低电容。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZT52C4V3S-7-F 编号：C260909
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
    数据手册

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    • 100+

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    • 300+

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    独立式 耐压:24V 电流:0.1uA@16.8V
    型号：BZT52C24S-7-F 编号：C260932
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 51000+

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      ￥0.12595
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    400V 1.5A
    型号：S2GA-13-F 编号：C674403
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 低正向压降和高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 非常适合自动组装。 无铅表面处理/符合RoHS标准。 绿色模塑化合物（无卤素和锑）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3557

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    耐压:13V 电流:0.1uA@1V
    型号：BZT52C13Q-7-F 编号：C5224095
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 10+

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    耐压:4.3V 电流:3uA@1V
    型号：BZX84C4V3W-7-F 编号：C5248735
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

    • 10+

      ￥0.3652

    • 100+

      ￥0.2917

    • 300+

      ￥0.255
  • 有货
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    耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZT52HC12WF-7 编号：C2942987
    封装：SOD-123F
    品牌：DIODES(美台)
    特性：扁平引脚封装设计，实现低外形和高功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性
    数据手册

    • 5+

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    2个独立式 耐压:30V 电流:0.1uA@23V
    型号：MMBZ5256BS-7-F 编号：C212311
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 超小型表面贴装封装中的双隔离齐纳二极管。 非常适合自动化组装工艺。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册

    • 1+

      ￥0.3693 ￥1.231

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    耐压:34V 电流:0.05uA@27.0V
    型号：DDZ34-7 编号：C5624623
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常严格的Vz公差。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

    • 5+

      ￥0.3704

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    300V 250mA
    型号：BAW101-7 编号：C3001936
    封装：SOT-143
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 高反向击穿电压。 单个紧凑型封装中有两个电气隔离元件。 低泄漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3807

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    • 150+

      ￥0.3675
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    耐压:3.6V 电流:7.5uA@2V
    型号：DDZ9685-7 编号：C460857
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。 指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。 适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产
    数据手册

    • 10+

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    • 100+

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    600V 1A
    型号：1N4005G-T 编号：C145098
    封装：DO-41
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理，符合RoHS标准
    数据手册

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    独立式 耐压:17V 电流:0.05uA@12.9V
    型号：DDZ9704-7 编号：C460863
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。 指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。 适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产
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    电压:20V 电流:350mA
    型号：SD103CW-7-F 编号：C151833
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    这些是采用SOD123封装的0.2A、20V/30V/40V肖特基整流器。
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