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首页 > 热门关键词 > 美台二极管
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操作
电压:30V 电流:1A
型号：1N5818-T 编号：C156296
封装：DO-41
品牌：DIODES(美台)
特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层，符合 RoHS 标准
数据手册

  • 10+

    ￥0.46949 ￥0.4942

  • 100+

    ￥0.34136 ￥0.4016

  • 300+

    ￥0.266475 ￥0.3553

  • 1000+

    ￥0.24045 ￥0.3206

  • 5000+

    ￥0.219675 ￥0.2929

  • 10000+

    ￥0.20925 ￥0.279
  • 有货
    • 立即购买
    1对共阳极 耐压:22.06V 电流:100nA@17V
    型号：AZ23C22-7-F 编号：C260871
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阳极配置。 功率耗散额定值：300mW。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。 提供共阴极样式。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该器件符合JEDEC高可靠性标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4723

    • 100+

      ￥0.3779

    • 300+

      ￥0.3306
  • 有货
    • 立即购买
    100V 250mA
    型号：BAW56HDW-13 编号：C5248603
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 高反向击穿电压。 低泄漏电流。 低电容。 适用于通用开关应用。 一个封装内有两个电路。 完全无铅，完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

    • 5+

      ￥0.4827

    • 50+

      ￥0.3862

    • 150+

      ￥0.338

    • 500+

      ￥0.3018

    • 2500+

      ￥0.2728

    • 5000+

      ￥0.2584
  • 有货
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    20V 200mA
    型号：SBR0220T5-7 编号：C700438
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 150℃工作结温。 无铅表面处理，符合RoHS标准。 “绿色”模塑料 (无溴、锑)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5108

    • 100+

      ￥0.4235

    • 300+

      ￥0.3798
  • 有货
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    100V 200mA
    型号：BAS16HTWQ-13R 编号：C5124967
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 高反向击穿电压。 低泄漏电流。 低电容。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5253

    • 50+

      ￥0.4269

    • 150+

      ￥0.3777

    • 500+

      ￥0.3408

    • 2500+

      ￥0.3112

    • 5000+

      ￥0.2965
  • 有货
    • 立即购买
    85V 215mA
    型号：BAV199T-7-F 编号：C212300
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    整流二极管
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5255

    • 100+

      ￥0.4252

    • 300+

      ￥0.3751
  • 有货
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    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：200ns
    型号：1N4935G-T 编号：C5245049
    封装：DO-41
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 扩散结。 快速开关，高效能。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理，符合RoHS标准

    • 5+

      ￥0.5352

    • 50+

      ￥0.4317

    • 150+

      ￥0.3799

    • 500+

      ￥0.3411

    • 2500+

      ￥0.3101
  • 有货
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    电压:80V 电流:1A
    型号：B180-13-F 编号：C155354
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗，高效率。 适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。 续流二极管
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5516

    • 50+

      ￥0.4441

    • 150+

      ￥0.3904

    • 500+

      ￥0.35

    • 2500+

      ￥0.3178
  • 有货
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    12V 100nA@9V
    型号：DZ23C12Q-7-F 编号：C7269427
    封装：SOT-23-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阴极配置。 300mW 功率耗散。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。 提供共阳极样式，参见 AZ 系列。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。 可提供生产件批准程序 (PPAP)

    • 5+

      ￥0.5522

    • 50+

      ￥0.4442

    • 150+

      ￥0.3902

    • 500+

      ￥0.3497
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    80V 500mA
    型号：MMBD4448HCDW-7-F 编号：C5249028
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 低正向电压：5mA时最大0.72V。 低反向电流：70V时最大100nA。 快速反向恢复：最大4ns。 低电容：最大3.5pF。 小表面贴装封装。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

    • 5+

      ￥0.5574

    • 50+

      ￥0.4875

    • 150+

      ￥0.4525

    • 500+

      ￥0.4263

    • 2500+

      ￥0.4054

    • 5000+

      ￥0.3949
  • 有货
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    SBRT3U60SA-13-01
    型号：SBRT3U60SA-13-01 编号：C5144613
    封装：-
    品牌：DIODES(美台)

    • 5+

      ￥0.579

    • 50+

      ￥0.5129

    • 150+

      ￥0.4798

    • 500+

      ￥0.455

    • 2500+

      ￥0.4352
  • 有货
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    4.3V 3uA@1V
    型号：BZT52C4V3LP-7 编号：C5248673
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小无铅表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高

    • 5+

      ￥0.5923

    • 50+

      ￥0.4738

    • 150+

      ￥0.4146

    • 500+

      ￥0.3701
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    1对共阳极 耐压:6.8V
    型号：AZ23C6V8-7-F 编号：C5199762
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阳极配置。 功率耗散额定值：300mW。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。 提供共阴极样式。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该器件符合JEDEC高可靠性标准
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6184

    • 50+

      ￥0.4948

    • 150+

      ￥0.4331

    • 500+

      ￥0.3867
  • 有货
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    1kV 1A
    型号：D7G-T 编号：C7435972
    封装：插件
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理，符合RoHS标准

    • 5+

      ￥0.633

    • 50+

      ￥0.503

    • 150+

      ￥0.438

    • 500+

      ￥0.3893
  • 有货
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    电压:30V 电流:1A
    型号：B130L-13-F 编号：C134425
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 非常适合自动组装。 低功耗，高效率。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6913

    • 50+

      ￥0.5458

    • 150+

      ￥0.4731

    • 500+

      ￥0.4186

    • 2500+

      ￥0.3749
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:1000V 电流:1A 反向恢复时间：500ns
    型号：FRS1ME 编号：C5245057
    封装：DO-219AA
    品牌：DIODES(美台)
    采用DO-219AA封装，适合作为功率因数校正电路中的升压二极管。用于高温条件下的消费应用中的超快开关速度AC-AC和DC-DC转换器的二次整流和续流。

    • 5+

      ￥0.7009

    • 50+

      ￥0.5569

    • 150+

      ￥0.4849

    • 500+

      ￥0.4309
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:5.6V 电流:1uA@2.0V
    型号：BZX84C5V6S-7-F 编号：C5248738
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

    • 5+

      ￥0.7032

    • 50+

      ￥0.5626

    • 150+

      ￥0.4922

    • 500+

      ￥0.4395

    • 2500+

      ￥0.3973
  • 有货
    • 立即购买
    电压:90V 电流:2A
    型号：B290-13-F 编号：C134446
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达60A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：引脚处+260℃/10秒。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7371

    • 50+

      ￥0.7232

    • 150+

      ￥0.7139

    • 500+

      ￥0.7046
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:1A
    型号：B1100B-13-F 编号：C124202
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗，高效率。 适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。 续流二极管
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7676

    • 50+

      ￥0.6342

    • 150+

      ￥0.5675

    • 500+

      ￥0.5174
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:0.1uA@14.0V
    型号：BZX84C20S-7-F 编号：C5378685
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7726

    • 50+

      ￥0.6182

    • 150+

      ￥0.5411

    • 500+

      ￥0.4832
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:600V 电流:1A 反向恢复时间：75ns
    型号：US1JDF-13 编号：C3763805
    封装：D-FLAT
    品牌：DIODES(美台)
    采用低外形 D-FLAT 封装的整流器。提供超快恢复时间，实现高效率，非常适合一般整流应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9902

    • 50+

      ￥0.8621

    • 150+

      ￥0.8071

    • 500+

      ￥0.7386

    • 2500+

      ￥0.7081

    • 5000+

      ￥0.6898
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：25ns
    型号：ES2D-13-F 编号：C151030
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间，实现高效率。 浪涌过载额定值达50A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层，符合RoHS标准。 采用绿色模塑料（无卤素和锑）
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0075

    • 50+

      ￥0.7961

    • 150+

      ￥0.7055

    • 500+

      ￥0.5924
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:16V 电流:1uA@12.2V
    型号：1SMB5930B-13 编号：C780712
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    特性：功率耗散：3.0W。 非常适合自动组装。 标称齐纳电压范围：6.2V-200V。 标准Vz公差：45%。 人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

    • 5+

      ￥1.0562

    • 50+

      ￥0.866

    • 150+

      ￥0.7708

    • 500+

      ￥0.6995
  • 有货
    • 立即购买
    电压:40V 电流:500mA
    型号：SDM05U40CSP-7 编号：C526764
    封装：X3-WLB1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    是一款40伏、0.5A的肖特基势垒整流器，针对低正向压降和低漏电流进行了优化，采用紧凑的芯片级封装（CSP），仅占用0.6mm²的电路板空间。低热阻使设计人员能够应对提高效率的设计挑战，同时减少电路板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0928

    • 50+

      ￥0.8625

    • 150+

      ￥0.7638

    • 500+

      ￥0.6407

    • 2500+

      ￥0.5858
  • 有货
    • 立即购买
    100V 3A
    型号：S3BB-13-F 编号：C110514
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1577

    • 50+

      ￥0.9326

    • 150+

      ￥0.8361

    • 500+

      ￥0.7157
  • 有货
    • 立即购买
    电压:40V 电流:1A
    型号：SDM1A40CSP-7 编号：C526765
    封装：X3-WLB1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    是一款40伏1A的肖特基势垒整流器，针对低正向压降和低漏电流进行了优化，采用紧凑的芯片级封装（CSP），仅占用0.6mm²的电路板空间。低热阻使设计人员能够应对提高效率的设计挑战，同时减少电路板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1874

    • 50+

      ￥0.9196

    • 150+

      ￥0.8049

    • 500+

      ￥0.6617

    • 2500+

      ￥0.5979
  • 有货
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    1kV 3A
    型号：1N5408G-T 编号：C526212
    封装：DO-201AD
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达125A峰值。 无铅表面处理；符合RoHS标准
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    150V 2A
    型号：ES2C-13-F 编号：C5245051
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间，实现高效率。 浪涌过载额定值达50A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层，符合RoHS标准。 采用绿色模塑料（无卤素和锑）

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    耐压:1000V 电流:1A
    型号：DF10S-T 编号：C102616
    封装：DF-S
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 低正向压降，高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E525394。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    耐压:100V 电流:1A
    型号：DF01S-T 编号：C110491
    封装：DF-S
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 低正向压降，高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E525394。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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