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  • UTC 5N50 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用了 UTC 的先进技术,为客户提供 DMOS 平面条形技术。该技术旨在满足最低导通电阻和出色开关性能的要求。它还能在雪崩和通信模式下承受高能脉冲
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  • UTC 4N80 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用先进技术,具备平面条形和 DMOS 技术。该技术专门用于实现最低导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲
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