友台二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO4480 编号：C5125948

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。静电放电保护。 VDS(V) = 40V。 ID = 14A。 RDS(ON) < 12mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 4.5V)

数据手册

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￥0.7029
50+
￥0.5566
150+
￥0.4834
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￥0.4285
3000+
￥0.3726
6000+
￥0.3506

有货

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型号：FQD20N06(UMW) 编号：C5159780

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：先进的MOSFET技术，专门设计用于降低导通电阻。提供卓越的开关性能。具有高雪崩能量强度。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 25mΩ（VGS = 10V）。应用：开关模式电源。音频放大器

数据手册

5+
￥0.7335
50+
￥0.5778
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￥0.4999
500+
￥0.4415
2500+
￥0.3753
5000+
￥0.3519

有货

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型号：IRF8707TR(UMW) 编号：C18214399

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

针对同步降压操作中的关键参数（包括导通电阻RDS(ON)和栅极电荷）进行了优化，以降低传导和开关损耗。较低的总损耗使其非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。

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￥0.7509
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￥0.5918
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￥0.5123
500+
￥0.4527
3000+
￥0.405
6000+
￥0.3811

有货

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型号：AOD478(UMW) 编号：C7503182

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。 VDS(V) = 100V。 ID = 11A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 140mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 152mΩ (VGS = 5V)

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￥0.7535
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￥0.592
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￥0.5112
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￥0.4507
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￥0.4022
5000+
￥0.378

有货

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型号：IRLR8726TR(UMW) 编号：C5693007

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V。 RDS(ON)<5.8mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<8mΩ(VGS=4.5V)。极低的RDS(ON)，VGS为4.5V时。超低栅极阻抗。完全表征雪崩电压和电流。应用：用于电信和工业的带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器。用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器

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￥0.7567
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￥0.595
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￥0.5141
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￥0.4535
2500+
￥0.405
5000+
￥0.3807

有货

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型号：IRF7424TR(UMW) 编号：C5252442

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

SOP-8通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可以在应用中使用，大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊技术。

数据手册

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￥0.7686
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￥0.61
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￥0.5307
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￥0.4712
3000+
￥0.4038
6000+
￥0.38

有货

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型号：AO4807 编号：C5125952

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷。VDS(V) = -30V。ID = -6A（VGS = 10V）。RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V）。RDS(ON) < 58mΩ（VGS = 4.5V）

数据手册

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￥0.7787
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￥0.6168
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￥0.5359
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￥0.4751
3000+
￥0.4063
6000+
￥0.3821

有货

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型号：FQD13N06LTM(UMW) 编号：C7499402

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 5.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<115mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<145mΩ(VGS=5V)。低栅极电荷（典型值4.8nC）。低Crss（典型值17pF）。可由逻辑驱动器直接操作。低电平栅极驱动要求

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￥0.7884
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￥0.6214
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￥0.5379
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￥0.4753
2500+
￥0.4252
5000+
￥0.4001

有货

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型号：FDS6912A(UMW) 编号：C18214398

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(V) = 30V。 ID = 6A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 4.5V)。高功率和电流处理能力。采用高性能沟槽技术，实现极低的Rps(on)。快速开关速度。低栅极电荷

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￥0.7935
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￥0.6254
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￥0.5414
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￥0.4783
3000+
￥0.4279
6000+
￥0.4027

有货

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型号：IRF7456TR(UMW) 编号：C7499384

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V。 ID = 16A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 6.5mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 7.5mΩ(VGS = 4.5V)。极低的RDS(ON) = 4.5V VGS。低电荷和低栅极阻抗，以降低开关损耗。应用：带同步整流的高频DC-DC转换器

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￥0.7951
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￥0.5402
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￥0.4765
3000+
￥0.4255
6000+
￥0.4

有货

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型号：FDD6670A(UMW) 编号：C7499393

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。优化了低栅极电荷、低导通电阻（RDS(ON)）、快速开关速度。在小封装中具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。 VDS(V) = 30V。 RDS(ON) = 8mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 10mΩ（VGS = 4.5V）。低栅极电荷。快速开关。采用高性能沟槽技术以实现极低的导通电阻（RDS(ON)）

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￥0.7958
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￥0.6272
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￥0.5429
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￥0.4797
2500+
￥0.4292
5000+
￥0.4039

有货

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型号：IRFR4105TR(UMW) 编号：C18214392

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

超低导通电阻。快速开关。完全雪崩额定。无铅

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￥0.8239
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￥0.6513
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￥0.565
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￥0.5003
2500+
￥0.4485
5000+
￥0.4226

有货

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型号：AOD403(UMW) 编号：C7499378

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。漏源电压（VDS）：-30V。当栅源电压（VGS）为 -10V 时，导通电阻（RDS(ON)）< 8mΩ。当栅源电压（VGS）为 -20V 时，导通电阻（RDS(ON)）< 6.2mΩ

5+
￥0.886
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￥0.6985
150+
￥0.6047
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￥0.5344
2500+
￥0.4782
5000+
￥0.45

有货

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型号：LMV612MAX(UMW) 编号：C22365315

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

LMV61x 器件是单路、双路和四路低电压、低功耗运算放大器。专为低电压、通用应用而设计的集成栅极驱动器。其他重要的产品特性包括轨至轨输入/输出、1.8V 的低电源电压以及宽温度范围。LMV61x 输入共模在电源基础上向外扩展了 200mV，无负载时提供轨至轨输出摆幅，而在由 1.8V 电源供电且负载为 2kΩ 时提供 30mV 以内的输出电压。当消耗的静态电流为 100μA（典型值）时，LMV61x 可实现 1.4MHz 的增益带宽积。-40°C 至 125°C 的工业增强型温度范围使得 LMV61x 能够适应各种扩展环境设计的集成栅极驱动器。

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￥0.8867
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￥0.6989
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￥0.605
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￥0.4782
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￥0.45

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型号：IRF7809AVTR(UMW) 编号：C7499382

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：针对同步降压转换器中所有关键参数进行了优化，包括导通电阻、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通抗扰度。 VDS = 30V。 ID = 15A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 9mΩ（VGS = 4.5V）

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￥0.8906
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￥0.702
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￥0.6077
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￥0.5369
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￥0.4803
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￥0.452

有货

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型号：FDD6796A(UMW) 编号：C18295979

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。 VDS(V) = 25V。 ID = 20A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 5.7mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 15mΩ (VGS = 4.5V)

5+
￥0.892
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￥0.703
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￥0.6086
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￥0.5377
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￥0.4527

有货

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型号：IRLR2905TR(UMW) 编号：C7436892

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。漏源电压（VDS）：60V。漏极电流（ID）：30A（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 29mΩ（VGS = 4.5V）。先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。获得无铅产品认证

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￥0.8923
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￥0.4812
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￥0.4529

有货

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型号：NTF2955T1G(UMW) 编号：C7472428

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

MOS

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￥0.8929
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￥0.7025
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￥0.6072
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￥0.5358
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￥0.4786
5000+
￥0.45

有货

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型号：FQD7N10LTM(UMW) 编号：C7503183

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

N-Channel增强型功率MOSFET采用平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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￥0.8961
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￥0.6088
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￥0.4794
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￥0.4507

有货

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型号：AOD508(UMW) 编号：C18214405

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

极低的导通电阻RDS(ON)，在VGS = 10V时。低栅极电荷。高电流能力

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￥0.9024
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￥0.7133
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￥0.6188
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￥0.5479
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￥0.4912
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￥0.4628

有货

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型号：IRF7241TR(UMW) 编号：C20617891

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = -40V。 ID = -6.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 41mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 70mΩ (VGS = -4.5V)。 Trench Technology。 Ultra Low On-Resistance。 P-Channel MOSFET。 Lead-Free

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￥0.5214
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￥0.4731
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￥0.444

有货

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型号：FDD8880(UMW) 编号：C7499391

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

该N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度进行了优化。

5+
￥0.9686
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￥0.5098
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￥0.48

有货

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型号：IRLR120NTR(UMW) 编号：C18214389

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 ID = 10A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 185mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 225mΩ (VGS = 5V)。 RDS(ON) < 265mΩ (VGS = 4V)

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￥0.9702
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￥0.7618
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￥0.6725
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￥0.5611
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￥0.5115
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￥0.4817

有货

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型号：IPD050N03LGATMA1(UMW) 编号：C18295984

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V。 ID = 50A(VGS = 10V)。 RDS(OM)=5mΩ(VGS=10V)。 RDS(OM)< 7.3mΩ(VGS = 4.5V)

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￥0.7957
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￥0.7017
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￥0.5321
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￥0.5007

有货

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型号：AO4447A(UMW) 编号：C7588050

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护。符合RoHS和无卤标准。漏源电压VDS = -30V。漏极电流ID = -18.5A（VGS = -10V）。导通电阻RDS(ON) < 5.8mΩ（VGS = -10V）。导通电阻RDS(ON) < 8.2mΩ（VGS = -4.5V）