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SN74AUP1G126 是一款来自超低功耗系列的单路同相缓冲器,具有三态输出,可在 0.8V 至 3.6V 的电源电压下工作。
  • 10+

    ¥0.2411
  • 100+

    ¥0.189
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    ¥0.163
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    ¥0.1279
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    ¥0.12
  • 有货
  • 是一种瞬态电压抑制器阵列,旨在保护连接到数据和传输线上的组件免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷击的影响。所有引脚都能承受 30kV ESD 脉冲。
    • 10+

      ¥0.2472
    • 100+

      ¥0.1931
    • 300+

      ¥0.1661
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      ¥0.1458
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      ¥0.1296
    • 9000+

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  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性。适用于所有电子产品。
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      ¥0.2514
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  • 有货
  • 特性:采用专有、高单元密度的DMOS技术制造。 VDS(V) = -30V。 ID = -4.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 120mΩ (VGS = -2.5V)
    • 10+

      ¥0.2551
    • 100+

      ¥0.2011
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      ¥0.1741
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  • 有货
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  • 有货
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    • 5000+

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  • 有货
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  • 有货
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      ¥0.2561
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    • 5000+

      ¥0.1381
  • 有货
  • SN74AUP1G125是一款来自超低功耗系列的单路三态输出缓冲器,可在0.8V至3.6V电源电压下工作。
    • 10+

      ¥0.2561
    • 100+

      ¥0.2019
    • 300+

      ¥0.1747
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    • 6000+

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      ¥0.13
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2592
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      ¥0.2036
    • 300+

      ¥0.1758
    • 3000+

      ¥0.1481
    • 6000+

      ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.123
  • 有货
  • 适用于需要高达100mA电源的应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2593
    • 200+

      ¥0.1983
    • 1000+

      ¥0.1531
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      ¥0.1151
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  • 有货
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  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 宽栅极驱动电压范围:2.5V-12V。 适用于作为负载开关。 漏源击穿电压(V(BR)DS):60V。 连续漏极电流(ID):2.1A。 导通电阻(RDS(ON)): -VGS = 10V时,小于105mΩ。应用:沟槽场效应晶体管功率MOSFET。 便携式设备负载开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2676
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      ¥0.2039
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      ¥0.1685
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      ¥0.1384
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      ¥0.12
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      ¥0.1101
  • 有货
  • SN74AHCT1G08器件是一款单路2输入正与门。该器件在正逻辑中执行布尔函数Y = A • B或Y = A + B
    • 10+

      ¥0.2689
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      ¥0.2135
    • 300+

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  • 有货
  • 74AUP2G34是一款高性能双缓冲器,工作电源电压范围为0.8至3.6V。该器件采用先进的CMOS工艺制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力。
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      ¥0.2789
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      ¥0.2205
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    • 6000+

      ¥0.1518
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      ¥0.143
  • 有货
  • 旨在保护需要超低电容的电压敏感组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间,使其非常适合在电路板空间有限的设计中进行 ESD 保护。
    • 10+

      ¥0.3121
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      ¥0.2509
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    • 9000+

      ¥0.1698
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。 适用于用作负载开关或PWM应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3147
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    • 300+

      ¥0.2048
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      ¥0.1769
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      ¥0.155
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      ¥0.144
  • 有货
  • 特性:这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻(RDS(ON))可确保最小的功率损耗并节约能源,使其非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。 VDS = 30V。 ID = 2.1A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS = 4.5V)
    • 10+

      ¥0.3467
    • 100+

      ¥0.2733
    • 300+

      ¥0.2366
    • 3000+

      ¥0.209
    • 6000+

      ¥0.187
    • 9000+

      ¥0.176
  • 有货
  • 是一款超低电容瞬态电压抑制器 (TVS),旨在保护高速数据接口。仅具有 0.20pF(I/O 到 I/O)的典型电容,旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。采用小型 SOT-363 封装。每个器件可以保护四条高速数据线和一条 Vcc 线。超低电容、小尺寸和高 ESD 鲁棒性的综合特性使其非常适合高速数据端口和高频线路(如 HDMI 和 DVI)应用。低钳位电压保证了受保护 IC 上的最小应力。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3611
    • 100+

      ¥0.2856
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      ¥0.2479
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      ¥0.2121
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      ¥0.1894
    • 9000+

      ¥0.1781
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 10+

      ¥0.3813
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      ¥0.2999
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      ¥0.2592
    • 3000+

      ¥0.2286
    • 6000+

      ¥0.2042
    • 9000+

      ¥0.192
  • 有货
  • 这些器件是精密定时电路,能够产生精确的时间延迟或振荡。在时间延迟或单稳态工作模式下,定时时间间隔由单个外部电阻和电容网络控制。在无稳态工作模式下,频率和占空比可通过两个外部电阻和一个外部电容分别进行控制
    • 5+

      ¥0.4784
    • 50+

      ¥0.3757
    • 150+

      ¥0.3243
    • 500+

      ¥0.2858
    • 2500+

      ¥0.2552
    • 5000+

      ¥0.2397
  • 有货
  • SOP-8 经过定制引线框架改进,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。通过这些改进,在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4915
    • 50+

      ¥0.4306
    • 150+

      ¥0.4002
    • 500+

      ¥0.3774
    • 3000+

      ¥0.3591
    • 6000+

      ¥0.35
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 36V。双电源范围:±1.0V 至 ±18V。极低的电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 5+

      ¥0.4921
    • 50+

      ¥0.3879
    • 150+

      ¥0.3358
    • 500+

      ¥0.2967
    • 2500+

      ¥0.2654
    • 4000+

      ¥0.2498
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 30V。分离电源范围:±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 5+

      ¥0.4925
    • 50+

      ¥0.3882
    • 150+

      ¥0.3361
    • 500+

      ¥0.2969
    • 2500+

      ¥0.2656
    • 4000+

      ¥0.25
  • 有货
  • LM833是一款双通道音频运算放大器,特别适用于音频和数据信号应用。该器件可在宽范围的单电源和双电源电压下工作,具有低噪声、高增益带宽和高转换速率的特点。它具备低噪声电压、高转换速率、低失真和大相位裕量的特性
    • 5+

      ¥0.5459
    • 50+

      ¥0.4287
    • 150+

      ¥0.3701
    • 500+

      ¥0.3262
    • 2500+

      ¥0.291
    • 5000+

      ¥0.2735
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=650V。 I=2A。 RDS(ON)=5.5Ω
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5713
    • 50+

      ¥0.4503
    • 150+

      ¥0.3898
    • 500+

      ¥0.3444
    • 2500+

      ¥0.3081
    • 5000+

      ¥0.29
  • 有货
  • 特性:低外形封装,内置应力消除功能,适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低增量浪涌电阻。 低电感。 出色的钳位能力。 1500W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 非常快的响应时间。 塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5726
    • 50+

      ¥0.4401
    • 150+

      ¥0.3738
    • 850+

      ¥0.3242
    • 2550+

      ¥0.2844
    • 5100+

      ¥0.2645
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷。VDS(V) = -30V。ID = -6A(VGS = 10V)。RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 10V)。RDS(ON) < 58mΩ(VGS = 4.5V)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5841
    • 50+

      ¥0.5144
    • 150+

      ¥0.4795
    • 500+

      ¥0.4534
    • 3000+

      ¥0.4115
    • 6000+

      ¥0.4011
  • 有货
  • 该N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。
    • 5+

      ¥0.6091
    • 50+

      ¥0.4801
    • 150+

      ¥0.4156
    • 500+

      ¥0.3672
    • 2500+

      ¥0.3285
    • 5000+

      ¥0.3091
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于开关电源中的高端开关和通用应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6585
    • 50+

      ¥0.5227
    • 150+

      ¥0.4547
    • 500+

      ¥0.4038
    • 3000+

      ¥0.346
    • 6000+

      ¥0.3256
  • 有货
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