0805二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PT17-21C/L41/TR8 编号：C100090

封装：0805

品牌：EVERLIGHT(亿光)

PT17 - 21C/L41/TR8是一款采用微型SMD封装的光电晶体管，其采用顶部为平面的透明透镜封装。该器件在光谱上与可见光和红外发光二极管相匹配。

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10+
￥0.377
100+
￥0.3073
300+
￥0.2725
1000+
￥0.2463
4000+
￥0.1849
8000+
￥0.1745

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型号：AVR-M2012C220KT6AB 编号：C432914

封装：0805

品牌：TDK

压敏电阻是电压相关的非线性电阻元件，当电压超过恒定值时，其电阻会迅速下降。压敏电阻相当于两个串联的齐纳二极管，且无极性。在电路中插入压敏电阻可抑制瞬态电压。

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5+
￥0.732501 ￥0.7399
50+
￥0.589941 ￥0.5959
150+
￥0.518661 ￥0.5239
500+
￥0.465201 ￥0.4699
2000+
￥0.422433 ￥0.4267
4000+
￥0.40095 ￥0.405

有货

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型号：AVR-M2012C390KT6AB 编号：C152743

封装：0805

品牌：TDK

压敏电阻是电压相关的非线性电阻元件，当电压超过恒定值时，其电阻会迅速下降。压敏电阻相当于两个串联的齐纳二极管，且无极性。在电路中插入压敏电阻可抑制瞬态电压。

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1+
￥0.942183 ￥0.9517
10+
￥0.758736 ￥0.7664
30+
￥0.667062 ￥0.6738
100+
￥0.598356 ￥0.6044
500+
￥0.543312 ￥0.5488
1000+
￥0.51579 ￥0.521

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型号：V5.5MLA0805NH 编号：C187747

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.6849
50+
￥1.3432
150+
￥1.1968
500+
￥1.014

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型号：EZJS2YD472 编号：C542814

封装：0805

品牌：PANASONIC(松下)

特性：由于先进的材料技术，具有出色的静电放电抑制能力。具有较大的静电电阻，符合 IEC61000-4-2 特殊等级 30 kV 标准。无极性（双极性），便于替代齐纳二极管，可替代 2 个齐纳二极管和 1 个电容器。无铅终端电极，具有良好的可焊性。符合 RoHS 标准。应用：手机。数码相机

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1+
￥2.75
10+
￥2.18
30+
￥1.94
100+
￥1.64
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

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型号：TEMD6200FX01 编号：C499517

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

TEMD6200FX01 是一款采用微型扁平塑料封装的高速、高灵敏度 PIN 光电二极管。其光谱灵敏度与人眼高度匹配。

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1+
￥3.82
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￥3.09
30+
￥2.73
100+
￥2.37
500+
￥2.16
1000+
￥2.05

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型号：FPV201209E300PKT 编号：C5204927

封装：0805

品牌：FH(风华)

多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器，采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件，能为被保护元件（电路）提供强有力的保护，同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构，其寄生电感非常小、响应速度非常快（响应时间 < 0.5ns），因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似，具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。

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20+
￥0.206
200+
￥0.1601
600+
￥0.1346

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型号：PT17-21B/L41/TR8 编号：C146237

封装：0805

品牌：EVERLIGHT(亿光)

- PT17 - 21B/L41/TR8是一款采用微型SMD封装的光电晶体管，其采用黑色材料模塑成型，顶部为平面透镜。该器件在光谱上与红外发光二极管相匹配。

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10+
￥0.372
100+
￥0.2976
300+
￥0.2604
1000+
￥0.2325
4000+
￥0.2102

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型号：V14MLA0805NH 编号：C2655725

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.5534
50+
￥1.2221
150+
￥1.0801
500+
￥0.903

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型号：FPV201209E260PKT 编号：C2991545

封装：0805

品牌：FH(风华)

多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器，采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件，能为被保护元件（电路）提供强有力的保护，同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构，其寄生电感非常小、响应速度非常快（响应时间 < 0.5ns），因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似，具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。

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10+
￥0.2361
100+
￥0.1868
300+
￥0.1622
1000+
￥0.1437

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型号：V18MLA0805NH 编号：C179034

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.1052
50+
￥0.8774
150+
￥0.7798
500+
￥0.6579

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型号：EZJS2VB223 编号：C542813

封装：0805

品牌：PANASONIC(松下)

特性：由于采用先进的材料技术，具有出色的ESD抑制能力。具有较大的静电电阻，符合IEC61000-4-2特殊等级30 kV标准。无极性（双极性），便于替代齐纳二极管，可替代2个齐纳二极管和1个电容器。应用：手机：开关、LCD、LED、音频端子、电池组、存储卡、外部接口

1+
￥3.1
10+
￥3.03
30+
￥2.98

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型号：V14MLA0805LNH 编号：C2655524

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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1+
￥2.05
10+
￥2.01
30+
￥1.98
100+
￥1.96

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型号：ZSIR-2012-12A-Z3 编号：C5337486

封装：0805

品牌：Chau Light(洲光源)

是一种高辐射发光二极管，透明的封胶外形。该材料与光电晶体管、光电二极管和红外接收模块进行配对。是红外发射二极管，采用微型贴片封装，用带有球形顶视透镜的透明塑料模制而成。该器件在光谱上与硅光电二极管和光电晶体管匹配。

10+
￥0.2406
100+
￥0.1902
300+
￥0.165

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型号：ZPT-2012C-10-Z3 编号：C575393

封装：0805

品牌：Chau Light(洲光源)

是一款采用微型贴片封装的光电晶体管，采用透明平顶透镜封装。该器件在光谱上与可见光和红外发光二极管匹配。

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10+
￥0.2963
100+
￥0.2387
300+
￥0.2099

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型号：ZSPT-Z2012C-10A-Z3 编号：C5337514

封装：0805

品牌：Chau Light(洲光源)

是一种小型 SMD 封装的光电晶体管，该器件与可见光和红外发射二极管光谱匹配。

10+
￥0.3057
100+
￥0.2433
300+
￥0.2121

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型号：ZSPT-Z2012B-10-Z3 编号：C5337513

封装：0805

品牌：Chau Light(洲光源)

是一种小型 SMD 封装的光电晶体管。该器件与可见光和红外发射二极管光谱匹配。

10+
￥0.3057
100+
￥0.2433
300+
￥0.2121

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型号：V9MLA0805LNH 编号：C3260701

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

1+
￥6.78
10+
￥5.6
30+
￥4.95
100+
￥4.21

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型号：V30MLA0805LNH 编号：C2655525

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.0062
50+
￥0.7956
150+
￥0.7054
500+
￥0.5927

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型号：V5.5MLA0805LNH 编号：C2655726

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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1+
￥1.87
10+
￥1.83
30+
￥1.8

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型号：V12MLA0805LNH 编号：C2655532

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.8912
50+
￥1.4976
150+
￥1.3289
500+
￥1.1184
2500+
￥1.0247
5000+
￥0.9685

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型号：V14MLA0805LNHAUTO 编号：C2655589

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。较宽的工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装。与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。与齐纳二极管相比，可在更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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1+
￥2.98
10+
￥2.34
30+
￥2.06

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型号：FPV201209E240PKT 编号：C4354880

封装：0805

品牌：FH(风华)

多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器，采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件，能为被保护元件（电路）提供强有力的保护，同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构，其寄生电感非常小、响应速度非常快（响应时间 < 0.5ns），因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似，具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。

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20+
￥0.25
200+
￥0.1987
600+
￥0.1703
4000+
￥0.1494
8000+
￥0.1346
20000+
￥0.1266

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型号：V26MLA0805NHAUTO 编号：C3262487

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常应用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使该系列适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

1+
￥0.3819
10+
￥0.3036
30+
￥0.2645
100+
￥0.2351

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型号：V3.5MLA0805NH 编号：C179059

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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