0805二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TEMD6200FX01 编号：C499517

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

TEMD6200FX01 是一款采用微型扁平塑料封装的高速、高灵敏度 PIN 光电二极管。其光谱灵敏度与人眼高度匹配。

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1+
￥3.52
10+
￥2.79
30+
￥2.43
100+
￥2.0286 ￥2.07
500+
￥1.813 ￥1.85
1000+
￥1.7052 ￥1.74

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型号：V5.5MLA0805NH 编号：C187747

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.7899
50+
￥1.424
150+
￥1.2672
500+
￥1.0715

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型号：FPV201209E260PKT 编号：C2991545

封装：0805

品牌：FH(风华)

多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器，采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件，能为被保护元件（电路）提供强有力的保护，同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构，其寄生电感非常小、响应速度非常快（响应时间 < 0.5ns），因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似，具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。

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20+
￥0.2233
200+
￥0.1768
600+
￥0.151

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型号：V18MLA0805NH 编号：C179034

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.1008
50+
￥0.873
150+
￥0.7754
500+
￥0.6536

有货

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型号：FPV201209E300PKT 编号：C5204927

封装：0805

品牌：FH(风华)

多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器，采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件，能为被保护元件（电路）提供强有力的保护，同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构，其寄生电感非常小、响应速度非常快（响应时间 < 0.5ns），因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似，具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。

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20+
￥0.2045
200+
￥0.1613
600+
￥0.1373

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型号：EZJS2YD472 编号：C542814

封装：0805

品牌：PANASONIC(松下)

特性：由于先进的材料技术，具有出色的静电放电抑制能力。具有较大的静电电阻，符合 IEC61000-4-2 特殊等级 30 kV 标准。无极性（双极性），便于替代齐纳二极管，可替代 2 个齐纳二极管和 1 个电容器。无铅终端电极，具有良好的可焊性。符合 RoHS 标准。应用：手机。数码相机

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1+
￥3.38
10+
￥2.69
30+
￥2.39

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型号：PT17-21C/L41/TR8 编号：C100090

封装：0805

品牌：EVERLIGHT(亿光)

PT17 - 21C/L41/TR8是一款采用微型SMD封装的光电晶体管，其采用顶部为平面的透明透镜封装。该器件在光谱上与可见光和红外发光二极管相匹配。

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10+
￥0.3699
100+
￥0.3001
300+
￥0.2653
1000+
￥0.234318 ￥0.2391
4000+
￥0.174146 ￥0.1777
8000+
￥0.163856 ￥0.1672

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型号：V14MLA0805NH 编号：C2655725

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.0058
50+
￥0.9826
150+
￥0.9671

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型号：V14MLA0805LNH 编号：C2655524

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.1261
50+
￥0.8903
150+
￥0.7893
500+
￥0.6632

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型号：ZPT-2012C-10-Z3 编号：C575393

封装：0805

品牌：Chau Light(洲光源)

是一款采用微型贴片封装的光电晶体管，采用透明平顶透镜封装。该器件在光谱上与可见光和红外发光二极管匹配。

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10+
￥0.2963
100+
￥0.2387
300+
￥0.2099

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型号：EZJS2VB223 编号：C542813

封装：0805

品牌：PANASONIC(松下)

特性：由于采用先进的材料技术，具有出色的ESD抑制能力。具有较大的静电电阻，符合IEC61000-4-2特殊等级30 kV标准。无极性（双极性），便于替代齐纳二极管，可替代2个齐纳二极管和1个电容器。应用：手机：开关、LCD、LED、音频端子、电池组、存储卡、外部接口

1+
￥3.1
10+
￥3.03
30+
￥2.98

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型号：ZSIR-2012-12A-Z3 编号：C5337486

封装：0805

品牌：Chau Light(洲光源)

是一种高辐射发光二极管，透明的封胶外形。该材料与光电晶体管、光电二极管和红外接收模块进行配对。是红外发射二极管，采用微型贴片封装，用带有球形顶视透镜的透明塑料模制而成。该器件在光谱上与硅光电二极管和光电晶体管匹配。

10+
￥0.2406
100+
￥0.1902
300+
￥0.165

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型号：ZSPT-Z2012C-10A-Z3 编号：C5337514

封装：0805

品牌：Chau Light(洲光源)

是一种小型 SMD 封装的光电晶体管，该器件与可见光和红外发射二极管光谱匹配。

10+
￥0.3057
100+
￥0.2433
300+
￥0.2121

有货

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型号：V5.5MLA0805LNH 编号：C2655726

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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1+
￥1.87
10+
￥1.83
30+
￥1.8

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型号：ZSPT-Z2012B-10-Z3 编号：C5337513

封装：0805

品牌：Chau Light(洲光源)

是一种小型 SMD 封装的光电晶体管。该器件与可见光和红外发射二极管光谱匹配。

10+
￥0.3057
100+
￥0.2433
300+
￥0.2121

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型号：V9MLA0805LNH 编号：C3260701

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

1+
￥1.85
10+
￥1.8
30+
￥1.77

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型号：V30MLA0805LNH 编号：C2655525

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.0062
50+
￥0.7956
150+
￥0.7054
500+
￥0.5927

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型号：V14MLA0805LNHAUTO 编号：C2655589

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。较宽的工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装。与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。与齐纳二极管相比，可在更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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1+
￥2.98
10+
￥2.34
30+
￥2.06

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型号：V12MLA0805LNH 编号：C2655532

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

5+
￥1.8912
50+
￥1.4976
150+
￥1.3289
500+
￥1.1184
2500+
￥1.0247
5000+
￥0.9685

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型号：FPV201209E240PKT 编号：C4354880

封装：0805

品牌：FH(风华)

多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器，采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件，能为被保护元件（电路）提供强有力的保护，同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构，其寄生电感非常小、响应速度非常快（响应时间 < 0.5ns），因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似，具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。

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20+
￥0.25
200+
￥0.1987
600+
￥0.1703
4000+
￥0.1494
8000+
￥0.1346
20000+
￥0.1266

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型号：V26MLA0805NHAUTO 编号：C3262487

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常应用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使该系列适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

1+
￥0.3819
10+
￥0.3036
30+
￥0.2645
100+
￥0.2351

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型号：V3.5MLA0805NH 编号：C179059

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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