智晶二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN0603-2

PESDU3321P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，响应速度快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据的理想选择。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型0.6x0.3x0.3mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD保护能力使PESDU3321P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式设备。

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20+
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型号：PZL4746 编号：C610249

封装：SOD-123FL

品牌：PN SILICON(智晶)

特性：适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低轮廓空间。玻璃钝化芯片。高可靠性。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。应用：电压稳定

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型号：PESDU2401P1 编号：C610232

封装：DFN1006-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU2401P1是一款24V单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU2401P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU2401P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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型号：PESDU3361P1 编号：C610237

封装：DFN1006-2L

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，响应速度快、电容极低且静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低，是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。

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20+
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型号：PESDU1261P1 编号：C610227

封装：DFN1006-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU1261P1是12V双向TVS二极管，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU1261P1符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD保护使PESDU1261P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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型号：PESDU2881D3 编号：C610250

封装：SOD-323

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU2881D3是一款2.8V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用无铅SOD - 323封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU2881D3成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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￥0.4047
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型号：PESDU4581P6 编号：C610241

封装：DFN1610-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU4581P6是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU4581P6符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU4581P6成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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5+
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型号：PESDU0521P0N 编号：C610222

封装：DFN0603-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU0521P0N成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

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20+
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型号：PESDR0511P0A 编号：C610219

封装：DFN0603-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDR0511P0A是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。PESDR0511P0A集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，PESDR0511P0A可提供高达±15kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。PESDR0511P0A采用DFN0603 - 2封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：PESDU2471D1FT 编号：C610233

封装：SOD-123FL

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU2471D1FT是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用SOD - 123FL无铅封装。小尺寸和高ESD/浪涌保护能力使PESDU2471D1FT成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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型号：PESDU1271D3 编号：C610229

封装：SOD-323

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDUxx71D3是一款单向TVS二极管，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDUxx71D3符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD保护能力使PESDUxx71D3成为保护手机、电话、数码相机、音频设备、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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￥0.4029
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型号：PESDU0571P6 编号：C610224

封装：DFN1610-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDUxx71P6是一款单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDUxx71P6符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDUxx71P6成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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￥0.5223
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型号：PESDU4831P4-3 编号：C610243

封装：DFN2020-3(2x2)

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU4831P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器（TVS），采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感线路的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用3引脚DFN2020 - 3无铅封装，引脚采用镀镍钯金工艺。每个器件可保护一条线路。小尺寸和高浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、液晶显示器、USB和多媒体卡接口等应用。

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型号：PESDU4501P4-3 编号：C610238

封装：DFN2020-3(2x2)

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU4501P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器（TVS），响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感线路的理想解决方案。PESDU4501P4 - 3符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用3引脚DFN2020 - 3无铅封装，引脚采用镍钯金（NiPdAu）镀层。每个器件可保护一条线路。小尺寸与高浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、液晶显示器（LCD）、通用串行总线（USB）和多媒体卡接口等应用。

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