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  • 瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术,用于抑制各种瞬态事件,包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容(EMC)标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成,采用无铅表面贴装封装,与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作,且占地面积比塑料外壳组件小得多。
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  • 基于多层制造技术,用于抑制各种瞬态事件,包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成,采用无铅表面贴装封装,与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作,且占地面积比塑料外壳组件小得多。
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  • 多层瞬态浪涌抑制器专为抑制汽车中破坏性的瞬态电压而设计。最常见的瞬态情况由大电感能量放电引起。汽车中的电子系统,如防抱死制动系统、直接点火系统、发动机控制、安全气囊控制系统、雨刮电机控制等,容易受到这些电压瞬变的损害,因此需要保护。AUML瞬态抑制器具有与温度无关的抑制特性,可在 -55℃ 至 125℃ 范围内提供保护。该抑制器由半导体陶瓷制成,在小封装中提供坚固的保护和出色的瞬态能量吸收能力。这些器件采用陶瓷无引脚芯片形式,消除了引脚电感,确保对瞬态浪涌的快速响应速度。与硅 TVS 二极管相比,这些抑制器所需的空间和焊盘明显更小,为设计人员提供了更大的电路板布局灵活性。
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  • PT42 - 21B/TR8是一款采用微型贴片(SMD)封装的光电晶体管,其采用带有球面顶视透镜的黑色塑料模塑而成。该器件在光谱上与红外发光二极管相匹配。
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  • 瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术,用于抑制各种瞬态事件,包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容(EMC)标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成,采用无铅表面贴装封装,与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作,且占地面积比塑料外壳组件小得多。
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  • 有货
  • 瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术,用于抑制各种瞬态事件,包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容(EMC)标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成,采用无铅表面贴装封装,与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作,且占地面积比塑料外壳组件小得多。
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  • 几乎所有汽车中的电子系统,如防抱死制动系统、直接点火系统、安全气囊控制系统、雨刮电机等,都容易受到破坏性电压瞬变的损坏。多层压敏电阻是具有与温度无关的抑制特性的瞬态抑制器,可在 -55℃ 至 +125℃ 范围内提供保护。多层压敏电阻提供出色的瞬态能量分布。相较于硅 TVS 二极管,压敏电阻所需的空间和焊盘面积显著减少,为设计师提供了更大的电路板布局灵活性。
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  • 基于多层制造技术,用于抑制各种瞬态事件,包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成,采用无铅表面贴装封装,与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作,并且比塑料外壳组件占用的空间小得多。
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