ESC二极管_厂家_价格_品牌_库存

这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2473
100+
￥0.1964
300+
￥0.1709
1000+
￥0.1518

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型号：BAS40-02V-G3-08-HXY 编号：C52754596

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及电源管理场景，尤其适合空间受限或低功耗设计中的高频应用。

5+
￥0.26391 ￥0.2778
50+
￥0.258115 ￥0.2717
150+
￥0.25422 ￥0.2676
500+
￥0.25042 ￥0.2636

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型号：BZT585B24T-7 编号：C5244738

封装：SOD-523

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

10+
￥0.2769
100+
￥0.2217
300+
￥0.1941

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型号：EDZVFHT2R3.3B 编号：C3033172

封装：SC-79

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小模具类型。应用：电压调节

数据手册

10+
￥0.2791
100+
￥0.2262
300+
￥0.1998
1000+
￥0.18

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型号：XBS024S15R-G-HXY 编号：C52754554

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.54V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）为90μA，体现出良好的反向阻断能力。器件支持1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、信号解调、电压钳位及各类便携式电子设备中的高效能电路设计。

5+
￥0.28633 ￥0.3014
50+
￥0.28006 ￥0.2948
150+
￥0.27588 ￥0.2904
500+
￥0.271605 ￥0.2859

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型号：NSVRB521S30T5G-HXY 编号：C52754539

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗应用中表现稳定。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

5+
￥0.28633 ￥0.3014
50+
￥0.28006 ￥0.2948
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￥0.27588 ￥0.2904
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￥0.271605 ￥0.2859

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型号：NSR0240V2T1G-HXY 编号：C52754608

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、高频开关电路及信号解调等对效率和响应速度有要求的电子系统中，提供可靠的单向导电性能。

5+
￥0.290035 ￥0.3053
50+
￥0.28367 ￥0.2986
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￥0.279395 ￥0.2941
500+
￥0.275215 ￥0.2897

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型号：CZRU52C15-HF 编号：C3012743

封装：SOD-523F

品牌：Comchip(典琦)

特性：150mW 功率耗散。高电压 2 ~ 39V。设计用于小表面安装。极薄/无引脚封装。无铅产品

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10+
￥0.3059
100+
￥0.2435
300+
￥0.2123
1000+
￥0.179455 ￥0.1889
4000+
￥0.161595 ￥0.1701
8000+
￥0.15276 ￥0.1608

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型号：BZT585B12T-7 编号：C5336797

封装：SOD-523

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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10+
￥0.3069
100+
￥0.2469
300+
￥0.2169

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型号：BZT585B43T-7 编号：C5244742

封装：SOD-523

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

10+
￥0.3136
100+
￥0.2548
300+
￥0.2254

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型号：SBAS16XV2T1G 编号：C327512

封装：SOD-523

特性：高速开关应用。引脚镀层：100%雾锡（锡）。合格回流温度：260°C。极小的SOD-523封装。S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准

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10+
￥0.3203
100+
￥0.2554
300+
￥0.2229

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型号：BAT6402VH6327-HXY 编号：C52754606

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明其在关断状态下具备良好的隔离能力。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有较高要求的整流、箝位及高频开关等电子电路应用。

5+
￥0.32984 ￥0.3472
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￥0.32262 ￥0.3396
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￥0.317775 ￥0.3345
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￥0.31293 ￥0.3294

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型号：NSVR0240V2T1G-HXY 编号：C52754609

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为0.35A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.6V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为5μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源管理、信号解调及低电压输出电路中。

5+
￥0.33611 ￥0.3538
50+
￥0.3287 ￥0.346
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￥0.32376 ￥0.3408
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￥0.318915 ￥0.3357

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型号：BZT52C2V0T-7 编号：C460791

封装：SOD-523

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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10+
￥0.3592
100+
￥0.293
300+
￥0.2599

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型号：BZT52C36TQ-7-F 编号：C5248666

封装：SOD-523

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

10+
￥0.3763
100+
￥0.3057
300+
￥0.2704

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型号：BZT52C18T-7 编号：C481693

封装：SOD-523

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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10+
￥0.3955
100+
￥0.3202
300+
￥0.2826

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型号：BAT64T5Q-13-F-HXY 编号：C52754607

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，能够在有限空间内提供稳定可靠的单向导通功能。

5+
￥0.41078 ￥0.4324
50+
￥0.401755 ￥0.4229
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￥0.39577 ￥0.4166
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￥0.38969 ￥0.4102

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型号：XBS023P11R-G-HXY 编号：C52754548

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

5+
￥0.41078 ￥0.4324
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￥0.401755 ￥0.4229
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￥0.39577 ￥0.4166
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￥0.38969 ￥0.4102

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型号：1SV279,H3F 编号：C2844200

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₂V/C₁₀V = 2.5（典型值）。低串联电阻：rs = 0.2Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

5+
￥0.5289
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￥0.4185
150+
￥0.3633
500+
￥0.3219

有货

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型号：BZX584C18-HG3-08 编号：C3735062

封装：SOD-523

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.5837
50+
￥0.5707
150+
￥0.562

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型号：1SV305(TPH3,F) 编号：C2762669

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。高电容比：C₁V / C₄V = 3.0（典型值）。低串联电阻：rₛ = 0.27Ω（典型值）

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5+
￥0.6619
50+
￥0.5061
150+
￥0.4282
500+
￥0.3698

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型号：RB751S-40TE61 编号：C5632099

封装：SC-79

品牌：ROHM(罗姆)

特性：超小型模具类型 (EMD2)。低正向电压 (VF)。高可靠性。应用：低电流整流

5+
￥0.7207
50+
￥0.5767
150+
￥0.5047
500+
￥0.4507

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型号：BZX584C3V3-HG3-08 编号：C3732075

封装：SOD-523

品牌：VISHAY(威世)

特性：采用微小的SOD-523塑料封装。齐纳电压容差为 ±5%。有符合AEC-Q101标准的产品。符合RoHS标准，无卤环保。有商用级和符合AEC-Q101标准的不同版本

5+
￥0.7857
50+
￥0.6068
150+
￥0.5173
500+
￥0.4502

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型号：CMOSH-4E-HXY 编号：C52754603

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为0.35A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.6V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为5μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路中，常见于电源管理、信号解调及低电压输出场景。

5+
￥0.87134 ￥0.9172
50+
￥0.85215 ￥0.897
150+
￥0.83942 ￥0.8836
500+
￥0.826595 ￥0.8701

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型号：SZMM5Z6V8T1G 编号：C894569

封装：SOD-523

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

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5+
￥0.992112 ￥1.1274
50+
￥0.699738 ￥0.8971
150+
￥0.542912 ￥0.7984
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￥0.459204 ￥0.6753
3000+
￥0.42194 ￥0.6205
6000+
￥0.399568 ￥0.5876

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型号：SZMM5Z5V6T1G 编号：C463901

封装：SOD-523

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

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5+
￥1.237054 ￥1.2623
50+
￥0.896984 ￥1.0193
150+
￥0.713778 ￥0.9151
500+
￥0.612456 ￥0.7852
3000+
￥0.567294 ￥0.7273
6000+
￥0.540228 ￥0.6926

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型号：CMOSH2-4LTR-HXY 编号：C52754550

封装：SOD-523