ESC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C36TQ-7-F 编号：C5248666

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

10+
￥0.4288
100+
￥0.3582
300+
￥0.3229

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型号：BZX585-B7V5,135 编号：C550623

封装：SOD-523(SC-79)

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD523 (SC-79)超小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4744
100+
￥0.3796
300+
￥0.3322
1000+
￥0.2966
5000+
￥0.2682
10000+
￥0.254

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型号：BAS40-02V-G3-08 编号：C3313111

封装：SOD-523

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的导通电压和快速开关。采用PN结保护环，防止过电压，如静电放电。可提供AEC-Q101认证。节省空间的SOD-523封装。 RoHS合规，商业级。 RoHS合规，AEC-Q101认证

5+
￥0.4849
50+
￥0.3886
150+
￥0.3405

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型号：MM5Z4V7T1G 编号：C122571

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

10+
￥0.5053
100+
￥0.3986
300+
￥0.3453

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型号：XBS024S15R-G-HXY 编号：C52754554

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.54V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）为90μA，体现出良好的反向阻断能力。器件支持1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、信号解调、电压钳位及各类便携式电子设备中的高效能电路设计。

5+
￥0.51547 ￥0.5426
50+
￥0.41059 ￥0.4322
150+
￥0.35815 ￥0.377
500+
￥0.31882 ￥0.3356
3000+
￥0.287375 ￥0.3025
6000+
￥0.271605 ￥0.2859

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型号：NSVRB521S30T5G-HXY 编号：C52754539

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗应用中表现稳定。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

5+
￥0.51547 ￥0.5426
50+
￥0.41059 ￥0.4322
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￥0.35815 ￥0.377
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￥0.31882 ￥0.3356
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￥0.287375 ￥0.3025
6000+
￥0.271605 ￥0.2859

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型号：BAT30KFILM 编号：C2926449

封装：SOD-523

品牌：ST(意法半导体)

30 V、300 mA SMD通用信号肖特基二极管

数据手册

5+
￥0.5799
50+
￥0.4622
150+
￥0.4034

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型号：NSVR0240V2T1G-HXY 编号：C52754609

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为0.35A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.6V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为5μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源管理、信号解调及低电压输出电路中。

5+
￥0.60515 ￥0.637
50+
￥0.48203 ￥0.5074
150+
￥0.42047 ￥0.4426
500+
￥0.3743 ￥0.394
3000+
￥0.337345 ￥0.3551
6000+
￥0.318915 ￥0.3357

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型号：1SV323(TPH3,F) 编号：C2847421

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

5+
￥0.7058
50+
￥0.6127
150+
￥0.5728
500+
￥0.5231
2500+
￥0.5009
4000+
￥0.4876

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型号：BZX585-C5V6,135 编号：C550664

封装：SOD-523(SC-79)

品牌：Nexperia(安世)

数据手册

5+
￥0.7269
50+
￥0.7154
150+
￥0.7077
500+
￥0.7

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型号：BAT64T5Q-13-F-HXY 编号：C52754607

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，能够在有限空间内提供稳定可靠的单向导通功能。

5+
￥0.739575 ￥0.7785
50+
￥0.589095 ￥0.6201
150+
￥0.513855 ￥0.5409
500+
￥0.457425 ￥0.4815
3000+
￥0.4123 ￥0.434
6000+
￥0.38969 ￥0.4102

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型号：XBS023P11R-G-HXY 编号：C52754548

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

5+
￥0.739575 ￥0.7785
50+
￥0.589095 ￥0.6201
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￥0.513855 ￥0.5409
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￥0.457425 ￥0.4815
3000+
￥0.4123 ￥0.434
6000+
￥0.38969 ￥0.4102

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型号：BZX585-B6V8,115 编号：C455022

封装：SOD-523(SC-79)

品牌：Nexperia(安世)

6.8V 300mW

数据手册

5+
￥1.3206
50+
￥1.0236
150+
￥0.8964
500+
￥0.7376
3000+
￥0.6669
6000+
￥0.6245

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型号：CMOSH-4E-HXY 编号：C52754603

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为0.35A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.6V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为5μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路中，常见于电源管理、信号解调及低电压输出场景。

5+
￥1.61234 ￥1.6972
50+
￥1.27718 ￥1.3444
150+
￥1.13354 ￥1.1932
500+
￥0.954275 ￥1.0045
3000+
￥0.874475 ￥0.9205
6000+
￥0.826595 ￥0.8701

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型号：CMOSH2-4LTR-HXY 编号：C52754550

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.54V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）为90μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、箝位及电源管理等电路场合。