ESC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MM5Z9V1 编号：C2832578

封装：SOD-523

品牌：CBI(创基)

电流:5µA 电压:9.1V

数据手册

50+
￥0.1239
500+
￥0.0984
3000+
￥0.0757
6000+
￥0.0672
24000+
￥0.0599
51000+
￥0.0559

有货

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型号：1SS400-F-HF 编号：C7454908

封装：SOD-523

品牌：Comchip(典琦)

特性：高速。小型表面贴装型。高可靠性，具有高浪涌电流处理能力

20+
￥0.124
200+
￥0.1065
600+
￥0.0967
2000+
￥0.0909
8000+
￥0.0858
16000+
￥0.0831

有货

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型号：BAS516-TP 编号：C668864

封装：SOD-523

品牌：MCC(美微科)

特性：高开关速度。适用于通用开关应用。表面贴装封装。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）

数据手册

50+
￥0.1249
500+
￥0.0985
1500+
￥0.0839

有货

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型号：BAS516WT 编号：C3002996

封装：SOD-523

品牌：Huixin(慧芯)

特性：小封装。低反向电流。快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入

数据手册

20+
￥0.129448 ￥0.1471
200+
￥0.100848 ￥0.1146
600+
￥0.085008 ￥0.0966
3000+
￥0.075416 ￥0.0857
9000+
￥0.067144 ￥0.0763
21000+
￥0.062744 ￥0.0713

有货

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型号：MM5Z33B 编号：C7464212

封装：SOD-523

品牌：ST(先科)

特性：总功率耗散：最大200 mW。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。高可靠性

20+
￥0.1317
200+
￥0.1014
600+
￥0.0846

有货

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型号：MM5Z22B 编号：C7464211

封装：SOD-523

品牌：ST(先科)

采用小型塑料SMD SOD-523封装的硅平面齐纳二极管

20+
￥0.1364
200+
￥0.105
600+
￥0.0876

有货

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型号：LM5Z3V6T1G 编号：C111055

封装：SOD-523

品牌：LRC(乐山无线电)

该系列齐纳二极管采用SOD-523表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.1464
200+
￥0.1155
600+
￥0.0984

有货

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型号：BZX584C2V4 编号：C5293182

封装：SOD-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

数据手册

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962

有货

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型号：SBAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754546

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其正向压降为0.8V，反向漏电流低至2μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流，适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路，如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。

10+
￥0.149435 ￥0.1573
100+
￥0.14611 ￥0.1538
300+
￥0.143925 ￥0.1515
1000+
￥0.14174 ￥0.1492

有货

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型号：1SS388 编号：C475451

封装：SOD-523

品牌：SHIKUES(时科)

特性：小封装。低正向电压：VF(3) = 0.64V（典型值）。低反向电流：IR = 5μA（典型值）

数据手册

20+
￥0.15029 ￥0.1582
200+
￥0.1159 ￥0.122
600+
￥0.096805 ￥0.1019
3000+
￥0.08664 ￥0.0912
9000+
￥0.076665 ￥0.0807
21000+
￥0.071345 ￥0.0751

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型号：RB531SM-30T2R 编号：C2766159

封装：SOD-523

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小尺寸封装。超低正向电压（VF）。应用：小电流整流

数据手册

20+
￥0.1544
200+
￥0.1208
600+
￥0.1021

有货

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型号：LM5Z7V5T1G 编号：C131788

封装：SOD-523

品牌：LRC(乐山无线电)

7.5V 0.2W

数据手册

20+
￥0.1585
200+
￥0.1277
600+
￥0.1106

有货

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型号：SD103AX-TP 编号：C668989

封装：SOD-523

品牌：MCC(美微科)

特性：保护环结构，用于瞬态保护。低正向压降。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。无铅表面处理/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）

数据手册

20+
￥0.1645
200+
￥0.1294
600+
￥0.1099

有货

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型号：HSD5Z24 编号：C51883355

封装：SOD-523

品牌：Huixin(慧芯)

单向，反向截止电压：24V，钳位电压：45V，峰值脉冲电流：8A，适用于电源线、信号线防雷击、静电放电等瞬态冲击的浪涌防护器件。

20+
￥0.165264 ￥0.1878
200+
￥0.129624 ￥0.1473
600+
￥0.109824 ￥0.1248
3000+
￥0.097944 ￥0.1113
9000+
￥0.087648 ￥0.0996
21000+
￥0.082104 ￥0.0933

有货

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型号：BZX584B5V1X 编号：C6423746

封装：SOD-523

品牌：晶扬电子

二极管 VZ@IZT-5.1Nom(V),VRM 0.9 V,PD 0.15 W,RθJA 833 ℃/W

20+
￥0.1662
200+
￥0.1295
600+
￥0.1091
3000+
￥0.0968
9000+
￥0.0862
21000+
￥0.0805

有货

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型号：HBA892 E6327 编号：C22461938

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款射频开关，采用独立式二极管设计，1V正向压降支持100mA电流，直流反向耐压达30V，漏电电流仅20nA，确保信号纯净与系统稳定性，适用于高频通信领域，提供卓越的性能与可靠性。

10+
￥0.175296 ￥0.2112
100+
￥0.171229 ￥0.2063
300+
￥0.168573 ￥0.2031
1000+
￥0.165834 ￥0.1998

有货

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型号：BZX584B15 编号：C2910125

封装：SOD-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：平面芯片结构。 150mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4-39V

数据手册

20+
￥0.1841
200+
￥0.142
600+
￥0.1186
2000+
￥0.1046
8000+
￥0.0924
16000+
￥0.0858

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型号：PJEC5V0M1TS 编号：C5246202

封装：SOD-523

品牌：Leiditech(雷卯电子)

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC61000-4-5（雷电）8A（8/20 μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视

数据手册

10+
￥0.1851 ￥0.2468
100+
￥0.14745 ￥0.1966
300+
￥0.128625 ￥0.1715
3000+
￥0.109875 ￥0.1465
6000+
￥0.09855 ￥0.1314
9000+
￥0.092925 ￥0.1239

有货

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型号：T0501MD 编号：C5246210

封装：SOD-523

品牌：Leiditech(雷卯电子)

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC61000-4-5（Lightning）8A（8/20 μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视

数据手册

10+
￥0.1851 ￥0.2468
100+
￥0.14745 ￥0.1966
300+
￥0.128625 ￥0.1715
3000+
￥0.109875 ￥0.1465
6000+
￥0.09855 ￥0.1314
9000+
￥0.092925 ￥0.1239

有货

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型号：NSRLL30XV2T5G-HXY 编号：C52754538

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）低至1μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

10+
￥0.18924 ￥0.1992
100+
￥0.18506 ￥0.1948
300+
￥0.182305 ￥0.1919
1000+
￥0.17955 ￥0.189

有货

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型号：EDZVT2R12B 编号：C209629

封装：SOD-523

品牌：ROHM(罗姆)

12V 150mW

数据手册

20+
￥0.1902
200+
￥0.1486
600+
￥0.1255

有货

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型号：PMEG3002AEB-HXY 编号：C52754540

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.5V，有助于在导通状态下减少能量损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗条件下保持良好稳定性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、信号解调、电源箝位以及便携式电子设备中的高效能电路设计。

10+
￥0.195415 ￥0.2057
100+
￥0.19114 ￥0.2012
300+
￥0.18829 ￥0.1982
1000+
￥0.18544 ￥0.1952

有货

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型号：BAT41KFILM-HXY 编号：C52754601

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为1.24V，在较高反向耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）低至0.5μA，有助于减少静态功耗。器件可承受2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对反向电压要求较高且需低漏电性能的整流、箝位及开关保护电路。

10+
￥0.19798 ￥0.2084
100+
￥0.19361 ￥0.2038
300+
￥0.190665 ￥0.2007
1000+
￥0.187815 ￥0.1977

有货

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型号：BZX584C2V7_R1_00001 编号：C268486

封装：SOD-523

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V~75V。非常适合自动化组装工艺。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤）

数据手册

1+
￥0.2001
10+
￥0.1521
30+
￥0.1281
100+
￥0.1101

有货

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型号：SDM20U40Q-7-HXY 编号：C52754612

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为0.35A，最大反向重复峰值电压达40V。其正向压降典型值为0.6V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流仅为5μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达2A的非重复性正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、箝位、保护及高频开关电路等场合。

10+
￥0.206625 ￥0.2175
100+
￥0.20216 ￥0.2128
300+
￥0.19912 ￥0.2096
1000+
￥0.19608 ￥0.2064

有货

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型号：BAT54KFILM-HXY 编号：C52754613

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流能力，反向重复峰值电压为40V。其正向压降为0.6V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流低至5μA，确保良好的关断特性。器件能承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、信号解调、电压箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

10+
￥0.207955 ￥0.2189
100+
￥0.2033 ￥0.214
300+
￥0.20026 ￥0.2108
1000+
￥0.19722 ￥0.2076

有货

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型号：TESDD5V0 编号：C5246212

封装：SOD-523

品牌：Leiditech(雷卯电子)

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试。 -空气放电：±30kV。 -接触放电：±30kV。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视

数据手册

10+
￥0.20978 ￥0.2468
100+
￥0.16711 ￥0.1966
300+
￥0.145775 ￥0.1715
3000+
￥0.124525 ￥0.1465
6000+
￥0.11169 ￥0.1314
9000+
￥0.105315 ￥0.1239

有货

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型号：MM5Z5V6T1G 编号：C193868

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

10+
￥0.2154
100+
￥0.2107
300+
￥0.2076

有货

立即购买

型号：BAT5402VH6327XTSA1-HXY 编号：C52754536

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗应用中可有效减少能量损耗。反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。

10+
￥0.2215
100+
￥0.2166
300+
￥0.2134

有货

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型号：BAT54-02V-G3-08-HXY 编号：C52754535

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为0.2A，最大反向电压VR为30V。其正向压降VF为0.8V，在导通状态下维持适中的功耗水平；反向漏电流IR低至2μA，展现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对低漏电和稳定整流性能有要求的电源管理、信号解调及保护电路等应用场景。

10+
￥0.22534 ￥0.2372
100+
￥0.2204 ￥0.232
300+
￥0.217075 ￥0.2285
1000+
￥0.21375 ￥0.225

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