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  • 有货
  • 特征:反向电压30V,正向电流200mA,正向电压0.6V@200mA,SOD-523封装;功能:小信号电路整流与续流,适配微型低功耗电路;应用:微型数码设备、传感器电源等
    数据手册
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      ¥0.114665 ¥0.1207
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  • 这款肖特基二极管专为高效能应用设计,具有0.35A的正向电流IF,适用于多种电子设备中的整流与保护功能。其反向电压VR可达40V,确保在常见应用场景下的可靠性。正向电压VF仅为0.6V,有效降低了能量损耗,提升了电路效率。反向漏电流IR低至5uA,减少了不必要的能耗。此外,该二极管的非重复峰值正向浪涌电流IFSM高达2A,增强了对瞬时过载的承受能力。此款二极管非常适合应用于需要高效电能转换及精细电源管理的消费电子产品中。
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  • 有货
  • 特性:低齐纳阻抗。 功率耗散300mW。 高稳定性和高可靠性。 封装:SOD-523小外形塑料封装。 极性:色带表示阴极。 安装位置:任意
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      ¥0.05706 ¥0.0634
  • 有货
  • 特性:低正向电压差。 用于瞬态保护的保护环结构。 反向恢复时间低。 反向电容低
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  • BZX584C9V1-F2-0000HF
    数据手册
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  • 有货
  • 该肖特基二极管采用独立式结构,额定正向电流IF为0.35A,最大反向电压VR为40V。其正向压降VF为0.6V,在40V反向电压下漏电流IR仅为5μA,表现出优异的低功耗特性。器件可承受2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于对体积和效率敏感的小功率整流、信号检波及电源管理等电路,尤其适合便携式或低电流应用场景。
    • 50+

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  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:2.0V 至 75V。 稳态功率额定值:200mW
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  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:2.0 V至75 V。 稳态功率额定值:200 mW
    • 20+

      ¥0.129295 ¥0.1361
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  • 稳压二极管
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  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:2.0V至75V。 稳态功率额定值:200mW
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  • 单向,反向截止电压:12V,钳位电压:25V,峰值脉冲电流:6A,适用于电源线、信号线防雷击、静电放电等瞬态冲击的浪涌防护器件。
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  • 单向,反向截止电压:18V,钳位电压:35V,峰值脉冲电流:10A,适用于电源线、信号线防雷击、静电放电等瞬态冲击的浪涌防护器件。
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      ¥0.132176 ¥0.1502
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    数据手册
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  • 有货
  • 特性:平面管芯结构。 150mW 功率耗散。 齐纳电压范围 2.4-39V
    数据手册
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    • 16000+

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  • 订货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:2.0V至75V。 稳态功率额定值:200mW
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.0624
    • 9000+

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    • 27000+

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    • 36000+

      ¥0.0572
    特性:高速。 高可靠性。 小封装。 低正向电压
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      ¥0.13688 ¥0.1711
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      ¥0.06632 ¥0.0829
  • 有货
  • 硅平面齐纳二极管,采用小型塑料SOD-523封装。
    数据手册
    • 20+

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    • 200+

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    • 8000+

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  • 有货
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    RB521S-40-F2-0000HF
    数据手册
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      ¥0.0822
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 过电压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    • 20+

      ¥0.1402
    • 200+

      ¥0.11
    • 600+

      ¥0.0932
  • 有货
  • 该肖特基二极管采用独立式配置,具有0.35A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。其正向压降(VF)为0.6V,在导通状态下能量损耗较低;反向漏电流(IR)仅为5μA,表明其在阻断状态下的漏电特性优异。器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM),适用于高频整流、电源管理、信号检波以及便携式电子设备中的多种电路场合,兼顾效率与稳定性。
    • 20+

      ¥0.14269 ¥0.1502
    • 200+

      ¥0.11191 ¥0.1178
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      ¥0.09481 ¥0.0998
    • 3000+

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      ¥0.075715 ¥0.0797
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      ¥0.07087 ¥0.0746
  • 有货
  • 该肖特基二极管采用独立式结构,具备0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。其正向压降(VF)为0.5V,在导通状态下可有效降低功耗;反向漏电流(IR)为30μA,体现出良好的反向截止特性。器件能承受最大1A的正向浪涌电流(IFSM),适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。
    • 20+

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  • 有货
  • 该肖特基二极管采用独立式结构,额定正向电流为0.2A,最大反向电压为30V。其正向压降典型值为0.5V,在导通状态下具有较低的功耗表现;反向漏电流为30μA,体现出良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流达1A,适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或信号处理场合。由于其低VF与快速恢复特性,常用于电源管理、电池保护及高频开关电路中。
    • 20+

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      ¥0.07087 ¥0.0746
  • 有货
  • 商品目录 稳压二极管二极管配置 独立式;稳压值(标称值) 3.3V;反向电流(Ir) 20uA@1V;稳压值(范围) 3.1V~3.5V;功率(Pd) 200mW;阻抗(Zzt) 95Ω
    • 20+

      ¥0.14445 ¥0.1605
    • 200+

      ¥0.11286 ¥0.1254
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      ¥0.09531 ¥0.1059
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      ¥0.08478 ¥0.0942
    • 9000+

      ¥0.0756 ¥0.084
    • 21000+

      ¥0.07074 ¥0.0786
  • 有货
  • 该肖特基二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为0.2A,最大反向电压(VR)为30V。其正向压降(VF)典型值为0.5V,有助于降低功耗;反向漏电流(IR)为30μA,表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM),适用于低电压整流、高频信号检波、电源极性保护及小型电子设备中的续流路径等应用场景。
    • 20+

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      ¥0.11381 ¥0.1198
    • 600+

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      ¥0.085975 ¥0.0905
    • 9000+

      ¥0.07695 ¥0.081
    • 21000+

      ¥0.072105 ¥0.0759
  • 有货
  • 特性:环氧符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。 湿度敏感度等级1。 反向电压VR:100V。 平均正向电流IFAV:150mA。 后缀为“Q”的型号表示通过AEC-Q101认证。应用:极快开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1485
    • 200+

      ¥0.1148
    • 600+

      ¥0.0961
  • 有货
  • 特性:VR 40V。 IF 350mA。应用:低正向压降
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1517
    • 200+

      ¥0.1206
    • 600+

      ¥0.1033
    • 2000+

      ¥0.093
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