ESC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RB521S-30-6AF 编号：C49010171

封装：SOD-523

品牌：FOSAN(富捷/富信)

50+
￥0.0568
500+
￥0.0554
3000+
￥0.0545
6000+
￥0.0535

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型号：RB520S-30-6AF 编号：C48947058

封装：SOD-523

品牌：FOSAN(富捷/富信)

RB520S-30-6AF

50+
￥0.0568
500+
￥0.0554
3000+
￥0.0545
6000+
￥0.0535

有货

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型号：BZX584B24 编号：C51814200

封装：SOD-523

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.057
500+
￥0.0557
1500+
￥0.0547

有货

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型号：BZX585C33 编号：C51822190

封装：SOD-523

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.057
500+
￥0.0557
3000+
￥0.0547

有货

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型号：BZX584B33 编号：C51814222

封装：SOD-523

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.057
500+
￥0.0557
1500+
￥0.0547

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型号：HRB521SM-30T2R 编号：C22461924

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款肖特基二极管，设计精良，额定电压40V，支持0.35A电流，轻巧应对电力转换需求。0.6V低正向压降，显著降低能耗，5uA的微小反向电流，保证电路稳定性。小巧封装，易于集成，是追求高效能电子设计的理想选择。

20+
￥0.05808 ￥0.0726
200+
￥0.05672 ￥0.0709
600+
￥0.05584 ￥0.0698
3000+
￥0.05496 ￥0.0687

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型号：H1SS400SMT2R 编号：C22461929

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款开关二极管，性能卓越，耐压100V，顺畅导通0.15A电流。1.25V的低正向压降，确保高效能量转换。恢复时间仅0.004微秒，实现超快开关速度，为高速电路提供稳定可靠的解决方案。

20+
￥0.05848 ￥0.0688
200+
￥0.05712 ￥0.0672
600+
￥0.05627 ￥0.0662
3000+
￥0.055335 ￥0.0651

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型号：RB520SM-30T2R-HXY 编号：C52754542

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向电压（VR）能力。其正向压降（VF）为0.6V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）仅为1μA，体现出优异的关断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适合应对短时过流情况。这些参数使其适用于低功耗电源整流、信号解调、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率和静态功耗敏感的电子电路。

50+
￥0.05852 ￥0.0616
500+
￥0.057285 ￥0.0603
3000+
￥0.05643 ￥0.0594
6000+
￥0.055575 ￥0.0585

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型号：HRB531SM-30T2R 编号：C22461927

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管，40V耐压，0.35A电流处理能力，性能可靠。0.6V低正向压降，高效节能。反向电流仅5uA，确保电路纯净。小巧设计，便于高密度电路板布局，是电源管理和信号整流的优选元件。

20+
￥0.058578 ￥0.0751
200+
￥0.057174 ￥0.0733
600+
￥0.056316 ￥0.0722
3000+
￥0.05538 ￥0.071

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型号：SDM10U45-7-HXY 编号：C52754600

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路场合。

50+
￥0.059755 ￥0.0629
500+
￥0.05852 ￥0.0616
3000+
￥0.05757 ￥0.0606
6000+
￥0.056715 ￥0.0597

有货

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型号：1SS389 编号：C5766547

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管专为高效能应用设计，具有0.35A的正向电流IF，适用于多种电子设备中的整流与保护功能。其反向电压VR可达40V，确保在常见应用场景下的可靠性。正向电压VF仅为0.6V，有效降低了能量损耗，提升了电路效率。反向漏电流IR低至5uA，减少了不必要的能耗。此外，该二极管的非重复峰值正向浪涌电流IFSM高达2A，增强了对瞬时过载的承受能力。此款二极管非常适合应用于需要高效电能转换及精细电源管理的消费电子产品中。

20+
￥0.06138 ￥0.0682
200+
￥0.06003 ￥0.0667
600+
￥0.05913 ￥0.0657
3000+
￥0.05823 ￥0.0647

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型号：RB521SM-40T2R-HXY 编号：C52754553

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.54V，有助于提升能效，同时在反向偏置条件下漏电流（IR）仅为90μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、钳位及电源管理等电路场合。

50+
￥0.06232 ￥0.0656
500+
￥0.060895 ￥0.0641
3000+
￥0.06004 ￥0.0632
6000+
￥0.05909 ￥0.0622

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型号：B1040X 编号：C53207095

封装：SOD-523

品牌：Slkor(萨科微)

50+
￥0.0648
500+
￥0.0634
3000+
￥0.0624

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型号：SD103AX 编号：C5766558

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流IF为0.35A，最大反向电压VR为40V。其正向压降VF为0.6V，在40V反向电压下漏电流IR仅为5μA，表现出优异的低功耗特性。器件可承受2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对体积和效率敏感的小功率整流、信号检波及电源管理等电路，尤其适合便携式或低电流应用场景。

50+
￥0.0656
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￥0.0641
3000+
￥0.0632

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型号：1SS355WT 编号：C2836063

封装：SOD-523

品牌：CBI(创基)

电流:100mA 电压:80V

数据手册

20+
￥0.068
200+
￥0.054
600+
￥0.0462
3000+
￥0.037
9000+
￥0.033
21000+
￥0.0308

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型号：BZX584B5V6 编号：C51883350

封装：SOD-523

品牌：Huixin(慧芯)

规格值：5.6V，稳压值:5.49V~5.71V，反向电流：1uA@2V，适用于对高精度电压调节的小型化电路设计。

20+
￥0.069256 ￥0.0787
200+
￥0.067672 ￥0.0769
600+
￥0.066704 ￥0.0758
3000+
￥0.065648 ￥0.0746

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型号：MM5Z7V5 编号：C5356465

封装：SOD-523

品牌：SHIKUES(时科)

特性：标准齐纳击穿电压范围为2.0V至75V。稳态功率额定值为200mW

数据手册

50+
￥0.0722
500+
￥0.0566
3000+
￥0.048
6000+
￥0.0428
24000+
￥0.0383
51000+
￥0.0359

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型号：RB520S30-CN 编号：C42379414

封装：SOD-523

品牌：ChipNobo(无边界)

Diode 30V 200mA Surface Mount SOD-523

50+
￥0.072865 ￥0.0767
500+
￥0.055955 ￥0.0589
3000+
￥0.048355 ￥0.0509
6000+
￥0.042655 ￥0.0449
24000+
￥0.03781 ￥0.0398
51000+
￥0.03515 ￥0.037

有货

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型号：1SS400 编号：C7528884

封装：SOD-523

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向恢复时间(trr)：4ns 80V,100mA,trr=4ns,VF=1.2V@100mA,PD=150mW

50+
￥0.07429 ￥0.0782
500+
￥0.057855 ￥0.0609
1500+
￥0.048735 ￥0.0513
8000+
￥0.04332 ￥0.0456
24000+
￥0.03857 ￥0.0406
48000+
￥0.036005 ￥0.0379

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型号：MM5Z3V3 编号：C27975282

封装：SOD-523

品牌：LGE(鲁光)

商品目录稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 3.3V；反向电流(Ir) 20uA@1V；稳压值(范围) 3.1V~3.5V；功率(Pd) 200mW；阻抗(Zzt) 95Ω

20+
￥0.07461 ￥0.0829
200+
￥0.07299 ￥0.0811
600+
￥0.07182 ￥0.0798
3000+
￥0.07074 ￥0.0786

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型号：RB521S-30 编号：C5381452

封装：SOD-523

品牌：FOSAN(富捷/富信)

工作电流Io：200MA 反向耐压VR：30V

数据手册

20+
￥0.07472 ￥0.0934
200+
￥0.07296 ￥0.0912
600+
￥0.07184 ￥0.0898
3000+
￥0.07072 ￥0.0884

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型号：HAZ5125-01H 编号：C49318004

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件采用双向设计，适用于需要均衡保护性能的电路应用场景。其最大峰值电流IPP为2A，可有效抑制正负方向的瞬态电压冲击；反向工作电压VRWM为5V，适配多种低电压信号线路的防护需求；结电容CJ为5pF，在保持良好信号完整性和减少高频干扰方面表现较好；该器件为单通道结构，便于在空间受限的电路板上布局，适合用于通信设备、消费类电子产品及精密仪器中的关键节点保护。

20+
￥0.074765 ￥0.0787
200+
￥0.073055 ￥0.0769
600+
￥0.07201 ￥0.0758
3000+
￥0.07087 ￥0.0746

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型号：RB520S-40HE3-HXY 编号：C52754610

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明其在阻断状态下的漏电特性优异。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源管理、信号检波以及便携式电子设备中的多种电路场合，兼顾效率与稳定性。

20+
￥0.074765 ￥0.0787
200+
￥0.073055 ￥0.0769
600+
￥0.07201 ￥0.0758
3000+
￥0.07087 ￥0.0746

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型号：RB510SM-30T2R-HXY 编号：C52754597

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具备0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.5V，在导通状态下可有效降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向截止特性。器件能承受最大1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。

20+
￥0.074765 ￥0.0787
200+
￥0.073055 ￥0.0769
600+
￥0.07201 ￥0.0758
3000+
￥0.07087 ￥0.0746

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型号：RB521S30YL-HXY 编号：C52754544

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其正向压降典型值为0.5V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为30μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流达1A，适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或信号处理场合。由于其低VF与快速恢复特性，常用于电源管理、电池保护及高频开关电路中。