TDK色胚电感_厂家_价格_品牌_库存

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型号：SLF12565T-221M1R0-PF 编号：C138309

封装：SMD,12.5x12.5mm

品牌：TDK

特性：磁性屏蔽式绕线电感器,用于电源电路。产品系列可满足各种用途。工作温度范围:-40 至 +105°C(包括自升温)。应用：薄屏电视。LCD。AV 设备。游戏设备。其他电气设备

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￥2.502 ￥2.78
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型号：VLF3012ST-1R0N2R0 编号：C380032

封装：SMD,3x2.8mm

品牌：TDK

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型号：SPM10040T-6R8M 编号：C138682

封装：SMD,10.7x10mm

品牌：TDK

特性：磁屏蔽型绕线电感器,用于使用金属磁性材料的电源电路。与铁氧体绕线电感器相比,可实现大电流、低直流电阻和小型化。在高温环境下电感变化小,具有良好的直流叠加特性。采用金属磁性材料,结构为集成模制线圈,因此比磁芯粘合线圈的嗡嗡声更低。工作温度范围:-40至+125°C(包括自升温)。应用：笔记本电脑。硬盘驱动器

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型号：CLF7045NIT-330M-D 编号：C138629

封装：SMD

品牌：TDK

特性：磁屏蔽型功率电路绕线电感器。可在宽温度范围使用:-55至+150°C(包括自升温)。1至470μH,宽E-6系列阵容,适用于各种用途。工作温度范围:-55至+150°C(包括自升温)。符合AEC-Q200。应用：汽车相关设备(ECM、安全气囊、前照灯、电子动力转向、仪表、ABS等)。应用指南:汽车(xEV)

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型号：CLF6045NIT-2R2N-D 编号：C2047955

封装：SMD,6.3x6mm

品牌：TDK

特性：磁屏蔽型绕线电感,用于电源电路。可在宽温度范围使用:-55°C至+150°C(包括自升温)。1至470μH,广泛的E-6系列产品阵容,适用于各种用途。工作温度范围:-55°C至+150°C(包括自升温)。符合AEC-Q200标准。应用：汽车相关设备(发动机控制模块、安全气囊、前照灯、电子动力转向系统、仪表、防抱死制动系统等)。汽车(xEV)应用指南

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型号：NLV32T-180J-EFD 编号：C295205

封装：1210

品牌：TDK

特性：树脂模制型标准电路绕线电感器。E-12系列,宽阵容,兼容L(±5%)公差,可用于需要满足严格L公差的应用,如滤波电路。在工作温度范围内具有出色的电感温度特性。工作温度范围:-40至+105°C(包括自升温)。符合AEC-Q200。应用：车辆配件(汽车导航系统、汽车音响、ETC)

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￥3.087 ￥3.43
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型号：VLS4015CX-470M-H 编号：C3223616

封装：SMD,4x4mm

品牌：TDK

特性：磁性屏蔽型绕线电感,用于使用铁氧体磁性材料的电源电路。高磁屏蔽结构,适合高密度安装。通过优化铁氧体磁芯形状,实现更大电流和更低直流电阻。工作温度范围:-40 至 +125°C(包括自升温)。符合 AEC-Q200 标准。应用：ADAS 电子控制单元。车载摄像头(后视摄像头、感应摄像头)

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￥3.458 ￥3.64
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型号：FLBSH5050T-R10M 编号：C307678

封装：-

品牌：TDK

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型号：CLF6045NIT-1R5N 编号：C307648

封装：SMD

品牌：TDK

特性：磁屏蔽型功率电路绕线电感,可在较宽温度范围使用,-55至+150°C(包括自升温)。1至470 μH,广泛的E-6系列阵容,适用于各种用途。符合AEC-Q200标准。应用：汽车相关设备(ECM、安全气囊、前照灯、电子动力转向、仪表、ABS等)。应用指南:汽车(xEV)

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￥3.86
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型号：SPM10054T-2R5M-HZ 编号：C307801

封装：SMD,10.7x10mm

品牌：TDK

特性：磁屏蔽型绕线电感,用于使用金属磁性材料的电源电路。与铁氧体绕线电感相比,可实现大电流、低直流电阻和紧凑性。在高温环境下电感变化小,具有良好的直流叠加特性。工作温度范围:-40°C至+125°C(包括自升温)。采用金属磁性材料,结构为集成模制线圈,因此比铁氧体磁芯粘合线圈的嗡嗡声更低。符合AEC-Q200。应用：汽车相关设备(汽车导航、汽车音响)

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型号：B82111E0000C026 编号：C2045331

封装：插件,D6.5xL26mm

品牌：TDK

特性：高谐振频率。宽电感范围。设计符合EN 60938。适用于波峰焊。符合RoHS标准。应用：RF阻塞和滤波。小家电中的干扰抑制

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￥4.5505 ￥4.79
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￥4.3225 ￥4.55

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型号：MLG0603P39NJTZ10 编号：C275203

封装：0201

品牌：TDK

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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型号：MLG0603P3N3BTZ10 编号：C76754

封装：0201

品牌：TDK

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型号：MLG0603P2N0BTZ10 编号：C275181

封装：0201

品牌：TDK

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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型号：MLG0603P47NHTZ10 编号：C275220

封装：0201

品牌：TDK

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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型号：MLG0603P0N6BTZ10 编号：C275147

封装：0201

品牌：TDK

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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￥0.024
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型号：MLG0603P47NJT000 编号：C415336

封装：0201

品牌：TDK

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

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50+
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￥0.0197
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型号：MLG0603P0N8BTZ10 编号：C275150

封装：0201

品牌：TDK

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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型号：MLG0402P1N8BT000 编号：C275121

封装：01005

品牌：TDK

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.2 ~ 33 nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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型号：MLG0402P1N4BT000 编号：C275119

封装：01005

品牌：TDK

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.2 ~ 33 nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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1+
￥0.0379
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￥0.0371
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￥0.0366
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型号：MLK1005S4N7ST000 编号：C136252

封装：0402

品牌：TDK

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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1+
￥0.0469
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￥0.0361
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￥0.0301
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￥0.0265
500+
￥0.0233

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型号：MLG1005SR12JT000 编号：C76780

封装：0402

品牌：TDK

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

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50+
￥0.0477
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￥0.0375
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￥0.0319

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型号：MLK1005S22NJT000 编号：C107320

封装：0402

品牌：TDK

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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￥0.0527
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￥0.0408
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￥0.0343

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型号：MLK1005SR24JT000 编号：C275337

封装：0402

品牌：TDK

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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￥0.055
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￥0.0434
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￥0.0369
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￥0.0331
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￥0.0297
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￥0.0279

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型号：MLG1005S1N6ST000 编号：C307723

封装：0402

品牌：TDK

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

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单价：
￥0.172845 / 个

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型号：MLK1005SR10JTD25 编号：C524462

封装：0402

品牌：TDK

特性：采用千兆螺旋层压结构,可获得比MLG结构更高的自谐振频率,且MLK中Q值的下降难以被限制。采用多层陶瓷和导电材料烧结工艺形成单片结构,适用于高频。无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。符合AEC Q200标准。应用：汽车设备。智能手机

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￥0.063
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￥0.0496
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￥0.0422
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￥0.0378
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￥0.0339
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￥0.0318

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型号：MLG0603P2N0BTD25 编号：C404546

封装：0201

品牌：TDK

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

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50+
￥0.0917
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￥0.0723
1500+
￥0.0615

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型号：MLG1005SR15HTD25 编号：C404660

封装：0402

品牌：TDK

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

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￥0.092
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￥0.0715
1500+
￥0.0601

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型号：MLG0603P3N4BT000 编号：C433017

封装：0201

品牌：TDK

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

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