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10uH ±20% 7.1A

型号：SPM6545VT-100M-D 编号：C2047899

封装：SMD,7x6.5mm

特性：金属复合式绕线电感,用于使用金属磁性材料的电源电路。与铁氧体绕线电感相比,由于金属磁性材料具有出色的直流叠加特性,可实现低直流电阻和小型化。抗振结构,抗振能力达30G。工作温度范围:-55至+155°C(包括自升温)。符合AEC Q200标准。应用：汽车相关设备(LED、ECM、ADAS、BCM等)

1+
￥3.65
10+
￥2.99
30+
￥2.66
100+
￥2.24

有货

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4.7uH ±20%

型号：VLF4014AT-4R7M1R1 编号：C380035

封装：SMD

特性：安装面积:3.5×3.7mm。低剖面:最大高度1.4mm。通用用于便携式直流到直流转换器线路。高磁屏蔽结构,可实现高分辨率的电磁兼容性保护。可采用卷带包装进行自动安装。产品无铅,支持无铅焊接。应用：移动设备(如手机、硬盘驱动器和数码相机)的电源电感

数据手册

1+
￥3.93
10+
￥3.14
30+
￥2.74
100+
￥2.35

有货

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47uH ±20% 1.3A

型号：CLF7045T-470M-D 编号：C432960

封装：SMD,7.2x6.9mm

特性：磁性屏蔽型功率电路绕线电感器。可在较宽温度范围使用:-40~+150°C(包括自升温)。1至470μH,宽泛的E 6系列产品组合,适用于各种用途。应用：汽车用设备(发动机控制模块、安全气囊、前照灯、电子动力转向系统、仪表、防抱死制动系统等)

数据手册

1+
￥3.9699 ￥4.01
10+
￥3.2175 ￥3.25
30+
￥2.8413 ￥2.87
100+
￥2.475 ￥2.5
500+
￥2.2473 ￥2.27
1000+
￥2.1384 ￥2.16

有货

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68uH ±20% 1.08A

型号：CLF7045NIT-680M-D 编号：C138631

封装：SMD

特性：磁屏蔽型功率电路绕线电感器。可在宽温度范围使用:-55至+150°C(包括自升温)。1至470μH,宽E-6系列阵容,适用于各种用途。工作温度范围:-55至+150°C(包括自升温)。符合AEC-Q200。应用：汽车相关设备(ECM、安全气囊、前照灯、电子动力转向、仪表、ABS等)。应用指南:汽车(xEV)

数据手册

1+
￥4.085 ￥4.3
10+
￥3.3155 ￥3.49
30+
￥2.926 ￥3.08
100+
￥2.546 ￥2.68
500+
￥2.318 ￥2.44
1000+
￥2.1945 ￥2.31

有货

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68uH ±20% 540mA

型号：VLS4015CX-680M-H 编号：C3221132

封装：SMD,4x4mm

1+
￥4.1705 ￥4.39
10+
￥3.382 ￥3.56
30+
￥2.983 ￥3.14
100+
￥2.5935 ￥2.73
500+
￥2.356 ￥2.48
1000+
￥2.2325 ￥2.35

有货

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120nH ±15% 110A

型号：VLBU1007090T-R12L 编号：C1331835

封装：-

数据手册

1+
￥5.382 ￥5.98
10+
￥4.464 ￥4.96
30+
￥3.87 ￥4.3
100+
￥3.42 ￥3.8
400+
￥3.141 ￥3.49
800+
￥2.997 ￥3.33

有货

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15uH ±20% 11.7A

型号：SPM10065VT-150M-D 编号：C2047829

封装：SMD,10.5x10mm

特性：金属复合式绕线电感,用于电源电路,采用金属磁性材料。与铁氧体绕线电感相比,由于金属磁性材料具有优异的直流叠加特性,可实现低Pts和小型化。抗振性为30G,采用抗振结构。工作温度范围:-55至+155°C(包括自升温)。符合AEC-Q200标准。应用：汽车相关设备(LED、ECM、ADAS、BCM等)

数据手册

1+
￥7.44
10+
￥6.21
30+
￥5.54
100+
￥4.78

有货

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±0.1nH 2nH

型号：MLG0603P2N0BT000 编号：C307709

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

1+
￥0.04583
100+
￥0.03819
1000+
￥0.026568
5000+
￥0.023252
10000+
￥0.02022

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9.1nH ±3%

型号：MLG0603P9N1HTZ10 编号：C275255

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

100+
￥0.0232
1000+
￥0.0176
3000+
￥0.0146
15000+
￥0.0133
45000+
￥0.0115

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±0.1nH 1.1nH

型号：MLG0603P1N1BT000 编号：C307705

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

10+
￥0.027
100+
￥0.0208
300+
￥0.0174
1000+
￥0.0153

有货

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±0.2nH 2.7nH

型号：MLG0603P2N7CT000 编号：C76752

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

100+
￥0.029
1000+
￥0.0229
3000+
￥0.0195

有货

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±0.2nH 1.2nH

型号：MLG0603P1N2CT000 编号：C880697

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.0317
500+
￥0.0248
1500+
￥0.021

有货

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±0.3nH 5.1nH

型号：MLG0603S5N1ST000 编号：C307719

封装：0201

特性：先进的单片结构,采用多层陶瓷和导电材料烧结工艺制成,适用于高频。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机。平板终端。高频模块。蓝牙。W-LAN。UWB。调谐器。移动通信行业的其他高频电路

数据手册

50+
￥0.0375
500+
￥0.029
1500+
￥0.0242

有货

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100nH ±5%

型号：MLK1005SR10JT000 编号：C275333

封装：0402

产品符合RoHS指令,无卤,兼容无铅焊料。

数据手册

10+
￥0.043659 ￥0.0539
100+
￥0.030175 ￥0.0425
300+
￥0.022021 ￥0.0361
1000+
￥0.019703 ￥0.0323
5000+
￥0.01769 ￥0.029
10000+
￥0.016653 ￥0.0273

有货

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±0.3nH 3nH

型号：MLG1005S3N0ST000 编号：C76773

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

数据手册

10+
￥0.0486
100+
￥0.0383
300+
￥0.0326
1000+
￥0.0292
5000+
￥0.0262

有货

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12nH ±5%

型号：MLG1005S12NJT000 编号：C76762

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

数据手册

100+
￥0.0495
1000+
￥0.04
3000+
￥0.0347

有货

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75nH ±5%

型号：MLG1005S75NJT000 编号：C880710

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

数据手册

100+
￥0.0496
1000+
￥0.04
3000+
￥0.0346
10000+
￥0.0274
50000+
￥0.0247
100000+
￥0.0232

订货

我要订货

100nH ±3%

型号：MLG1005SR10HT000 编号：C433025

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

数据手册

50+
￥0.0591
500+
￥0.0456
1500+
￥0.0381

有货

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24nH ±3%

型号：MLG1005S24NHTD25 编号：C404641

封装：0402

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

50+
￥0.0783
500+
￥0.0615
1500+
￥0.0523

有货

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±0.1nH 2.7nH

型号：MLG0603P2N7BTD25 编号：C404553

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.1048
500+
￥0.0827
1500+
￥0.0704

有货

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8.2nH ±3%

型号：MHQ0603P8N2HT000 编号：C1330906

封装：0201

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感相当的高Q特性。多层工艺允许电感值以精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

1+
￥0.135565 ￥0.1427
10+
￥0.106875 ￥0.1125
30+
￥0.09101 ￥0.0958
100+
￥0.081415 ￥0.0857
500+
￥0.07315 ￥0.077
1000+
￥0.06878 ￥0.0724

有货

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12nH ±2%

型号：MHQ1005P12NGT000 编号：C3911363

封装：0402

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感器相当的高Q特性。多层方法可实现电感的精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

10+
￥0.1823
100+
￥0.1415
300+
￥0.1188

有货

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270nH ±5%

型号：MLF1608DR27JT000 编号：C87519

封装：0603

叠层电感

数据手册

10+
￥0.2136
100+
￥0.1649
300+
￥0.1379
1000+
￥0.1217

有货

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2.7uH ±10%

型号：MLF2012A2R7KT000 编号：C275370

封装：0805

特性：阵容包括广泛的电感范围。高度可靠的单片结构,具有多层集成。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机。平板电脑

数据手册

10+
￥0.23028 ￥0.2424
100+
￥0.184205 ￥0.1939
300+
￥0.161215 ￥0.1697
2000+
￥0.143925 ￥0.1515
4000+
￥0.130055 ￥0.1369
10000+
￥0.123215 ￥0.1297

有货

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470nH ±5%

型号：MLF1608DR47JT000 编号：C275359

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

数据手册

10+
￥0.2441
100+
￥0.1934
300+
￥0.168

有货

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8.2uH ±5%

型号：NLV25T-8R2J-EF 编号：C295181

封装：1008

特性：树脂模具型绕线电感器,适用于标准电路。E-12系列,广泛的产品线,兼容±5%公差,可用于需要满足严格L公差的应用,如滤波电路。在工作温度范围内具有出色的电感温度特性。工作温度范围:-40至+105°C(包括自升温)。应用：智能电表。AV设备。xDSL。通信基础设施电子设备,如移动基站。工业设备

数据手册

10+
￥0.2736 ￥0.288
100+
￥0.21888 ￥0.2304
300+
￥0.19152 ￥0.2016
2000+
￥0.171 ￥0.18
4000+
￥0.154565 ￥0.1627
10000+
￥0.1463 ￥0.154

有货

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12nH ±5%

型号：NLV25T-012J-EF 编号：C295166

封装：1008

特性：树脂模具型绕线电感器,适用于标准电路。E-12系列,广泛的产品线,兼容±5%公差,可用于需要满足严格L公差的应用,如滤波电路。在工作温度范围内具有出色的电感温度特性。工作温度范围:-40至+105°C(包括自升温)。应用：智能电表。AV设备。xDSL。通信基础设施电子设备,如移动基站。工业设备

数据手册

10+
￥0.3483
100+
￥0.2787
300+
￥0.2439
2000+
￥0.2178

有货

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330nH ±20% 4.42A

型号：VLS201610HBX-R33M-1 编号：C307856

封装：0806

特性：磁屏蔽型绕线电感,用于使用金属磁性材料的电源电路。高磁屏蔽结构,适合高密度安装。金属磁性材料实现更大电流。应用：智能手机。平板电脑终端

数据手册

10+
￥0.3506
100+
￥0.2747
300+
￥0.2367

有货

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680nH ±20% 3.62A

型号：VLS252010HBX-R68M-1 编号：C88531

封装：1008

特性：磁性屏蔽型绕线电感,用于使用金属磁性材料的电源电路。高磁屏蔽结构,适合高密度安装。金属磁性材料实现更大电流。应用：智能手机。平板电脑终端

数据手册

10+
￥0.4132
100+
￥0.3258
300+
￥0.2821

有货

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10uH ±10%

型号：NLFV25T-100K-PF 编号：C107342

封装：1008

特性：是树脂模具型去耦电路用绕组型电感器。是一种外装成形树脂中含有铁氧体粉末的磁屏蔽型产品。应用：智能仪表。视听设备

数据手册

5+
￥0.475101 ￥0.4799
50+
￥0.380061 ￥0.3839
150+
￥0.332541 ￥0.3359
500+
￥0.296901 ￥0.2999
2000+
￥0.268389 ￥0.2711
4000+
￥0.254133 ￥0.2567

有货

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