数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

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单价：
￥0.11352 / 个

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型号：DTD113EKT146 编号：C253322

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 1kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，还能完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补PNP类型。无铅/符合RoHS标准。应用：开关电路。反相器电路

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5+
￥0.3275
50+
￥0.3205
150+
￥0.3159

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型号：DDTA114ECA-7-F 编号：C444412

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型（DDTC）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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单价：
￥0.134669 / 个

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型号：ADTC114YUAQ-7 编号：C460647

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。内置偏置电阻。表面贴装封装，适合自动化组装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。可提供生产件批准程序（PPAP）文件

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10+
￥0.3707
100+
￥0.3032
300+
￥0.2695

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型号：MMUN2116LT1G 编号：C232611

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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单价：
￥0.10128 / 个

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型号：SMUN2232T1G 编号：C233490

封装：SC-59

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

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单价：
￥0.15228 / 个

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型号：UMC3NTR 编号：C2909292

封装：SOT-353

品牌：ROHM(罗姆)

特性：DTA114E芯片和DTC114E芯片采用UMT或SMT封装。适用于电源开关电路。可将安装成本和面积减半

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10+
￥0.4067
100+
￥0.3251
300+
￥0.2843
3000+
￥0.2187
6000+
￥0.1942
9000+
￥0.1819

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型号：SMUN5233DW1T1G 编号：C894403

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

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5+
￥0.421
50+
￥0.411
150+
￥0.4044

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型号：DTC123JMT2L 编号：C703614

封装：SC-105AA

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。只需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

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5+
￥0.4558
50+
￥0.3557
150+
￥0.3057
500+
￥0.2681
2500+
￥0.2381
5000+
￥0.2231

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型号：UMD10N 编号：C2910249

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：一个封装中包含DTC123J芯片和DTA123J芯片。可使用SOT-363自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，无干扰。可将贴装成本和面积减半

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5+
￥0.4718
50+
￥0.3758
150+
￥0.3278

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型号：DTC114YM3T5G 编号：C463692

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

NPN 双极数字晶体管 (BRT)

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5+
￥0.4792
50+
￥0.469
150+
￥0.4621

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型号：DCX115EK-7-F 编号：C2892747

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.4916
50+
￥0.4811
150+
￥0.4741

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型号：RN1115,LF(CT 编号：C17400542

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2114至RN2118互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.5005
50+
￥0.4877
150+
￥0.4792
500+
￥0.4707

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型号：MUN2232T1G 编号：C274588

封装：SC-59

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中而消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本并减少电路板空间。

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5+
￥0.5187
50+
￥0.415
150+
￥0.3632

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型号：DTA113ZUAT106 编号：C123055

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 1.0kΩ，R2 = 2.2kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

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5+
￥0.5458
50+
￥0.4367
150+
￥0.3822

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型号：BCR 505 E6327 编号：C533899

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：内置偏置电阻 (R₁ = 2.2 kΩ, R₂ = 10 kΩ)。无铅 (符合RoHS标准) 封装。根据AEC Q101认证

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5+
￥0.6043
50+
￥0.5921
150+
￥0.5839

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型号：MUN5113DW1T1G 编号：C95380

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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1+
￥0.6603
10+
￥0.6438
30+
￥0.6328

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型号：DTC123JM3T5G 编号：C232548

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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5+
￥0.9014
50+
￥0.8788
150+
￥0.8637

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型号：BCR 35PN H6327 编号：C533879

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

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5+
￥1.491
50+
￥1.1789
150+
￥1.0451

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型号：NHDTC143ZUF 编号：C3588870

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

NPN 带电阻晶体管 (RET) 系列，采用非常小的 SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

1+
￥5.51
10+
￥4.86
30+
￥4.53
100+
￥4.21
500+
￥4.02
1000+
￥3.92

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型号：KRA103S-RTK/P 编号：C125261

封装：SOT-23

品牌：KEC

R1=22K R2=22K

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20+
￥0.09
200+
￥0.0881
600+
￥0.0869
2000+
￥0.0856

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型号：LMUN2112LT1G 编号：C12751

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和节省电路板空间。该器件采用SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。

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3000+
￥0.074192
9000+
￥0.072076

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型号：LMUN2131LT1G 编号：C2846997

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单个组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。

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